產品概述:
DK065G 是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 AC-DC 功率開關芯
片。DK065G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓(V DS ),當 V DS 達到其最低值時開啟功率管,從而減
小開關損耗并改善電磁干擾(EMI)。
DK065G 極大的簡化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造,尤其是需要高轉化效率和高功率密
度的產品。DK065G 具備完善的保護功能:輸出過壓保護(OVP),VCC 過欠壓保護,過溫保護(OTP),
開環保護,輸出過流保護(OCP)等。
特點:
? 峰值 94%效率
? 最高支持 250KHz 開關頻率
? 待機功耗低于 50mW
? 采用 QR 工作模式
? 內置算法優化的谷底檢測電路和谷底鎖定電
路
? 內置退磁檢測電路
? 內置抖頻電路有效改善 EMI
? 內置高低壓輸入功率補償電路,保證高低壓
下最大輸出功率一致
? 無鹵素且符合 ROHs 要求
? 封裝型號 DFN8*8
典型應用:
? 高功率密度快速充電器,適配器
? 筆記本電腦適配器,平板電腦適配器,機頂
盒適配器等
? 輔助和待機電源
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
機頂盒
+關注
關注
4文章
397瀏覽量
55969 -
充電器
+關注
關注
100文章
4403瀏覽量
121892 -
適配器
+關注
關注
9文章
2129瀏覽量
71290 -
PD快充
+關注
關注
2文章
246瀏覽量
11152
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
深度解析LMG352xR050:650V 50mΩ GaN FET的卓越性能與應用
的LMG352xR050系列650V 50mΩ GaN FET,集成了驅動器、保護和溫度報告功能,為開關模式電源轉換器帶來了新的突破。本文將
探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅動的卓越性能
探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驅動的卓越性能 在開關模式電源應用的領域中,LMG3614這款
探索LMG365xR070:650V 70mΩ GaN FET的卓越性能與應用潛力
: lmg3650r070.pdf 一、產品特性亮點 1. 強大的性能參數 集成驅動與高耐壓 :LMG365xR070集成了柵極驅動器,搭配650V 70mΩ的
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選
TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選 在電子工程師的日常工作中,不斷尋找高性能、高可靠性的電子元件是提升設計水平的關鍵。今天,我們
DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術手冊
電子發燒友網站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術手冊.pdf》資料免費下載
發表于 11-24 16:47
?1次下載
VIPERGAN50高效準諧振離線高壓轉換器技術解析與應用指南
STMicroelectronics VIPERGAN50高壓轉換器是一款先進的準諧振離線高壓轉換器,設有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN50設計用于中等
DK5V100R10VN 東科集成100V功率NMOS管同步整流芯片
。DK5V100R10VN采用PDFN5*6封裝。? 適用于反激 PSR、SSR 應用? 超低 V F? 超低溫升? 集成 100
發表于 07-05 15:53
?0次下載
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數據手冊
Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設計用于開關模式電源應用。LMG3614在8mm
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數據手冊
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現了業內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高
DK065G東科集成650V/260mΩ GaN HEMT準諧振反激控制AC-DC功率開關芯片
評論