外媒消息，韓國首爾國立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團隊聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術(shù)研究團隊生長出了LED微型陣列，并稱作微盤陣列（Microdisks arrays）。

實驗結(jié)果表明，微盤陣列表現(xiàn)出了優(yōu)異的結(jié)晶度，并可發(fā)出平面內(nèi)方向一致且亮度較強的藍光。

據(jù)悉，研究人員使用金屬有機氣相外延技術(shù)在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長GaN微盤。然后將微盤加工成Micro LED，并成功轉(zhuǎn)移到可彎曲基板上。這項研究表明，可通過石墨烯上生長出高質(zhì)量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設(shè)備中。

值得注意的是，首爾國立大學(xué)的研究團隊近年正在深入進行Micro LED技術(shù)的研究，并通過與韓國知名顯示企業(yè)之間的合作，陸續(xù)開發(fā)出先進的Micro LED制造技術(shù)。

就在今年的7月，首爾國立大學(xué)與LG電子的科學(xué)團隊在《自然》（nature）雜志上發(fā)表了一種稱作流體自組裝(FSA)的巨量轉(zhuǎn)移新技術(shù)，通過搖晃運動的方式將Micro LED芯片定位并粘合在基板上。

實驗結(jié)果顯示，通過應(yīng)用FSA技術(shù)，可在60秒的時間內(nèi)組裝一個具有超19,000 個Micro LED芯片的兩英寸藍光面板。若仔細控制液體的粘度，該轉(zhuǎn)移技術(shù)還可實現(xiàn)高達99.9%的Micro LED組裝良率。

這項巨量轉(zhuǎn)移新技術(shù)可大幅縮減Micro LED顯示產(chǎn)品的制作時間與成本。該技術(shù)有望在未來5年應(yīng)用在Micro LED智能手機、平板電腦、智能手表和增強現(xiàn)實設(shè)備等顯示產(chǎn)品的生產(chǎn)中。

除此之外，在2020年，首爾國立大學(xué)團隊還成功在100nm的藍寶石納米薄膜上生長出Micro LED陣列。研究團隊設(shè)計出一種藍寶石納米薄膜陣列，用于生長尺寸為4μm×16μm的Micro LED陣列。這種方法無需經(jīng)過等離子蝕刻工藝就能夠?qū)崿F(xiàn)Micro LED芯片的單片化，提供更高的外量子效率（EQE）。

來源：LEDinside

審核編輯：劉清