本發明涉及一種半導體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預定濃度的EDTA等絡合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質。
2022-04-08 13:59:22
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的垂直GaN HEMT功率器件技術。 ? 致能半導體全球首次在硅襯底上實現了垂直的GaN/AlGaN結構生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎，致能實現了全球首個具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和全球首個垂直常關器件(E-mode HEMT)。通過去除生長用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004784 
GaN技術的出現讓業界放棄TWT放大器，轉而使用GaN放大器作為許多系統的輸出級。這些系統中的驅動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術已經大量部署并且始終在改進。下一步，我們將尋求如何使用電路設計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
GaN功率集成電路技術:過去，現在和未來
2023-06-21 07:19:58
都應通過這樣的測試。依我看，JEDEC制定的標準應該涵蓋這類測試。您說呢？” 客戶的質疑是對的。為使GaN被廣泛使用，其可靠性需要在預期應用中得到證明，而不是僅僅通過硅材料配方合格認證（silicon
2018-09-10 14:48:19
半導體材料可實現比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
領域的熱點。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導體材料的核心技術之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強大、電子飽和速度高等優勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關速度快、寄生參數低等優良特性
2023-06-25 15:59:21
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
采用諧振電感與變壓器磁集成設計，配合GaN高頻特性，進一步壓縮體積。例如，戴爾130W GaN電源通過類似技術實現體積僅120cm3，功率密度突破5W/cm3（約82W/in3），而Leadway
2025-10-22 09:09:58
%。例如，Neway模塊通過磁集成技術減少電感數量，部分抵消材料成本上升。封裝材料：為適應高頻、高溫環境，需采用高導熱硅脂、耐高溫塑料等，成本較普通材料高15%-25%。制造工藝成本設備投資：GaN器件制造
2025-12-25 09:12:32
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應用在同等的電壓
2018-09-11 14:04:25
的較低電容可通過最大限度地減小寄生振鈴并優化轉換次數來將失真降到最低，從而有助于盡可能地較少噪聲。在數據中心和服務器中，GaN減少了為云端供電的電源損耗。此外，GaN在縮小電源解決方案尺寸方面所具有的功能
2018-09-10 15:02:53
%)也被廣泛研究，基于InGaN/GaN量子結構的發光二極管(LED)應用已在2014年獲得諾貝爾獎，此類研究對于建立材料中雜質的光學指紋也非常有用，有助于表征與器件結構的生長有關。不同的生長技術
2021-07-08 13:08:32
) 和激光二極管 (LD)，并改進 III 族氮化物器件通過實現 III 族氮化物器件薄膜的同質外延生長，顯著提高了性能。塊狀 GaN 單晶可以通過高壓溶液生長 (HPGS) 生長，氫化物氣相外延
2021-07-07 10:26:01
/index.html摘要：氮化鎵 (GaN) 納米線 (NW) 的器件近年來引起了很多興趣。超薄 GaN NW 可用于制造許多用于未來通信和加密系統的新型器件，例如單光子發射器 (SPE)。傳統的生長技術在可制造性
2021-07-08 13:11:24
面，其均方根粗糙度在藍寶石襯底上生長的 GaN 的 16 nm 和尖晶石襯底上生長的 GaN 的 0.3 nm 之間變化。 雖然已經發現基于 KOH 的溶液可以蝕刻 AlN 和 InAlN，但之前沒有
2021-07-07 10:24:07
電源開關的能力是 GaN 電源 IC 的一大優勢，例如圖 1(a) 。由于GaN層可以在不同的襯底上生長，早期的工作中采用了一些絕緣材料，如藍寶石和碳化硅。然而，從早期的努力中可以明顯看出
2021-07-06 09:38:20
的環節。主要功能是用模擬實現現實中的控制系統，即通過PC機終端控制網絡中的設備動作，使人們不用探討和理解協議的許多細節，快速創建了更好的集成環境，減少復雜性，允許非專業人員完成對植物生長箱的控制和操作
2015-11-02 10:47:44
的環節。主要功能是用模擬實現現實中的控制系統，即通過PC機終端控制網絡中的設備動作，使人們不用探討和理解協議的許多細節，快速創建了更好的集成環境，減少復雜性，允許非專業人員完成對植物生長箱的控制和操作
2015-11-06 09:46:34
半導體器件需要高度完美的晶體。但是即使使用了最成熟的技術，完美的晶體還是得不到的。不完美，就稱為晶體缺陷，會產生不均勻的二氧化硅膜生長、差的外延膜沉積、晶圓里不均勻的摻雜層，以及其他問題而導致工藝
2018-07-04 16:46:41
達到這個要求。而基片集成波導(SIW)技術為設計這種濾波器提供了一種很好的選擇。SIW的雙膜諧振器具有一對簡并模式，可以通過對諧振器加入微擾單元來使這兩個簡并模式分離，因此，經過擾動后的諧振器可以看作一
2019-07-03 07:08:15
認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現出色！帥呆了！至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN之間有什么區別？
2019-07-31 07:54:41
方形，通過兩個晶格常數（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
為何要用GaN技術來實現5G通信？
2020-12-29 07:30:12
晶體管（B）中的氮化物材料由外延片供應商IQE通過將200 mm的 p型硅片裝入MOCVD室生長得到。 圖3. （a）ITO和AlGaN/GaN異質結的能帶圖，在AlGaN/GaN異質結的界面處
2020-11-27 16:30:52
什么是OSP膜？如何去分析新一代耐高溫OSP膜的相關耐熱特性？經過測試，OSP膜有什么優點？
2021-04-22 07:32:25
改變，從而影響錫須的生長速度。本文討論在電子設備工程聯合委員會（JEDEC）推薦的三個測試條件下進行的測試。在一定程度上，這些測試代表一些常見的實地應用條件。在測試結果的基礎上研制減輕錫須生長的技術
2015-03-13 13:36:02
。LMG1210具有可調節的死區時間控制，可最大程度地減少第三象限損耗。請參見TI白皮書：使用LMG1210 GaN驅動器通過空載時間控制來優化效率。TI 在這些設計中使用了高效功率轉換 eGaN功率器件。
2019-11-11 15:48:09
Qorvo 密切關注著新興的5G 標準。令人興奮的是，5G 可能包括適用于高數據帶寬連接的毫米波(mmW) 功能。隨著PC 電路板空間日益緊湊且5G 環境中的頻率越來越高，氮化鎵(GaN) 技術對于
2017-07-28 19:38:38
【作者】：張俊兵;林岳明;范玉佩;王書昶;曾祥華;【來源】：《光電子.激光》2010年03期【摘要】：采用抗刻蝕性光刻膠作為掩膜,并利用光刻技術制作周期性結構,進行ICP干法刻蝕C面(0001
2010-04-22 11:32:16
和電機控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應用場合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅動器件成功的關鍵并介紹了減小柵極驅動環耦合噪聲技術。
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
的頻率交換意味著GaN可以一次轉換更大范圍的功率，減少復雜裝置中的功率變換。由于每次功率變換都會產生新的能耗，這對于很多高壓應用都是一項顯著的優勢。當然，一項已經持續發展60年的技術不會一夜之間被取代
2019-03-01 09:52:45
太陽膜測試儀的技術原理和應用場景可以詳細闡述如下：技術原理太陽膜測試儀的技術原理主要基于光學測量和物理定律。具體來說，它通過模擬太陽光中的各種波長（主要是紫外線、可見光和紅外線）的輻射，來檢測太陽膜
2024-09-29 14:18:58
作為一項相對較新的技術，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術和思路與其他半導體技術不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優勢，這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
GaN技術實現快速充電系統
2023-06-19 06:20:57
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統，因為頻率越高，氮化鎵的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
以及免執照5GHz頻譜的使用等。 這些短期和中期擴容技術以及最終的5G網絡將要求采用能提供更高功率輸出和功效且支持寬帶運行和高頻頻段的基站功率放大器 (PA)。 GaN on SiC的前景 歷史上
2018-12-05 15:18:26
應用干膜防焊膜的步驟不看肯定后悔
2021-04-25 08:42:47
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
，具有（歐姆）漏極和源極接觸，凹陷的p-GaN柵極（歐姆接觸）和連接到漏極的p-GaN“柵極”結構。出于成本原因，晶體管通過MOCVD工藝生長在6英寸硅晶片的頂部。為了減小由Si和GaN的不匹配晶格
2023-02-27 15:53:50
InGaN/GaN多量子阱、如何減少內部光損耗以及如何增加空穴注入效率？ InGaN/GaN多量子阱作為GaN基激光器的有源區，其生長質量對于激光器性能十分重要。隨著激射波長的增大，InGaN量子阱中
2020-11-27 16:32:53
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體，如果不妥，請聯系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
同等的功率。由此便可以提高功率密度，幫助客戶在不增大設計空間的同時滿足更高的功率要求。更高的頻率交換意味著GaN可以一次轉換更大范圍的功率，減少復雜裝置中的功率變換。由于每次功率變換都會產生新的能耗
2020-10-27 10:11:29
印刷能得到很好的覆蓋性，這為高密度的精細線條PCB的加工提供條件。通過表一可以說明濕膜的附著力： 濕膜與基材的接觸性、覆蓋性好，又采用底片接觸式曝光，縮短了光程，減少了光的能損失、光散射引起的誤差
2018-08-29 10:20:48
請問一下GaN器件和AMO技術能實現高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiC基GaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34
透明導電膜玻璃是指在平板玻璃表面通過物理或化學鍍膜方法均勻的鍍上一層透明的導電氧化物薄膜而形成的組件。對于薄膜太陽能電池來說，由于中間半導體層幾乎沒有橫向導電性能，因此必須使用透明導電膜玻璃有效收集
2019-10-29 09:00:52
采用電子輔助化學氣相沉積法(EA-CVD)制備摻氮金剛石薄膜，研究了不同氮氣流量對金剛石膜的生長速率、表面形貌和膜品質的影響。實驗發現，在較低的氮氣流量下，金剛石膜的生
2009-05-16 01:48:49
23 采用EA-CVD(Electron Assisted Chemical Vapor Deposition)方法制備金剛石厚膜，在反應氣體（CH4+H2）中添加乙醇，在保持其它條件不變的情況下研究了不同乙醇流量對金剛石膜生長的影響。利
2009-05-16 01:53:3722 N型雜質/P型雜質,N型雜質/P型雜質是什么意思
半導體的導電能力取決于他們的純度。完全純凈或本征半導體的導電能力很低，因為他們只含有很少的
2010-03-04 11:52:3314240 意大利一家羅勒（一種香草，用于調味）種植商選擇用LED取代高壓鈉燈，發現可以促進植物生長，同時減少農場的能源消耗。
2018-05-30 15:03:001788 
Felix Ejeckam于2003年發明了金剛石上的GaN，以有效地從GaN晶體管中最熱的位置提取熱量。其基本理念是利用較冷的GaN放大器使系統更節能，減少浪費。金剛石上的GaN晶片是通過GaN
2018-07-26 17:50:4816140 在本征半導體中摻入微量雜質形成雜質半導體后, 其導電性能將發生顯著變化。按摻入雜質的不同,雜質半導體可分為 N 型半導體和 P 型半導體。 1. N 型半導體 如果在本征半導體硅(或鍺) 中摻入
2018-10-23 14:52:0640541 Vapour Deposition，簡稱“RPCVD”）p-GaN技術以發展高性能Micro LED顯示器原型。
2019-05-14 17:58:086606 澳大利亞半導體技術開發商BluGlass致力于在全球LED、Micro LED以及電子電力行業推動其突破性遠程等離子化學氣相沉積（Remote Plasma Chemical Vapour Deposition，簡稱“RPCVD”）半導體技術的商業化。
2020-04-15 10:12:02765 知名市場分析機構 Yole Développement（Yole）在其報告中表示，在過去的幾年中，射頻（RF）應用由于 GaN 技術的實施而得到了推動。但 GaN RF 市場的主要驅動力仍然是電信
2020-09-17 17:10:301422 
，最優質的單晶GaN是通過幾種需要昂貴的一次性碳化硅（SiC）襯底的外延工藝生長而成的，這限制了其在包括消費電子產品在內的更廣泛市場中的商業化。IBM TJ Watson研究中心科學家最近的一項發現可能會在稱為直接范德華外延的單晶GaN薄膜生長過程中改變所有這些
2021-04-04 06:17:002050 
雜質度過濾機【恒美 HM-ZZ】由恒美乳品雜質度過濾機廠家專業生產提供牛奶雜質度過濾機技術服務，致力于雜質度過濾機【恒美 HM-ZZ】的研發與設計，質量可靠，【恒美儀器】專業打造乳品雜質度過濾儀，乳制品雜質度過濾機等大類產品，儀器操作簡便，檢測項目種類齊全，一站式的銷售服務，歡迎來電咨詢！
2021-08-27 10:36:12623 作為用于高壽命藍色LD (半導體激光器)、高亮度藍色LED (發光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進行生長制造出了變位低的自立型GaN單晶晶片。GaN
2022-04-15 14:50:001260 
而此次他們通過實驗證明，該技術同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進行減薄，該技術可顯著降低 GaN 襯底的消耗。
2022-05-12 10:45:555785 近年來智能快充市場爆火，GaN給智能快充領域帶來不少新機會，同時也進入多個新應用場景。如何通過GaN更好地發展智能快充成為行業內廣大廠商面臨的重大挑戰。
2022-07-14 14:44:101624 MasterGaN 將硅與 GaN 相結合，以加速創建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達 400 W 的消費和工業應用。通過使用 GaN 技術，新設備可以處理更多功率，同時優化其效率。ST 強調了將 GaN 與驅動器集成如何簡化設計并提供更高水平的性能。
2022-07-27 08:03:00890 
和通過/失敗標準，以確保系統可靠性并加速市場發展。Witham 補充說，行業聯盟正在努力克服差異——具有不同技術的供應商和具有不同商業利益的供應商——一些擁有硅和 GaN，一些只有 GaN，其他一些擁有硅、碳化硅和 GaN。
2022-08-05 08:05:031949 
氮化鎵 (GaN) 開關技術推動了充電器和適配器的小型化。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開發可以在高開關頻率下運行的轉換器。GaN 減小了變壓器尺寸，提供了顯著提高系統效率的解決方案，減少或消除了對散熱器的需求。通過使用基于 GaN 的晶體管和 IC，設計人員一直在生產小型充電器。
2022-08-05 09:57:451237 
與此同時，總部位于澳大利亞的BluGlass正在開發一種稱為遠程等離子體化學氣相沉積（RPCVD）的新型沉積技術，其不同于金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）和分子束外延（MBE）——這兩種技術更常用于生產VCSEL。
2022-12-12 15:24:391154 襯底上實現高質量的外延生長GaN基材料。GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學反應實現的，生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。
2023-06-10 09:43:442359 HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:321206 近日，由深圳大學和深圳信息職業技術學院組成的科研團隊，研發出了“基于全HVPE生長、具有創紀錄的高品質優值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管“，并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10:352904 
附錄A4H-SiC中的不完全雜質電離附錄《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：器件主控：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產
2022-05-09 17:24:361204 
”∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.3.1.2雜質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生
2022-01-06 09:38:251176 
5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.1.2雜質∈《碳化硅
2022-01-06 09:37:401229 5.3.1.2雜質5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術
2022-01-06 09:30:231098 GaN半導體產業鏈各環節為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產業鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:312650 
HVPE主要是利用生長過程中的化學反應，如歧化反應、化學還原反應以及熱分解反應等實現外延晶體薄膜的制備，具有生長溫度高、源爐通氣量大、生長速率大的特點，一般用來制備厚膜以及自支撐襯底，如GaN、AlN等。
2023-10-22 10:41:088586 
深入了解 GaN 技術
2023-12-06 17:28:547703 
GaN 技術的過去和現在
2023-12-06 18:21:001229 
12月11日，外媒消息，韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯合開發了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術研究團隊生長出了LED微型陣列
2023-12-13 16:06:031313 
報告內容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58903 
外媒消息，韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯合開發了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術研究團隊生長出了LED微型陣列，并稱作微盤陣列（Microdisks arrays）。
2023-12-18 10:07:151686 來源：Semiconductor Today 澳大利亞Silverwater的BluGlass Ltd基于其專有的低溫、低氫遠程等離子體化學氣相沉積(RPCVD)技術開發和制造氮化鎵(GaN)藍色
2024-01-17 14:59:13768 ，以提供良好的熱導性和機械強度。 1.2 緩沖層：在襯底上生長一層AlN或AlGaN緩沖層，以減少晶格失配
2024-07-14 11:39:364189 電子發燒友網站提供《通過使用集成GaN技術實現小尺寸交流/直流適配器.pdf》資料免費下載
2024-08-31 10:07:100 。 ? 1 摻雜對晶格硬度變化影響 在晶體系統中，摻雜是一種常見的技術手段，通過向晶格中添加雜質原子，可以改變晶體的機械性能。這種現象在金屬和半導體材料中尤為普遍。摻雜不僅會引起晶體中的應力變化，還會影響位錯的移動和滑移
2024-12-30 11:40:561366 ，金剛石近結散熱技術應運而生，成為提升 GaN 器件散熱能力的有效解決方案。以下將詳細介紹該技術的三種主要途徑及其優勢與挑戰。 ? 金剛石襯底鍵合集成散熱技術 源于美國 DARPA 于 2012 年牽引的 NJTT 項目，眾多國際研發機構投身其中。其
2025-01-16 11:41:411729 
在傳統橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實現更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統設計。
2025-12-04 09:28:281699 
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