功率模組OSRG測試什么

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

　　IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電力控制和電力轉換的核心器件，是由 BJT（雙極型晶體管）和 MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有高輸入阻抗，低導通壓降，高速開關特性和低導通狀態損耗等特點，非常適合高電壓和高電流的光伏逆變器、儲能裝置和新能源汽車等電力電子應用。

　　在新能源汽車中，最有提升空間的當屬電機驅動部分，而電機驅動部分最核心的元件 IGBT。從成本來說，IGBT 占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，并且決定了整車的能源效率。為了獲得更高的耐壓，更大的電流和高可靠性，通常會將多個 IGBT 器件級聯成模塊來使用，價格也更加昂貴。

　　對于 IGBT 的下一代 SiC（碳化硅）寬禁帶功率器件來說，具有高轉換效率，高工作頻率，高使用環境溫度。但是目前限制 SiC 應用主要是兩方面，一是價格，其價格是傳統 Si 型 IGBT 的7倍；其次是電磁干擾；SiC 的開關頻率遠高于傳統 Si 型 IGBT，電路回路寄生參數已經大到無法忽略，需要額外注意 EMI 問題。例外 SiC 的產能也非常有限，國外也是剛開始大規模進行6英寸 SiC 晶圓的投產，未來的主要應用還是 IGBT 功率器件。

　　IGBT功率器件主要測試參數：

　　>>> 靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數，相關參數主要有：柵極-發射極漏電流IGES、柵極-發射極閾值電壓VGE（th）、集電極-發射極飽和電壓VCE（sat）、壓降VF、反向擊穿電壓VR、門極-發射極間電壓ICES。

　　面對 IGBT 功率器件高壓、高流的測試要求，西安易恩電氣可以提供EN-3020C IGBT靜態參數測試系統，可實現IGBT、二極管靜態全參數測試。

　　>>> 動態參數是指開關過程中的相關參數，這些參數會隨著開關條件如電壓，工作電流，驅動電壓，驅動電阻等的改變而變化，相關參數有柵極電荷，導通延遲時間、上升時間、關斷延遲時間、下降時間、開通損耗、關斷損耗、反向恢復電流、反向恢復時間以及反向恢復能量、短路特性等。

　　面對 IGBT 功率器件高壓、高流的測試要求，西安易恩電氣可以提供EN-6500A IGBT動態參數測試系統，可實現IGBT、二極管動態全參數測試。

　　>>> 高溫測試功能：

　　IGBT功率器件廣泛應用于眾多產品中，包括重型設備、高鐵和汽車等。顯然，所有這些產品都必須具有極高的可靠性，并且能夠在惡劣的環境條件下正常使用。其高溫工作性能尤為重要，因為設備必須保證能夠在高溫 (器件處于熱輻射設備附近) 下正常使用。

　　EN-3020C和EN-6500A 能夠應對所有這些IGBT功率器件溫度測試挑戰，配套全自動測試夾具，可以實現高溫，常溫測試。