開關(guān)電源   控制芯片

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212成熟型方案替換亞成微高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212 是一款符合 6 級能效標準的次級反饋，反激式 AC-DC 高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片。芯片內(nèi)置高壓功率管，芯片內(nèi)還包含有準諧振檢測、SLEEP   超低待機、自供電等電路，并具有輸出短路、次級開路、過溫、過壓等保護功能。芯片采用高集成度的CMOS  電路設(shè)計，具有外圍元件極少，變壓器成本低（隔離輸出電路的變壓器只需要兩個繞組）等特點。

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212產(chǎn)品特點

全電壓輸入 85V—265V。
內(nèi)置 700V 功率管。
專利的自供電技術(shù)，變壓器無需外部供電繞組, 無需啟動電阻( 降低成品成本) 。
特有的 SLEEP 技術(shù)使芯片具有超低的待機功耗。
內(nèi)置 PWM 準諧振電路，增加電源轉(zhuǎn)換效率和保證良好的 EMC 特性。
過溫、過流、過壓以及輸出短路，次級開路，光耦失效保護。
4KV 防靜電 ESD 測試。

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212應(yīng)用領(lǐng)域

12W 以下 AC-DC 應(yīng)用包括：電源適配器、充電器、電磁爐、空調(diào)、DVD、機頂盒等家
電產(chǎn)品。

極限參數(shù)

供電電壓 VDD ………………………………………………………………… -0.3V--8V 供 電 電 流 VDD …………………………………………………………………. 100mA 引腳電壓        ………………………………………………….....  -0.3V--VDD+0.3V 功 率 管 耐 壓 …………………………………………………………... -0.3V--730V
IS 最 大 電 壓  ....……………………………………………………………… 400mV 總 耗 散 功 率  ………………………………………………………………1000mW 工作溫度        ………………………………………………………. -25 ? C--+125 ? C 儲存溫度        ………………………………………………………. -55 ? C--+150 ? C 焊接溫度        …………………………………………………………….+280 ? C/5S

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212上電啟動:

芯片內(nèi)置高壓啟動電流源；上電啟動時當      VDD       電壓小于啟動電壓時，打開三極管對外部的 VDD  儲能電容  C4  充電。當  VDD  電壓達到啟動電壓  VCC_St ar t  的時候，關(guān)閉啟動電流源, 啟動過程結(jié)束，控制邏輯開始輸出 PWM 脈沖并檢測  I S  電阻，當  I S  接電阻  RS  對地時, 設(shè)定最大峰值電流 I p_Max=Vli m/ RS(Vli m   是 I C6  腳內(nèi)部檢測電壓最大值) ；當 I S 腳直接接地時，設(shè)定最大峰值電流為 I p_Max=700mA ；

軟啟動:

上電啟動結(jié)束后，為防止輸出電壓建立過程可能產(chǎn)生的變壓器磁芯飽和，功率管和次級整流管應(yīng)力過大，芯片內(nèi)置軟啟動電路，在軟啟動時初級峰值電流最大為 0. 5 倍最大峰值電流。

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212采用準諧振輸出方式，當檢測到 OC 諧振到最低電壓時，開通 PWM 輸出，打開開關(guān)管給電感充電，這樣減小了開關(guān)管的開關(guān)損耗，提高了電源的轉(zhuǎn)換效率。

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212FB 檢測和反饋控制:

Fb 引腳外部連接一只電容，以平滑F(xiàn)b 電壓，外接電容會影響到電路的反饋瞬態(tài)特性及電路的穩(wěn)定工作，典型應(yīng)用可在1nF～10nF 之間選擇；芯片依據(jù)FB電壓控制PWM輸出峰值電流和工作頻率。

SLEEP 模式:

為實現(xiàn)超低待機功耗，芯片設(shè)計了 SLEEP 模式時，當輸出功率逐漸下降到 50mW 以下時，芯片進入 SLEEP 模式。可以實現(xiàn)系統(tǒng)超低的待機功耗（<60mW）。

自供電：

芯片使用了專利的自供電技術(shù)，控制VDD的電壓在4. 7V 左右，提供芯片本身的電流消耗，無需外部輔助繞組提供。自供電電路只能提供芯片自身的電流消耗，不能為外部線路提供能量。

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212過溫保護（OTP）：

芯片在內(nèi)部集成了過溫保護功能，如果因外部溫度過高或者其它異常原因造成芯片溫度過高，檢測到芯片溫度超過 130℃，立即啟動過溫保護，停止輸出脈沖，關(guān)斷功率管并進入異常保護模式，溫度異常解除后恢復(fù)正常工作。

初級過流保護：

外部變壓器初級線圈的電流過大時，軟啟動結(jié)束后，如果在 PWM 開通 500ns 時檢測
到初級線圈電流達到最大峰值電流 I p_Max ，芯片立即關(guān)斷功率管, 進入異常保護模式。

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212 供電電源異常：

因外部異常導(dǎo)致VCC電壓低于VCC_Mi n 時，芯片將關(guān)斷功率管，進行重新啟動。

因外部異常導(dǎo)致VCC電壓高于VCC_Max時，立即啟動VCC過壓保護，停止輸出脈沖并進入異常保護模式。

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212短路和過載保護（OCP）:

次級輸出短路或者過載時，如果 FB 電壓連續(xù) 0. 8S 低于短路保護閥值 Vf b_L; 芯片
立即關(guān)斷功率管, 進入異常保護模式。

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212異常保護模式:

芯片進入異常保護模式后，關(guān)閉 PWM 輸出，啟動 800ms 定時器。在 800ms 內(nèi)，VCC
電壓下降并維持 4. 6V ，800ms 后，芯片結(jié)束異常狀態(tài)。

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212異常保護模式:

芯片進入異常保護模式后，關(guān)閉 PWM 輸出，啟動 800ms 定時器。在 800ms 內(nèi)，VCC
電壓下降并維持 4. 6V ，800ms 后，芯片結(jié)束異常狀態(tài)。

高性能準諧振開關(guān)電源控制芯片DK212我們可以通過磁芯的制造商提供的圖表進行選擇，EE19的AP=1243mm^4, EF20 的
AP=2231mm^4, 從設(shè)計性能優(yōu)化角度以及為改善EMI 設(shè)計增加初、次級屏蔽層來選擇，可以選擇EF20這款變壓器(AE=33. 5, 屬于標稱值，請按實物測量為準)  ，這樣變壓器生產(chǎn)和效率，散熱上更有優(yōu)勢。