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芯長(zhǎng)征科技

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梳理一下車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊封裝趨勢(shì)

電動(dòng)汽車(chē)近幾年的蓬勃發(fā)展帶動(dòng)了功率模塊封裝技術(shù)的更新迭代。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-24 16:46 ?4234次閱讀
梳理一下車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊封裝趨勢(shì)

講一講Apple Macintosh處理器過(guò)渡的故事

從 68k 到 PowerPC 的轉(zhuǎn)變被廣泛認(rèn)為是成功的。在 20 世紀(jì) 90 年代的大部分時(shí)間里,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-24 14:54 ?2364次閱讀

高數(shù)值孔徑EUV的可能拼接解決方案

采用曲線(xiàn)掩模的另一個(gè)挑戰(zhàn)是需要將兩個(gè)掩??p合在一起以在晶圓上形成完整的圖像。對(duì)于高數(shù)值孔徑 EUV,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-23 12:21 ?2193次閱讀
高數(shù)值孔徑EUV的可能拼接解決方案

芯片庫(kù)存調(diào)整,接近尾聲

野村APAC技術(shù)研究所主管David Wong也說(shuō),半導(dǎo)體業(yè)這波庫(kù)存調(diào)整周期從去年中開(kāi)始,現(xiàn)在可能已....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-16 16:17 ?1173次閱讀

氮化鎵功率芯片功率曲線(xiàn)分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

不,氮化鎵功率器(GaN Power Device)與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-16 14:52 ?2731次閱讀

從單片SoC向異構(gòu)芯片和小芯片封裝的轉(zhuǎn)變正在加速

關(guān)于異構(gòu)集成和高級(jí)封裝的任何討論的一個(gè)良好起點(diǎn)是商定的術(shù)語(yǔ)。異構(gòu)集成一詞最常見(jiàn)的用途可能是高帶寬內(nèi)存....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-12 17:29 ?1938次閱讀
從單片SoC向異構(gòu)芯片和小芯片封裝的轉(zhuǎn)變正在加速

日本研發(fā)出氧化鎵的低成本制法

這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法”,通過(guò)在密閉裝置內(nèi)充滿(mǎn)氣體狀原料,在基板上制造....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-12 16:53 ?1783次閱讀

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-09 16:38 ?2039次閱讀
寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底:寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,到底貴在哪里?

在碳化硅襯底的制備原料里,以2021年為例,石墨件成本占比為45.21%,石墨氈占比為41.32%,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-09 16:37 ?4990次閱讀
碳化硅襯底:寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,到底貴在哪里?

DRAM ,終于迎來(lái)了春天

在芯片供應(yīng)過(guò)剩、需求低迷的情況下,DRAM芯片現(xiàn)貨價(jià)格自2022年2月以來(lái)一直處于下跌狀態(tài)。三星和S....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-09 16:35 ?1470次閱讀

碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)應(yīng)用差異在哪里?

SiC 和 GaN 被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-09 14:24 ?7612次閱讀
碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)應(yīng)用差異在哪里?

Yole:MCU市場(chǎng),前景可期

盡管其他半導(dǎo)體行業(yè)受到消費(fèi)者支出急劇下降和供應(yīng)過(guò)剩導(dǎo)致平均銷(xiāo)售價(jià)格和收入下降的嚴(yán)重影響,但 MCU ....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 10-08 17:13 ?1989次閱讀
Yole:MCU市場(chǎng),前景可期

半導(dǎo)體創(chuàng)新的三個(gè)“竅門(mén)”有哪些?

半導(dǎo)體行業(yè)不可思議的強(qiáng)大動(dòng)力源于其核心的器件創(chuàng)新。而且,當(dāng)今的企業(yè)面臨著巨大的競(jìng)爭(zhēng)壓力,創(chuàng)新是保持其....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 09-26 09:47 ?1516次閱讀

晶圓和器件可以薄到什么程度?

邏輯擴(kuò)展面臨的日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)和不斷上升的成本,以及對(duì)越來(lái)越多功能的需求,正在推動(dòng)更多公司采用先進(jìn)封裝....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 09-25 09:40 ?1668次閱讀
晶圓和器件可以薄到什么程度?

詳解原型驗(yàn)證技術(shù)的發(fā)展史

隨著AI、5G等尖端技術(shù)的進(jìn)步,“萬(wàn)物互聯(lián)”的愿景正逐步成為現(xiàn)實(shí),為人們帶來(lái)更便捷的生活方式,激發(fā)著....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 09-21 10:43 ?1586次閱讀

常見(jiàn)的幾種功率半導(dǎo)體器件

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 09-15 09:49 ?2844次閱讀

硅光,大戰(zhàn)打響

微電子行業(yè)協(xié)會(huì)semi在峰會(huì)邀請(qǐng)函中指出,“硅光子因其高帶寬、高速數(shù)據(jù)傳輸、遠(yuǎn)傳輸距離、低功耗和適用....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 09-13 16:07 ?1329次閱讀

2nm晶圓的價(jià)格,提高至25000美元

雖然有些初創(chuàng)公司設(shè)法開(kāi)發(fā)大型設(shè)計(jì)(例如 Graphcore),但大多數(shù)公司開(kāi)發(fā)的東西要小得多。此外,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 09-04 15:39 ?1044次閱讀
2nm晶圓的價(jià)格,提高至25000美元

2nm,成為決勝點(diǎn)

從晶體管效能來(lái)看,消息人士指出,Intel 4效能落在臺(tái)積電5至7納米間;Intel 20A的效能則....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 09-01 14:55 ?1242次閱讀

背面電力傳輸 下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者

背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號(hào)和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)的長(zhǎng)期傳統(tǒng)。通過(guò)背面供電,整個(gè)配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-30 10:34 ?1628次閱讀
背面電力傳輸 下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者

物理驗(yàn)證在先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)中的核心地位

在這個(gè)技術(shù)日新月異的時(shí)代,一個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)是,我們已經(jīng)邁入了芯片集成度迅速提升的階段。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-30 10:27 ?3075次閱讀
物理驗(yàn)證在先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)中的核心地位

量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

半導(dǎo)體制造設(shè)備廠(chǎng)商DISCO Corporation(總部:東京都大田區(qū);總裁:Kazuma Sek....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-25 09:43 ?1929次閱讀
量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

云服務(wù)和5G需求帶動(dòng)硅光子成長(zhǎng)

在光電子融合中,硅光子學(xué)發(fā)揮著核心作用。硅光子學(xué)是一種利用CMOS制程技術(shù),支援半導(dǎo)體工業(yè)在硅基板上....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-24 10:36 ?1071次閱讀
云服務(wù)和5G需求帶動(dòng)硅光子成長(zhǎng)

SK海力士成功開(kāi)發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時(shí),SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-23 15:13 ?1639次閱讀

拯救芯片產(chǎn)業(yè)的***

當(dāng)?shù)谝粋€(gè) 157 納米光刻系統(tǒng)的工程設(shè)計(jì)完成時(shí),采用氟化鈣透鏡作為這些系統(tǒng)中的新型光學(xué)器件被認(rèn)為具有....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-23 14:57 ?1594次閱讀
拯救芯片產(chǎn)業(yè)的***

四川將發(fā)布元宇宙專(zhuān)項(xiàng)政策,CPU、存儲(chǔ)芯片等成“關(guān)鍵詞”

元宇宙技術(shù):聚焦感知交互、智能顯示、3D(三維)建模渲染等重點(diǎn)方向,組織在川高校、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、科研機(jī)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-23 14:55 ?1370次閱讀
四川將發(fā)布元宇宙專(zhuān)項(xiàng)政策,CPU、存儲(chǔ)芯片等成“關(guān)鍵詞”

氮化鎵外延為何不生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上?

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無(wú)法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì),從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來(lái)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-18 09:37 ?1529次閱讀

7月份中國(guó)芯片產(chǎn)量增速放緩

7月份IC產(chǎn)量趨勢(shì)放緩之際,國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)正面臨消費(fèi)需求疲軟和庫(kù)存高企的困境。研究公司Counterp....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-17 15:26 ?1380次閱讀

半導(dǎo)體行業(yè)有望在2024年復(fù)蘇

2023 年第三季度,電子產(chǎn)品銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn) 10% 的健康季度環(huán)比增長(zhǎng),而存儲(chǔ) IC 銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-17 15:23 ?1878次閱讀

半導(dǎo)體鍵合設(shè)備,增速顯著

隨著未來(lái)十年芯片需求的激增,預(yù)計(jì)到 2030 年,全球半導(dǎo)體行業(yè)將成為萬(wàn)億美元的產(chǎn)業(yè)。這種增長(zhǎng)很大程....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 08-16 15:50 ?2603次閱讀