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學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn):將BJT連接為二極管
本次實(shí)驗(yàn)的目的是研究將雙極性結(jié)型晶體管(BJT)連接為二極管時(shí)的正向/反向電流與電壓特性。
大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器NCD(V)5700x使用外部BJT緩沖器實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷(STO)
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,內(nèi)置電流隔離功能,用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。 上篇 中我們介紹了NCD(V)5700x...
晶體管是一種有源元件,遍布電子電路。它們用作放大器和開(kāi)關(guān)設(shè)備。作為放大器,它們用于高電平和低電平、頻率級(jí)、振蕩器、調(diào)制器、檢測(cè)器以及任何需要執(zhí)行功能的電...
我們知道PN結(jié)半導(dǎo)體具有單相導(dǎo)電的性能,但是由PN結(jié)構(gòu)成的各種二極管(Diode)器件的單相導(dǎo)電性是沒(méi)辦法進(jìn)行主動(dòng)控制的,因此這類器件也稱為 **被動(dòng)器...
如何實(shí)現(xiàn)晶體管用作開(kāi)關(guān)應(yīng)用
雖然晶體管(BJT)通常用于制造放大器電路,但它們也可以有效地用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2023-06-03 標(biāo)簽:晶體管BJT開(kāi)關(guān)應(yīng)用 3.3k 0
我們?cè)谇懊娴腂JT直流分析章節(jié),還講過(guò)一種“集電極反饋偏置”電路,它也是共射放大電路的一種。這種電路在集電極和基級(jí)之間增加了一個(gè)反饋電阻,分析難度有所增...
一種用于LVTSCR器件SPICE仿真的簡(jiǎn)單的宏模型等效電路建模方法。
SCR在CMOS技術(shù)的ESD保護(hù)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。一個(gè)主要的挑戰(zhàn)是為這些器件在ESD應(yīng)力條件下開(kāi)發(fā)有效的緊湊仿真模型。
采用高速ADC的單事件效應(yīng)(SEE):?jiǎn)问录V鎖(SEL)
在 SEL 測(cè)試期間,設(shè)備外殼溫度設(shè)置為 125oC和電源電流被監(jiān)控,以觀察是否有任何閂鎖。測(cè)試運(yùn)行到80 MeV-cm等能量水平2/毫克,流度為107...
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模分析和應(yīng)用領(lǐng)域
功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類,其中晶體管市場(chǎng)份額最大,常見(jiàn)的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指將高壓功率器件與其...
達(dá)林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接,使用一對(duì)雙極晶體管結(jié)型晶體管(BJT),設(shè)計(jì)用于像統(tǒng)一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細(xì)信息。
2023-06-29 標(biāo)簽:BJT達(dá)林頓晶體管晶體管電路 2.9k 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板,即所有電流都通過(guò)MOS溝道,實(shí)際上只有電子電流通過(guò)MOS溝道,而空穴電流...
晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對(duì)于理解其工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類:放大模式和開(kāi)關(guān)模式。這兩種模式基于晶...
本文談一談BJT這個(gè)device、以及模擬IC設(shè)計(jì)師眼中對(duì)BJT的了解程度(只用過(guò)CMOS工藝的模擬IC設(shè)計(jì)師)。 BJT即三極管,分為PNP和N...
一個(gè)以達(dá)林頓模式連接的BJT發(fā)射極-跟隨器電路
在下圖中,我們可以看到一個(gè)以達(dá)林頓模式連接的BJT發(fā)射極-跟隨器電路。該對(duì)的基極通過(guò)電容C1連接到交流輸入信號(hào)。
在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無(wú)疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對(duì)其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...
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