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N64S818HA 串行SRAM存儲器 64 kb 1.8 V

數據:

安森美半導體的串行SRAM系列包括幾個集成的存儲器件,包括這個64 k串行訪問的靜態隨機存取存儲器,內部組織為8 k字乘8位。這些器件采用先進的CMOS技術設計和制造,可提供高速性能和低功耗。這些器件采用單芯片選擇(CS)輸入工作,并使用簡單的串行外設接口(SPI)串行總線。單個數據輸入和數據輸出線與時鐘一起使用以訪問設備內的數據。 N64S818HA器件包含一個HOLD引腳,允許暫停與器件的通信。暫停時,輸入轉換將被忽略。這些器件可在-40°C至+ 85°C的寬溫度范圍內工作,并可提供多種標準封裝產品。
特性
  • 1.7至1.95 V電源范圍
  • 待機電流極低 - 低至200 nA
  • 極低的工作電流 - 低至3 mA
  • 簡單的內存控制:單片機選擇(CS),串行輸入(SI)和串行輸出(SO)
  • 靈活的操作模式:字讀寫,頁面模式(32字頁)和突發模式(完整數組)
  • 8 K x 8位組織
  • 自定時寫周期
  • 內置寫保護(CS高)
  • 用于暫停通訊的HOLD引腳
  • 高可靠性 - 無限制寫周期
  • 符合RoHS標準的封裝 - 綠色SOIC和TSSOP

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數據手冊(1) 相關資料(5)
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