波函數(shù)（通常用Ψ表示）是量子態(tài)在位置表象下的表示。在一維空間中，波函數(shù)是一個復(fù)數(shù)函數(shù)，定義為：Ψ(x....

AMB陶瓷覆銅基板是一個復(fù)合結(jié)構(gòu)：銅箔/焊料/陶瓷/焊料/銅箔，不同材料之間的CTE、楊氏模量、導(dǎo)熱....

在日常生活和工作中，電子設(shè)備運行時會產(chǎn)生電磁輻射，可能會給人們的健康帶來不良影響，各設(shè)備間的電磁干擾....

在芯片制造領(lǐng)域，顆粒的存在可能對生產(chǎn)過程產(chǎn)生巨大影響。

復(fù)合銅箔產(chǎn)業(yè)化趨勢明顯，后續(xù)關(guān)注送樣、降本、出貨和測試方面的催化。銅箔材料是鋰電池負(fù)極材料的重要組成....

本文的目的是概述 MXene 的合成和表征方面的最新進(jìn)展，以及它們在水分解和太陽能電池等能源轉(zhuǎn)換以及....

何為超臨界流體？超臨界流體(supercritical fluids，SCF)具有類似氣體的擴(kuò)散性質(zhì)....

Paragraf 通過開發(fā)首款量產(chǎn)霍爾效應(yīng)傳感器，利用了“神奇材料”的眾多特性，開創(chuàng)了石墨烯電子行業(yè)....

盡管硅是世界上最知名和最廣泛使用的半導(dǎo)體，但它的電子遷移率卻處于中低范圍（~1,000 cm2/(V....

眾所周知，鎵、鍺是半導(dǎo)體應(yīng)用中非常重要的材料。

氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球....

然而，SAP在定義細(xì)間距特征方面面臨一些挑戰(zhàn)。細(xì)線可能會因為高縱橫比而坍塌，由于與基板的接觸面積小，....

光學(xué)對比度法是一種快速、無損和高靈敏度的測量方法。已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于測量石墨烯、雙層石墨烯、少層石墨烯....

堿類助洗劑常用的為氫氧化鈉、純堿、硅酸鈉和三聚磷酸鈉。氫氧化鈉和純堿作為堿劑，價格*為便宜，廢水較難....

石墨烯水分散液作為一種新型的材料，已經(jīng)在材料科學(xué)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。首先，石墨烯水分散液可以用于制....

二維材料是一組具有幾個原子厚度的層狀結(jié)構(gòu)的材料。最具代表性的二維材料是石墨烯，Novoselov等人....

表面活性劑的復(fù)配可以產(chǎn)生加和效應(yīng)，已經(jīng)應(yīng)用到了實際的生產(chǎn)中，但其基礎(chǔ)理論方面的研究仍只是近幾年的事，....

“天和”核心艙配置的4臺霍爾電推進(jìn)器，利用核心艙太陽能翼產(chǎn)生的電能，為空間站軌道維持和安全飛行提供動....

氧化鋁陶瓷通常以基體中氧化鋁的含量來分類，例如一般把氧化鋁含量在99%、95%、90%左右的依次稱為....

已具備投資規(guī)模及運營資金壁壘。鋰電銅箔的技術(shù)含量高，對生產(chǎn)工藝與設(shè)備的要求嚴(yán)格。新進(jìn)廠商需具備自行設(shè)....

據(jù) Prismark 統(tǒng)計，全球 FPC 產(chǎn)值由 2008 年的 66 億美元增長到 2019 年的....

石墨烯可以用來制作晶體管，由于石墨烯結(jié)構(gòu)的高度穩(wěn)定性，這種晶體管在接近單個原子的尺度上依然能穩(wěn)定地工....

“塑料行業(yè)可以充分利用石墨烯的功能特點，開發(fā)出特殊性能的功能塑料，擴(kuò)大塑料的應(yīng)用利用，使傳統(tǒng)的五大通....

半導(dǎo)體同時具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純....

相比傳統(tǒng)電解銅箔，復(fù)合銅箔能有效提高鋰電池能量密度，以6 μm銅箔為例： 從銅箔總質(zhì)量來看，由PET....

該項研究，為集體模式介導(dǎo)的固液相互作用，提供了直接的實驗證據(jù)，并支持理論上提出的量子摩擦機(jī)制。同時，....

HSR-BR312、HSR-BR316具有結(jié)構(gòu)簡單緊湊、體積小、重量輕、關(guān)節(jié)速度高、動態(tài)響應(yīng)快等優(yōu)勢....

但面臨同類型材料生產(chǎn)技術(shù)限制、原料基材依賴進(jìn)口等情況，生物降解材料并沒有出現(xiàn)爆發(fā)式增長。然而，有這樣....

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度....

InP 材料在力學(xué)方面具有軟脆的特性，導(dǎo)致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導(dǎo)體工藝中有....