導致損耗，最終會增加電力輸送基礎設施的資本成本 [3]。中壓交流電代替低壓交流電 LV AC，已被用作數據中心的配電電壓，因為它適用于 UPS 應用 [1][3][4]。圖 1 清楚地顯示了 MV UPS 的結構。圖 2 描述了在五電平拓撲中使用的整流器。請訪問此頁面以
2021-06-14 03:53:00
3525 
碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規模生產，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:023024 
PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點闡述碳化硅肖特基二極管作為續流二極管的混合碳化硅分立器件(后文簡稱為混管)的特性與優點。
2023-09-22 10:26:251008 
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
2025-03-12 11:31:09897 
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗?！ 〉?b class="flag-6" style="color: red">硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間，能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
?！ 」β拾雽w就是這樣。在首度商業化時，碳化硅的創新性和較新的顛覆性技術必然很昂貴，盡管認識到了與硅基產品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優勢，大多數工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
反向恢復電流，其關斷過程很快，開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對于傳統的MOSFET，它的導通狀態電阻很大，開關損耗很大，額定工作結溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續穩定的線路板；在引擎室中，由于高溫環境和LED 燈源的散熱要求，現有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。 在設計功率轉換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優點，在相同的功率等級下，設備中功率器件的數量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小，同時效率也有大幅度的提升。我國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求?！ ∠噍^于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在這些環境中，傳統的硅基電子設備無法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運行的能力將提高各種系統和應用的性能，包括飛機、車輛、通信設備和航天器。今天，SiC MOSFET是長期可靠的功率器件。未來，預計多芯片電源或混合模塊將在SiC領域發揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導體有限公司投資，創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現相比硅元器件更高的工作溫度，實現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結合，可提供最佳的性價比。混合碳化硅結合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
的效率也會更高。當客戶選擇碳化硅MOSFET為主開關管后，通常也會愿意多花額外的成本將工頻整流二極管D3和D4換成普通的低導通電阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低整流器件的導通損耗
2023-02-28 16:48:24
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續使用內部體二極管的連續導通模式（CCM）功率因數校正（PFC）設計，例如圖騰功率因數校正器的硬開關拓撲中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
特點, 高壓輸入隔離DC/DC變換器的拓撲可以得到簡化（從原來的三電平簡化為傳統全橋拓撲）。碳化硅MOSFET在軟開關橋式上具有以下明顯的優勢:高阻斷電壓可以簡化拓撲設計,電路從復雜三電平變為兩電平全
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
如何設計單向橋式全控整流器？求大佬解答
2023-02-28 11:04:30
，工作結溫可達175℃，與傳統硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶有效縮短產品開發周期，提高工作效率?！ ‘a品特點 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
的發展趨勢，對 SiC 器件封裝技術進行歸納和展望。近20多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。與硅相比，碳化硅具有很多優點，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
求一個五電平整流器
2021-10-04 09:42:29
直流快充，三相交流輸入需要經過三相PFC整流輸出電壓為800V，因此后級隔離采用如圖6左所示復雜三電平硅方案，碳化硅MOSFET可以使電路從復雜三電平變為兩電平全橋電路[2]，減小開關器件數量；(2
2016-08-25 14:39:53
管子開關影響?！ ?）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應用開關頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
，同時在正向電壓也減少，耐壓也大大超過200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優勢。在開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用
2017-05-06 11:32:45
54 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面
2019-12-09 13:58:0225337 
，基本半導體總經理和巍巍博士發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產品布局進一步完善，產品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產業進一步發展?；景雽w的碳化硅
2021-11-29 14:54:089428 
電力電子器件中的分立整流器是決定性組件，影響著電動汽車中的“車載充電器”等重要單元的效率、可靠性和尺寸。近年來，碳化硅 （SiC） 肖特基二極管已成為電力電子領域最先進的整流器技術。然而，碳化硅整流器
2022-08-05 08:04:471450 
碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:001067 對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，屬于第三代半導體材料，其禁帶寬度高達3.0eV，相比第一代半導體材料硅，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:093880 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165682 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355707 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質。事實上，碳化物最初是從隕石的碎片中發現的。其獨特的性能非常有前途，以至于今天，我們合成了用于碳化硅功率產品的硬質合金。
2023-05-20 17:00:091468 讀者的持續關注。 一、簡介 二、碳化硅功率器件產業鏈 三、碳化硅功率器件產業鏈上游 四、碳化硅功率器件設計 五、碳化硅功率器件制造 六、碳化硅功率器件的應用與市場 01 | 碳化硅功率器件的應用 目前市場上常見的碳化硅功率器
2023-05-31 09:43:201105 MOSFET相比傳統的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:152612 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料，具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩定性好等優良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成，碳化硅由結構單元SiC構成，每個SiC結構單元都由一個硅原子和一個
2023-06-05 12:48:354068 11.2.1工頻相控整流器和逆變器11.2基本的功率變換電路第11章碳化硅器件在電力系統中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代
2022-04-16 10:19:29611 
11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：器件主控：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:511402 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453686 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 柵雙極晶體管）和碳化硅器件所使用的半導體材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的則是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半導體材料，具有一定的電性能和可靠性，但是它的熱穩定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的熱穩定性非常好，具有更高的耐溫性能，能夠承受更高的工作溫度和電壓。
2023-08-25 14:50:0421116 ? 隨著新能源汽車的快速發展，碳化硅功率器件在新能源汽車領域中的應用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關速度和更小的尺寸等優點，因此在新能源
2023-09-05 09:04:423465 碳化硅MOS管是以碳化硅半導體材料為基礎的金屬氧化物半導體場效應管，與傳統的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應用等方面的區別。
2023-09-27 14:49:054098 
中游器件制造環節，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現。
2023-10-27 12:45:366818 
寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現的高功率應用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優勢。
2023-10-30 14:11:066257 
Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應用生產新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:261284 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:332699 
碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統的硅基功率器件具有許多優勢，主要體現在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰，但
2023-12-21 11:27:091237 SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。
2024-01-09 09:41:312171 材料的生長和加工難度較大，其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產業發展的關鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面： 注入摻雜 在碳化硅中，碳硅鍵能較高，雜質原子難以在其中擴散。因此，在制備碳化硅器件時
2024-01-11 17:33:141646 
以下是關于碳化硅晶圓和硅晶圓的區別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有比硅（Si）更高的熱導率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應用中具有優勢
2024-08-08 10:13:174708 1.碳化硅和晶體硅的熔點比較，碳化硅的熔點更高。 具體來說，碳化硅的熔點大于2700℃，并且其沸點高于3500℃。而晶體硅的熔點則為1410℃（也有資料顯示為1420℃，但差異不大），沸點為2355
2024-08-08 10:15:405237 碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優點、應用領域及其發展前景。
2024-09-11 10:44:301738 
碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優點，使其在高效能、高頻率和高溫環境下的應用中具有明顯的優勢。本文將探討碳化硅功率器件的原理、優勢、應用及其未來的發展前景。
2024-09-13 11:00:371835 
隨著電力電子設備向高壓、高頻、高溫環境快速演進，傳統硅基整流橋已難以滿足嚴苛的性能需求。作為國內領先的功率器件供應商，廣東佳訊電子有限責任公司憑借自主研發的碳化硅整流橋與碳化硅軟橋技術，成功突破材料與工藝瓶頸，為工業電源、新能源、航空航天等領域提供高效可靠的解決方案。
2025-04-24 17:07:19844 
傾佳電子維也納整流器技術深度解析：起源、演進與SiC碳化硅MOSFET應用 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備
2025-08-24 18:08:54974 
碳化硅是第三代半導體典型材料，相比之前的硅材料，碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優勢，在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩定，哪怕是在超過300℃的高溫環境下，打破了傳統材料下器件的參數瓶頸，直接促進了新能源等產業的升級。
2025-08-27 16:17:431260 
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圖 1：中壓 UPS 結構
圖 3：(a) 顯示了傳統的 5-L ANPC，(b) 顯示了單向整流器。
表 1：整流器模式
表 2：模擬和原型規格
圖 4：FFT 分析
圖 5：配電功率損耗
圖 6：原型。
圖 7：來自建議整流器的波形
圖 8：不同負載下的響應
工商網監
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