1.EMI（電磁干擾）

　　無線電波和高頻電磁波沖擊電子設(shè)備，以及施加影響的電磁波。

　　導(dǎo)電噪聲：通過電纜和電路板布線傳輸?shù)脑肼?/p>

　　》差分（正常）模式噪聲：與電源線之間的電流方向相同的

　　噪聲》共模噪聲：通過雜散電容等的噪聲金屬外殼

　　等返回信號源-

　　輻射噪聲：通過空氣發(fā)出的噪聲

　　2·EMS（電磁敏感性）

　　即使存在

　　電磁波干擾和干擾（EMI：導(dǎo)電噪聲和輻射噪聲），也能抵抗或避免損壞。

　　3·EMC（電磁兼容性）

　　EMI+EMS。排放對策和免疫措施

　　作為EMI，與通路相關(guān)的是傳導(dǎo)噪聲和輻射噪聲;根據(jù)傳播方式，導(dǎo)電噪聲進一步分為差分噪聲和共模噪聲。上面的內(nèi)容有點粗糙，但是提前必須知道的低限度。

　　EMI對策

　　當(dāng)開關(guān)電源電路的EMI影響其他電路時，采取EMI對策。本質(zhì)上，用于阻抗匹配或用作旁路/濾波器元件的電容器或電阻器-電容器電路被添加到切換大電流的節(jié)點和線路。

　　1）C12，R17：RC緩沖器添加到輸出整流二極管

　　與輸入緩沖器一樣，這些組件可減少開/關(guān)切換期間出現(xiàn)的尖峰。請參考此有關(guān)輸入緩沖器的信息。C12在500V時設(shè)置為1000pF，R17設(shè)置為約10Ω，1W。

　　2）C10：

　　在初級側(cè)和次級側(cè)之間添加Y電容器在初級側(cè)和次級側(cè)的地之間添加稱為Y電容器的電容器。這是通過隔離變壓器的繞組上的電容減小初級側(cè)開關(guān)噪聲在次級側(cè)引起的共模噪聲的一種典型方法。Y電容器的額定電壓必須等于變壓器的絕緣電壓。選擇約2200pF的電容。

　　3）C11：在MOSFETQ1的漏極和源極之間添加電容器有一種方法是在MOSFET的漏極和源極之間添加一個電容器，以減少由于高速開關(guān)引起的關(guān)斷時的浪涌。這也是一種緩和。但是，會導(dǎo)致更大的損失，因此必須注意溫度的升高。這里，使用耐壓為1kV的10至100pF電容器。

　　輸出噪聲對策

　　當(dāng)然，開關(guān)電源的輸出電壓包括波紋，這取決于開關(guān)頻率;此外，還存在源自諧波，電感和電容的噪聲。當(dāng)這樣的噪聲分量成為問題時，在輸出中添加LC濾波器是有效的。

　　從10μH的電感L和大約10到100μF的C10開始，在觀察噪聲分量的同時調(diào)整這些值。

　　以上是噪聲的主要對策，有必要測量噪聲并確認(rèn)噪聲對其他設(shè)備的影響，為了進行適當(dāng)?shù)脑肼暅y量，測量環(huán)境和測量設(shè)備是必不可少的。當(dāng)不能進行這樣的定量測量時，仍然可以通過設(shè)備的S/N比來確定噪聲是否對性能有影響。

　　這里描述的措施是用于電源電路配置的對策。噪聲的出現(xiàn)還與電路板布局，元件布置，元件性能等有關(guān)。在某些情況下，可能需要將LC濾波器從簡單的L型擴展為π型或T型，或者為電路板提供屏蔽，或以其他方式修改設(shè)計。

　　此外，根據(jù)設(shè)備規(guī)格，例如應(yīng)滿足國際無線電干擾特別委員會（CISPR）制定的標(biāo)準(zhǔn)或其他一些噪聲相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)必須符合標(biāo)準(zhǔn)時，從設(shè)計階段就牢記這些事項是非常重要的。