IGBT模塊上下橋怎么區分

　　igbt模塊為什么做成上下橋在一起？因為IGBT在工作時由于他和整流橋的電流很大發熱量也非常大所以需要裝在一塊大的散熱片上來為它散熱，降低它的溫度。

　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅動功率小和飽和壓降低等。

　　IGBT模塊是由IGBT與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。

　　IGBT是能源轉換與傳輸的核心器件，是電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術。

　　IGBT模塊的使用

　　1 ．防止靜電 IGBT 是靜電敏感器件，為了防止器件受靜電危害，應注意以下兩點：

　　① IGBT 模塊驅動端子上的黑色海綿是防靜電材料，用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線；在無防靜電措施時，不要用手觸摸驅動端子。

　　② 驅動端子需要焊接時，設備或電烙鐵一定要接地。

　　2 ．選擇和使用

　　① 請在產品的最大額定值（電壓、電流、溫度等）范圍內使用，一旦超出最大額定值，可能損壞產品，特別是 IGBT 外加超出 Vces 的電壓時可能發生雪崩擊穿現象從而使元件損壞，請務必在 Vces 的額定值范圍內使用！工作使用頻率愈高 , 工作電流愈小；源于可靠性的原因，必須考慮安全系數。如果使用前需要測試請務必使用適當的測試設備，以免測試損壞。

　　② 驅動電路：要確保在模塊的驅動端子上的驅動電壓和波形達到驅動要求； 柵極電阻 Rg 與 IGBT 的開通和關斷特性密切相關，減小 Rg 值開關損耗減少，下降時間減少，關斷脈沖電壓增加；反之，柵極電阻 Rg 值增加時，會增加開關損耗，影響開關頻率；應根據浪涌電壓和開關損耗間最佳折衷 ( 與頻率有關 ) 選擇合適的 Rg 值，一般選為 5 Ω至 100 Ω之間。

　　③ 保護電路： IGBT 模塊使用在高頻時布線電感容易產生尖峰電壓，必須注意減少布線電感和元件的配置，應注意以下保護項目：過電流保護、過電壓保護、柵極過壓及欠壓保護、安全工作區、過溫保護。

　　④ 吸收電路： 由于 IGBT 開關速度快，容易產生浪涌電壓，必須設有浪涌鉗位電路。

　　⑤ 并聯使用： 應考慮柵極電路、線路布線、電流不平衡和器件之間的溫度不平衡等問題。

　　⑥ 使用時請避開產生腐蝕氣體和嚴重塵埃的場所。