2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術（NVM Non-VolatileMemory），....
本文從光刻圖案設計、特征尺寸、電鏡參數優化等方面介紹電子束光刻的參數優化，最后介紹了一些常見問題。
光的“顏色”通常通過作為波長 λ 函數的功率或強度分布來識別。可見光的波長范圍為約 400 nm 至....
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導體場效應晶體管....
芯片藏身于城市中隨處可見的電子設備，智能手機、電腦、家電等都離不開它的控制。
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor， 互補金屬....
激光的原理早在 1916 年已經由著名物理學家愛因斯坦（Albert Einstein）的受激輻射理....
在19世紀末期，消費類產品包括照明、加熱、電話和電報等一些簡單的電路。但是無線電的發明和對于能夠整流....
當光學粗糙表面被擴展的激光束照射時，形成的圖像是斑點圖案（亮斑和暗斑）。噪聲對相位展開過程產生了災難....
氮化鎵（GaN）基材料被稱為第三代半導體，其光譜范圍覆蓋了近紅外、可見光和紫外全波段，在光電子學領域....
在SPICE模擬器中有幾十種標準的半導體器件模型，例如，用于GaN器件的最新ASM-HEMT模型有近....
PLC廣泛應用于工業自動化控制系統中，包括機床控制、流水線控制、機器人控制、電力系統控制等領域。PL....
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層....
電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電....
巴比涅原理???，也譯作巴俾涅原理，指在點光源照射下，一個不透光物體產生的衍射圖樣和一個帶有與該物體....
在MEMS某些器件設計中，常常需要用到可調電阻，在板級電路上可以通過電位器對貼片電阻進行調阻，但在芯....
雙頻激光干涉儀是在單頻激光干涉儀的基礎上發展的一種外差式干涉儀。
相對于塊體材料，膜一般為二維材料。薄膜和厚膜從字面上區分，主要是厚度。薄膜一般厚度為5nm至2.5μ....
在外加電場作用下折射率發生變化，從而使通過晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光，并產生一....
人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進行錘擊達到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣....
霍爾效應在普通的導體中是線性的，即霍爾電阻和磁場強度成正比。但是，在一些特殊的材料中，當磁場很強時，....
在電磁波譜中，近紅外光(NIR)的波長在700—1400 nm之間，只要功率密度控制在每平方厘米毫瓦....
影響深硅刻蝕的關鍵參數有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
在半導體制造領域，我們經常聽到“薄膜制備技術”，“薄膜區”，“薄膜工藝”等詞匯，那么有厚膜嗎？答案是....
在半導體行業中，“die”，“device”，和“chip”這三個術語都可以用來指代芯片。
量子和計算，兩者聽起來似乎風馬牛不相及，為何要“聯姻”呢？
在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關中，離子注入均有應用。
離子注入是將高能離子注入半導體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑....
什么是溝道效應？
溝道效應是指在晶體材料中，注入的離子沿著晶體原子排列較為稀疏的方向穿透得比預期更....
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