浪涌電流波形圖4是一個典型的浪涌電流（Inrush current）波形。它有兩個尖峰。

第一個浪涌尖端電流峰值是輸入電壓電源（input voltage source） 啟動時產生的。這個峰值電流流入EMI濾波器電容和直流-直流轉換器的輸入端電容，并被充電至穩態值（steady state value）。

第二個是電流峰值是直流－直流轉換器啟動時產生的。這個峰值電流通過直流－直流電源變壓器流入到輸出端電容器和所有負載電容，充電至穩態值。

圖五 ： 典型的浪涌電流波形

限制浪涌電流方式

一般限制浪涌電流的方式有二種：

第一種方式常使用于傳統限制浪涌電流，即被動式限制浪涌電流（Passive Inrush Limiting）。本方法就是在電容前面串聯一系列組件。如圖5前端的示意圖。串聯熱敏電阻R1將限制輸入電流，直至輸入電容被充滿。隨后繼電器S1閉合，使電流全部流向下級直流-直流轉換器。

繼電器線圈能用28V輸入電壓驅動，因此它將在一定程度上實現自動控制。因熱敏電阻（Thermistor）類似RTD，它們都是電阻，熱敏電阻的電阻隨著溫度升高而降低如圖6是標準的熱敏電阻溫度曲線。故于高溫時因其內阻降低對浪涌電流的抑止效果驟降，熱敏電阻和RTD的主要差異在于它們是由金屬氧化半導體材料制成，并披以玻璃或環氧樹酯。

它們也有兩種不同類型，負溫度系數 （negative temperature coefficient；NTC） 與正溫度系數（positive temperature coefficient；PTC）。NTC熱敏電阻的電阻隨著溫度升高而降低，而PTC熱敏電阻器的電阻則隨著溫度升高而升高。故在設計中可以將PTC及NTC串結以減少溫度變化造成阻尼改變的影響。

圖六 ： 有效限制浪涌？流的串？？阻？路

圖七 ： 標準的熱敏電阻溫度曲線

再據交流-直流（AC-DC）電源如圖7為例說明其架構及量測出來的inrush current波形，顯示出的EMI X-電容僅為約1.0μF，導致浪涌電流主要是內部大容量電容器，故需于前端放置NTC電阻來降低其浪涌電流其電流圖如圖8~9分別依交流115V及230V量測電流的結果 。

圖八 ： 標準的AC-DC內置熱敏電阻的電源方塊圖

圖九 ： 輸入為AC115V/90。 的電流waveform CH1： Vin （100V/div）， CH2： Iin （10A/div），

圖十 ： 輸入為AC230V/90。 的電流waveform CH1： Vin （100V/div）， CH2： Iin （10A/div），

第二種就是主動式限制浪涌電流（Active Inrush Limiting），其等效電路如圖10所示。這個電路在電源端負極使用一個MOS場效應管（MOSFET）系列器件Q1。Q1通過R2拉低其門限電壓，通常是斷開的。當施加輸入電壓時，通過R1為柵極充電。

Q1的充電時間和開啟時間將由于C1的存在而減慢?？梢赃x用R1和C1來為輸入電容緩慢充電，來限制浪涌電流。在輸入電容充好后，Q1柵極將會充電，直至被齊納（穩壓）二極管（Zener Diode）限制，然后Q1將保持完全開啟。

圖十一 ： 有效限制浪涌電流的串聯晶體管離散電

這個電路可以修改為將Q1 放置正極。 P channel MOS場效應管或者N channel MOS場效應管都可用，但是需使用由充電泵（charge pump）或者隔離供給（isolated supply）來驅動柵極。另外還存在其他一些有效的浪涌限制電路。他們均在輸入電源端使用一些串聯組件且以幾乎相同的方式發揮作用。很重要的是一旦輸入電容器被充電，這些裝置應被旁路或完全開啟，以限制線阻抗和功率耗損。

筆者另外研究了PULS電源采用一個新的方法，即透過延后開啟（Soft start）有效的降低其脈沖充電對電解電容充電的電流，其電路示意圖如圖11透過控制MOSFET對電解電容充電及飛輪二極管放電的有效限制浪涌電流串聯線路，其量測的結果如圖12一般采用NTC與采用延后開啟（Soft start）的inrush current波形圖，透過延后開啟有效控制了浪涌電流降至3安培。

圖十二 ： 延后開？（Soft start）電路圖

圖十三 ： 一般采用NTC 與采用延後開？（Soft start）的inrush current 波形圖