ADuM4221產(chǎn)品詳情
所述ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2是4所述的分離的,即采用模擬器件公司,半橋柵極驅(qū)動(dòng)器我耦合器?技術(shù)提供獨(dú)立并分離的高側(cè)和低側(cè)輸出。ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2在爬電寬度增加的16引腳SOIC_IC寬體中提供5700 V rms隔離。這些隔離組件將高速CMOS和單片變壓器技術(shù)相結(jié)合,具有優(yōu)于其他選擇的出色性能,例如脈沖變壓器和柵極驅(qū)動(dòng)器的組合。
隔離器的邏輯輸入電壓范圍為2.5 V至6.5 V,與低壓系統(tǒng)兼容。與采用高壓電平轉(zhuǎn)換方法的柵極驅(qū)動(dòng)器相比,ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2在輸入和每個(gè)輸出之間提供真正的電氣隔離。
均內(nèi)置重疊保護(hù),并允許調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間。死區(qū)時(shí)間引腳(DT)和GND 1引腳之間的單個(gè)電阻設(shè)置了高側(cè)和低側(cè)輸出之間的次級(jí)側(cè)的空載時(shí)間。
如果ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2的內(nèi)部溫度超過(guò)TSD溫度,則內(nèi)部熱關(guān)斷(TSD)會(huì)將輸出設(shè)置為低電平。結(jié)果,ADuM4221 / ADuM4221-1 / ADuM4221-2可在很大范圍的正負(fù)范圍內(nèi)可靠控制絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)/金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)配置的開(kāi)關(guān)特性開(kāi)關(guān)電壓。
ADuM4221應(yīng)用領(lǐng)域
隔離式IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
工業(yè)變頻器
兼容氮化鎵(GaN)/碳化硅(SiC)

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評(píng)論