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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術>LPC8N04及LPC8N04開發(fā)板主要特性PCB設計圖

LPC8N04及LPC8N04開發(fā)板主要特性PCB設計圖

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NP100N04MDH, NP100N04NDH, NP100N04PDH 數(shù)據(jù)表

NP100N04MDH, NP100N04NDH, NP100N04PDH 數(shù)據(jù)表
2023-09-25 18:30:450

NP100N04MUH, NP100N04NUH, NP100N04PUH 數(shù)據(jù)表

NP100N04MUH, NP100N04NUH, NP100N04PUH 數(shù)據(jù)表
2023-09-25 18:31:030

NP90N04MUH, NP90N04NUH, NP90N04PUH 數(shù)據(jù)表

NP90N04MUH, NP90N04NUH, NP90N04PUH 數(shù)據(jù)表
2023-09-25 18:31:340

特瑞仕推出功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R

特瑞仕半導體株式會社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理:木村 岳史,以下簡稱“特瑞仕”)開發(fā)了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作為功率器件的新系列。
2025-01-13 16:50:451361

探索NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET:設計與應用解析

在電子設備的設計中,功率MOSFET是至關重要的元件,它對設備的性能和效率有著深遠的影響。今天,我們要深入探討的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL單N溝道功率MOSFET,看看它有哪些獨特的特性和優(yōu)勢。
2025-11-28 14:03:45182

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