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標(biāo)簽 > 光電探測(cè)器
光電探測(cè)器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。光電探測(cè)器在軍事和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有廣泛用途。在可見(jiàn)光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等;在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。
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2D材料3D集成實(shí)現(xiàn)光電儲(chǔ)備池計(jì)算
先進(jìn)材料與三維集成技術(shù)的結(jié)合為邊緣計(jì)算應(yīng)用帶來(lái)了新的可能性。本文探討研究人員如何通過(guò)單片3D集成方式將硒化銦光電探測(cè)器與二硫化鉬憶阻晶體管結(jié)合,實(shí)現(xiàn)傳感...
TDK自旋光電探測(cè)器推動(dòng)光探測(cè)技術(shù)變革
在生成式人工智能、數(shù)據(jù)中心及Beyond 5G/6G等前沿領(lǐng)域,高速光通信與互連技術(shù)的需求正呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。面對(duì)光設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)革新需求,TDK與日本大...
光傳感器,也稱為光電探測(cè)器,用于檢測(cè)光的存在與否以及光的強(qiáng)度。這種傳感器能將光能轉(zhuǎn)換為電信號(hào),隨后對(duì)電信號(hào)進(jìn)行分析或?qū)㈦娦盘?hào)用于觸發(fā)操作。光傳感器有著廣...
近日,天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院的光子芯片實(shí)驗(yàn)室綜述了近年來(lái)硅基波導(dǎo)集成的片上光譜儀的研究成果,論文以“Integrated optical sp...
氧化鎵(Ga2O3)探測(cè)器是一種基于超寬禁帶半導(dǎo)體材料的光電探測(cè)器,主要用于日盲紫外光的探測(cè)。其獨(dú)特的物理化學(xué)特性使其在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的前景。
選擇檢測(cè)器的第一個(gè)方面是定義應(yīng)用程序的參數(shù),這個(gè)方面經(jīng)常被忽略。人們應(yīng)該確定使用檢測(cè)器的波長(zhǎng),以及將入射到設(shè)備上的光功率。通常,這些標(biāo)準(zhǔn)將限制選擇。 圖...
在設(shè)計(jì)探測(cè)器系統(tǒng)時(shí),保持電帶寬盡可能接近所需帶寬至關(guān)重要。也就是說(shuō),如果光信號(hào)以10kHz的頻率變化,那么具有1MHz帶寬的探測(cè)器系統(tǒng)只會(huì)不必要地引入噪...
Si雪崩光電探測(cè)器產(chǎn)品手冊(cè)立即下載
類別:通信網(wǎng)絡(luò) 2024-01-23 標(biāo)簽:光電探測(cè)器 456 0
光電探測(cè)器TLP155E數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-08-04 標(biāo)簽:二極管光電探測(cè)器TLP155E 1.6k 0
基于4H-SiC SAM APD紫外光電探測(cè)器物理模型立即下載
類別:測(cè)試測(cè)量論文 2017-11-03 標(biāo)簽:光電探測(cè)器 1.5k 0
PBPyT基聚合物給體的分子間相互作用調(diào)控與器件性能研究 柔性傳感器在穿戴智能電子、具身智能、生物醫(yī)學(xué)成像等眾多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。基于共軛高分子光...
2026-01-13 標(biāo)簽:光電探測(cè)器 73 0
來(lái)自全球?qū)W術(shù)界與工業(yè)界的專家團(tuán)隊(duì),在新一期《自然·光子學(xué)》雜志上發(fā)表一項(xiàng)具有里程碑意義的共識(shí)聲明,倡議加速研發(fā)基于新興光響應(yīng)材料的新一代光電探測(cè)器,以推...
2025-11-26 標(biāo)簽:光電探測(cè)器 206 0
上海光機(jī)所在鈣鈦礦光電探測(cè)器實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定靈敏輻射探測(cè)方面取得進(jìn)展
圖1. 基于交流電壓法的離子遷移主動(dòng)修復(fù)策略。(a)交流電壓法下的電壓序列;(b)電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下的離子遷移;(c)Au/MAPbBr3/Au器件在直流偏置、...
2025-09-26 標(biāo)簽:光電探測(cè)器 321 0
光電探測(cè)器PMT、APD、CCD、CMos、ICCD、EMCCD
PMT和APD都屬于點(diǎn)探測(cè)器,只能探測(cè)光子信息,可以通過(guò)掃描方式測(cè)光譜。CCD和CMOS屬于線陣或者面探測(cè)器,可以成像。ICCD和EMCCD屬于不同類型...
2025-09-16 標(biāo)簽:光電探測(cè)器 1.5k 0
上海大學(xué)在二維鈣鈦礦光電探測(cè)器領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
圖1.(a)熱調(diào)控示意圖;(b)PL光譜;(c)TRPL mapping圖。 近日,上海大學(xué)材料基因組工程研究院王生浩教授團(tuán)隊(duì)在二維鈣鈦礦光電探測(cè)器領(lǐng)域...
2025-08-12 標(biāo)簽:光電探測(cè)器 873 0
吉時(shí)利 6430 源表在光電探測(cè)器暗電流測(cè)試中的噪聲抑制
一、引言 光電探測(cè)器作為光信號(hào)與電信號(hào)轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件,其性能參數(shù)的準(zhǔn)確測(cè)量對(duì)于光通信、光學(xué)傳感等領(lǐng)域至關(guān)重要。暗電流是光電探測(cè)器的重要性能指標(biāo)之一,它是...
TDK成功研發(fā)出世界首臺(tái)自旋光電探測(cè)器
TDK宣布其已成功研發(fā)出世界首臺(tái)“自旋光電探測(cè)器”,一款集成光、電子和磁性元件的光自旋電子轉(zhuǎn)換元件一通過(guò)利用波長(zhǎng)為800納米的光,將響應(yīng)速度提高至20皮...
鎖相放大器OE1022在新型光電探測(cè)器研究中的應(yīng)用
圖1. (a)nMAG/epi-Si光電探測(cè)器的示意圖,(b-c)nMAG/epi-Si光電探測(cè)器的光譜依賴性 2024年7月,浙江大學(xué)集成電路學(xué)院的徐...
上海光機(jī)所在二維材料偏振光電探測(cè)器研究方面取得進(jìn)展
圖1.在平行和交叉偏振拉曼配置下測(cè)量ReS2 Ag-like模式的峰值強(qiáng)度與偏振角度的關(guān)系。 近期,中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所空天激光技術(shù)與系統(tǒng)部...
光電效應(yīng)是物理學(xué)中的一個(gè)重要現(xiàn)象,它描述了光子與物質(zhì)相互作用導(dǎo)致電子釋放的過(guò)程。在半導(dǎo)體領(lǐng)域,光電效應(yīng)的應(yīng)用極為廣泛,包括太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)器、光電子...
2024-11-25 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體光電效應(yīng) 3.7k 0
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