磷酸的腐蝕特性及緩蝕劑 氮化硅濕法蝕刻中熱磷酸的蝕刻率

在半導體濕法蝕刻中， 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝， 實踐中發現溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發， 我們...

2022-08-30 標簽：半導體工藝蝕刻 7.3k 0

半導體光刻的工藝過程（3）

涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應用烘烤過程，也稱為軟烘烤或預烘烤，包括在旋涂后通過去除多余的溶劑來干燥光刻膠。減少溶劑含量的主...

2022-08-29 標簽：半導體工藝光刻 1.5k 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制的研究

薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應力更小。

2022-08-26 標簽：工藝蝕刻硅晶片 4k 0

半導體光刻的工藝過程（2）

盡管存在從流變學角度描述旋涂工藝的理論，但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉速度曲線（圖 1-3）是設置旋轉速度以獲...

2022-08-25 標簽：半導體工藝光刻 1.9k 0

點膠工藝用途和要求

電子產品芯片的微型化正變得越來越受歡迎。但是微型化帶來了焊點可靠性問題。元件和基板使用錫膏進行焊接，但是由于體積太小使得焊點更容易受到應力影響而出現脫落...

2022-08-25 標簽：工藝點膠焊盤 9k 0

半導體光刻的工藝過程（1）

集成電路(IC)的制造需要在半導體(例如，硅)襯底上執行的各種物理和化學過程。通常，用于制造 IC 的各種工藝分為三類：薄膜沉積、圖案化和半導體摻雜。導...

2022-08-25 標簽：集成電路半導體工藝 2k 0

濕法蝕刻工藝的原理

濕法蝕刻工藝的原理是利用化學溶液將固體材料轉化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學物質可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數解決方案選擇性大...

2022-07-27 標簽：晶圓工藝蝕刻 4.1k 0

壓印光刻技術是什么 它是如何工作的

壓印光刻是許多新興應用的關鍵技術，例如微光學、增強現實、MEMS和光電傳感器;但它是什么以及它是如何工作的?

2022-07-25 標簽：傳感器工藝光刻 2.1k 0

KOH硅濕法蝕刻工藝詳解

引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是...

2022-07-14 標簽：工藝蝕刻硅晶片 6.1k 0

一文詳解光刻膠剝離工藝

雖然通過蝕刻的結構化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本章描述了獲...

2022-07-12 標簽：工藝蝕刻光刻膠 3.1k 0

濕法蝕刻在硅片減薄中的作用

薄晶片已經成為各種新型微電子產品的基本需求。這些產品包括用于RFID系統的功率器件、分立半導體、光電元件和集成電路。此外，向堆疊管芯組件的轉變、垂直系統...

2022-07-05 標簽：工藝蝕刻晶片 4.6k 0

TSV工藝流程與電學特性研究

本文報道了TSV過程的細節。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們華林科納研究...

2022-06-16 標簽：工藝蝕刻晶片 4.2k 0

一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法

本文展示了一種使用連續濕法化學表面活化(即SPM→RCAl清洗)結合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經過200 ℃的多步后退火，獲得了無空洞或微裂紋的牢固結...

2022-05-13 標簽：工藝晶片鍵合 3.8k 0

詳解化學鎳沉積技術的沉積過程

本文報道了這種化學鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學鎳碰撞質量的影響，以幫助詳細了解...

2022-05-13 標簽：工藝晶片刻蝕 2.2k 0

使用n型GaSb襯底優化干法和濕法蝕刻工藝

基本化學成分以Cl2為基礎，外加用于側壁鈍化的N2。優化的ICP蝕刻工藝能夠產生具有光滑側壁的高縱橫比結構。使用670nm波長的激光進行原位反射監測，以...

2022-05-11 標簽：工藝蝕刻 1.9k 0