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損耗

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損耗，一般指損失，受損失或耗費(fèi)的意思。在信號(hào)專業(yè)中指信號(hào)電平或強(qiáng)度的減少，通常用分貝表示。也指沒(méi)有實(shí)際用途的功率耗散。

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損耗技術(shù)

詳解MOS管的關(guān)鍵參數(shù)和工作損耗

MOS管屬于電壓驅(qū)動(dòng)型器件，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路中，常作為電子開(kāi)關(guān)、放大器等功能使用。

2026-01-30 標(biāo)簽：MOS管 NMOS 損耗 7.2k 0

射頻電路中常見(jiàn)的損耗類型

射頻電路中的損耗是指在射頻信號(hào)傳輸、處理過(guò)程中，信號(hào)能量的減少。

2025-03-17 標(biāo)簽：射頻信號(hào)射頻電路損耗 2k 0

電容器的損耗特性

電容器作為電子電路中不可或缺的元件，其性能的穩(wěn)定性和效率直接關(guān)系到整個(gè)電路的工作狀態(tài)。電容器的損耗特性是衡量其品質(zhì)優(yōu)劣的重要指標(biāo)之一，它不僅影響電容器的...

2025-02-03 標(biāo)簽：電容器損耗介質(zhì)材料 2.7k 0

電子器件可靠性估算原理

HTOL是High Temperature Operating Life的縮寫(xiě)，通常指高溫工作壽命測(cè)試。

2024-11-06 標(biāo)簽：IC 電子器件損耗 3.4k 0

高速信號(hào)的頻率點(diǎn)和衰減值

高速信號(hào)損耗我們的研發(fā)工程師經(jīng)常就說(shuō)一個(gè)頻率點(diǎn)和對(duì)應(yīng)的衰減值，16G看到5.6dB；或者你們把銅絲加大，看能不能干到5.1dB，按照這兩個(gè)規(guī)格分別報(bào)價(jià)和...

2024-11-01 標(biāo)簽：以太網(wǎng)PCIe 損耗 3.6k 0

二極管的反向恢復(fù)損耗定義

二極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色。然而，在二極管的實(shí)際應(yīng)用中，反向恢復(fù)損耗是一個(gè)不容忽視的問(wèn)題。本文將對(duì)二極管的反向恢復(fù)...

2024-10-12 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體損耗 5.5k 0

了解薄膜電容的損耗

薄膜電容作為電子元器件，廣泛用于電路系統(tǒng)，在使用過(guò)程中存在損耗問(wèn)題，損耗影響電容性能，且對(duì)電路系統(tǒng)穩(wěn)定性不利。損耗越小越好。

2024-09-25 標(biāo)簽：薄膜電容設(shè)備 1.1k 0

解鎖 MOS 管：溫度估算不再燒腦

溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一，為防止過(guò)熱導(dǎo)致的MOS失效，使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過(guò)程中產(chǎn)生的各種損...

2024-08-08 標(biāo)簽：MOSFET MOS管損耗 5.9k 0

MOS管的損耗與哪些因素

MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題，它涉及到多個(gè)因素，包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。

2024-08-07 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻損耗 4.5k 0

開(kāi)關(guān)電源MOS管的主要損耗

開(kāi)關(guān)電源中的MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管...

2024-08-07 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 MOS管損耗 5.5k 0

反激CCM模式的開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗詳解

電源設(shè)計(jì)工程師在選用 Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí)，大多直接以 Power MOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初...

2024-01-20 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管損耗 7.6k 0

阻抗和損耗管控

第一個(gè)：阻抗值的確認(rèn)。很多人疑惑為什么要進(jìn)行阻抗值確認(rèn)？這是因?yàn)橛行┩瑯拥男盘?hào)，阻抗的要求卻不一樣，比如HDMI，有些芯片設(shè)計(jì)規(guī)范的要求是100ohm，...

2024-01-08 標(biāo)簽：阻抗損耗疊層設(shè)計(jì) 1.1k 0

PN結(jié)二極管正向歐姆損耗仿真分析

本推文針對(duì)讀者提出的兩個(gè)問(wèn)題進(jìn)行系統(tǒng)解答，一是關(guān)于二極管正向?qū)ㄆ陂g的歐姆損耗，二是如何把測(cè)試的數(shù)據(jù)導(dǎo)入仿真軟件，便于不斷調(diào)整條件后，實(shí)現(xiàn)仿真與實(shí)測(cè)的便捷對(duì)比。

2023-12-03 標(biāo)簽：二極管仿真 PN結(jié) 2.3k 0

運(yùn)算放大器的溫度特性

2023-12-13 標(biāo)簽：芯片運(yùn)算放大器損耗 1.9k 0

Buck電路功耗計(jì)算(二)

2023-12-06 標(biāo)簽：電路 BUCK 損耗 4.5k 0

功分器加隔離電阻會(huì)影響損耗嗎

功分器是一種常用的無(wú)源器件，用于將輸入功率均勻地分配到多個(gè)輸出端口。隔離電阻則是用于隔離功分器的輸入和輸出端口之間的電路。那么，功分器加隔離電阻會(huì)對(duì)功分...

2023-08-30 標(biāo)簽：損耗功分器無(wú)源器件 1.6k 0

從麥克斯韋方程看傳輸線中的介質(zhì)損耗

傳輸線的損耗有介質(zhì)損耗，導(dǎo)體損耗和輻射損耗。

2023-07-11 標(biāo)簽：損耗傳輸線衰減 1.6k 0

CBB電容線路損耗的方法

CBB電容線路損耗的計(jì)算方法主要有均方根電流法、平均電流法、電流、負(fù)載損耗小時(shí)法等。平均電流法、均方根電流法和負(fù)載損耗小時(shí)法主要用于電網(wǎng)規(guī)劃設(shè)計(jì)。具有代...

2023-06-18 標(biāo)簽：電容損耗 CBB電容 1.6k 0

開(kāi)關(guān)電源/開(kāi)關(guān)MOS管/開(kāi)關(guān)變壓器損耗講解

今天給大家分享的是：開(kāi)關(guān)電源損耗與效率、開(kāi)關(guān)晶體管損耗、開(kāi)關(guān)變壓器損耗。

2023-06-16 標(biāo)簽：變壓器開(kāi)關(guān)電源 MOS管 3.4k 0

你知道電感的5大損耗嗎？

在設(shè)計(jì)DC-DC電路時(shí)，經(jīng)常會(huì)考慮它的效率，90%還是在80%的效率對(duì)于一個(gè)消費(fèi)電子設(shè)備的續(xù)航來(lái)說(shuō)，存在非常大的區(qū)別。

2023-06-12 標(biāo)簽：芯片電感 DC-DC 4.6k 0

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加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過(guò)一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
TOF

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角度傳感器

角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂(lè)高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過(guò)1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
L298

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DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開(kāi)始，再透過(guò)光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
MC9S12XS128

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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
TDC-GP2

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干擾器

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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書(shū)館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來(lái)驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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半導(dǎo)體工藝

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直流無(wú)刷電機(jī)

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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
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半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說(shuō)話人識(shí)別，包括說(shuō)話人辨認(rèn)和說(shuō)話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來(lái)直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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ATmega16單片機(jī)

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開(kāi)單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開(kāi)關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開(kāi)關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
緩沖電路

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LPC2368

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識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
制冷片

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VCM

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