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      NSB9435 PNP雙極數字晶體管（BRT）

      數據：

      該數字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網絡。雙極數字晶體管包含一個單晶體管，其單片偏置網絡由兩個電阻組成;一系列基極電阻和基極 - 發射極電阻。這通過將它們集成到單個設備中來消除這些單獨的組件，并且可以降低系統成本和電路板空間。
      特性
      • 集電極 - 發射極維持電壓 - V CEO（sus） = 30 Vdc（Min）@ I C = 10 mAdc
      • 高直流電流增益-h FE = 125（最小值）@ I C = 0.8 Adc
        = 90（Min）@ I C = 3.0 Adc
      • 低集電極 - 發射極飽和電壓 - V CE（sat ） = 0.275 Vdc（Max）@ I C = 1.2 Adc
        = 0.55 Vdc（Max）@ I C = 3.0 Adc
      • SOT-223表面貼裝包裝
      • ESD等級 - 人體模型：1B級
        - 機器型號：B級
      • 無鉛封裝可用
      • 汽車和O的NSV前綴需要獨特站點和控制變更要求的應用程序; AECQ101
        合格且有PPAP能力

      電路圖、引腳圖和封裝圖




      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（7）
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