開關電源適配器芯片12V1ADK112電路圖參考設計高功率


開關電源控制芯片DK112 是次級反饋，反激式 AC-DC 離線式開關電源控制芯片。芯片采

用高集成度的 CMOS 電路設計，具有輸出短路、次級開路、過溫、過壓等保護功能。芯片

內(nèi)置高壓功率管和自供電線路，具有外圍元件極少，變壓器設計簡單（隔離輸出電路的變壓器只需要兩個繞組）等特點。

開關電源控制芯片DK112產(chǎn)品特點

l全電壓輸入 85V—265V。

l內(nèi)置 700V 功率管。

l芯片內(nèi)集成了高壓恒流啟動電路，無需外部啟動電阻。

l專利的自供電技術，無需外部繞組供電。

l待機功耗小于 0.3W。

l65KHz PWM 開關頻率。

l內(nèi)置變頻功能，待機時自動降低工作頻率，在滿足歐洲綠色能源標準（ < 0.3W同時，降

低了輸出電壓的紋波。

內(nèi)置斜坡補償電路，保證在低電壓及大功率輸出時的電路穩(wěn)定。

頻率抖動降低 EMI 濾波成本。

過溫、過流、過壓以及輸出短路，次級開路保護。

4KV 防靜電 ESD 測試。

工作原理

開關電源DK112上電啟動：


芯片內(nèi)置高壓啟動電流源；上電啟動時當 VDD 電壓小于啟動電壓時，打開三極管對外部的?

VDD 儲能電容充電。當 VDD 電壓達到 4.9V 啟動電壓的時候，關閉啟動電流源,啟動過程

結(jié)束，控制邏輯開始輸出 PWM 脈沖。


開關電源DK112軟啟動：

上電啟動結(jié)束后，為防止輸出電壓建立過程可能產(chǎn)生的變壓器磁芯飽和，功率管和次級整

流管應力過大，芯片內(nèi)置 4ms 軟啟動電路，在前 4ms 內(nèi)，最大初級峰值電流為330mA，

時鐘頻率為 65K。啟動結(jié)束后，最大初級峰值電流為 660mA，時鐘頻率為 65K。
DK112 PWM 輸出：
一個 PWM 周期由 3 部分組成：1 是電感充電（開關管開通）階段

開關電源控制芯片DK112應用領域:
12W 以下 AC-DC 應用包括：電源適配器、充電器、LED 電源、電磁爐、空調(diào)、DVD、機頂

盒等家電產(chǎn)品。






供電電壓 VDD ………………………………………… ? -0.3V--8V
供電電流 VDD ………………………………………… ? ?100mA
引腳電壓 ? …………………………………………… ?-0.3V--VDD+0.3V
功率管耐壓 ?………………………………………… ?-0.3V--730V
峰值電流
……………………………………………………………… ?800mA
總耗散功率
……………………………………………………………
1000mW
工作溫度 ?…………………………………………
-25°C--+125°C
-55°C--+150°C
+280°C/5S
儲存溫度 ?…………………………………………………
焊接溫度
…………………………………………………………………
上電啟動：
芯片內(nèi)置高壓啟動電流源；上電啟動時當VDD電壓小于啟動電壓時，打開三極管對
外部的VDD儲能電容充電。當VDD電壓達到4.9V啟動電壓的時候，關閉啟動電流源,啟
動過程結(jié)束，控制邏輯開始輸出PWM脈沖。


軟啟動：
上電啟動結(jié)束后，為防止輸出電壓建立過程可能產(chǎn)生的變壓器磁芯飽和，功率管和
次級整流管應力過大，芯片內(nèi)置4ms軟啟動電路，在前4ms內(nèi)，最大初級峰值電流為
330mA，時鐘頻率為65K。啟動結(jié)束后，最大初級峰值電流為660mA，時鐘頻率為65K。

B檢測和反饋控制：
Fb引腳外部連接一只電容，以平滑F(xiàn)b電壓，外接電容會影響到電路的反饋瞬態(tài)特
性及電路的穩(wěn)定工作，典型應用可在1nF～10nF之間選擇；
當Fb電壓低于1.6V,最大Ip電流為660mA；
當Fb電壓從1.6V逐漸上升到2.8V時，Ip電流從最大電流660mA逐漸減小到

當Fb電壓高于1.6V到2.8V,工作頻率固定為65kHz。
當Fb電壓從2.8V到3.6V時，隨FB電壓升高工作頻率逐漸降低。
當Fb電壓大于3.6V時，電路將停止PWM輸出。