igbt和mos管怎么區分

　　一說到開關，大家都不陌生，如我們家里的燈開關、家用電器的開關等，這些開關都是可以用手控制的，按一下就開，按一下又關。

　　然而，在電子電路中，本來各種電子元器件就很小，要再裝一個手控的開關就會占用很大空間。另外，電子電路經常涉及到高頻信號，也就是說，開關通斷的切換速度要非常快，手控就更不現實了，那該怎么辦呢？答案就在于開關管！

　　所謂開關管，其實就是各種半導體器件，如二極管、三極管、場效應管、晶閘管和IGBT等，這些半導體器件都可用作電子開關，控制電路的導通和關斷。其中場效應管（本文均指MOS管）和IGBT都是全控型開關管，換言之，IGBT和MOS管在電路中的導通和關斷都是可以用觸發信號控制的。那這IGBT和MOS管有沒有區別呢？顯然是有的。

　　MOS管和IGBT都是常見的開關管，常用在開關電源、變頻器、電動汽車等的電路板中。IGBT和MOS管的特性很相似，驅動方法也基本相同，絕大多數場合它們都是作為電子開關來使用。

　　從管腳來看，IGBT的3個管腳（正面）依次為柵極、集電極和發射極，MOS管的3個管腳（正面）依次為柵極、漏極和源極。從柵極管腳上可以看出，IGBT和MOS管都屬于絕緣柵型管，而IGBT的另2個管腳“集電極和發射極”顯然和三極管的管腳相同。

　　綜上，我們不難發現，IGBT其實就是MOS管和三級管的復合體，所以稱為絕緣柵雙極型晶體管，又稱場效應三極管。IGBT充分利用了場效應管和三極管的優點，具有高電壓、高輸入阻抗、熱穩定性好、電壓驅動型、大電流等優點。

　　MOS管與IGBT的特點

　　我們知道MOS管和IGBT管都是電壓型控制器件，它們的輸入電阻都很高，所以柵極電流都很小，其驅動功率都小，驅動電路可以做的很簡單。不同的是對于場效應（MOS）管來說，有的MOS管它的漏極D和源極S可以互換使用，在使用上比較靈活，而絕緣柵雙極晶體管IGBT從制作結構來說要比MOS管復雜一些，從等效圖可以看出，它可以等效一個由PNP三極管和增強型NMOS管組合而成的功率晶體管，如下圖所示。

　　從使用實效上來看，IGBT在使用上有著更突出的優點，比如IGBT在導通工作時它的導通電流密度大，因為從等效電路看，它的主電路類似三極管，工作電流為集電極電流IC，它的工作電流一般是MOS管的數十倍，因此在電磁爐主電路和變頻器主電路種常會用到IGBT管；第二個優點是，當IGBT導通工作后，它的導通電阻很低，在一定的芯片面積和電壓下，IGBT的導通電阻只有MOS管的十分之一；因此可以通過高電壓和大電流，比如在有的變頻器上所用的IGBT可以承受上千伏的電壓和上千安培的電流。