動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-02-08 21:20

  SST徹底顛覆供電史！英偉達官宣AIDC終極供電方案！800V+SST定調(diào)AIDC！固態(tài)變壓器(SST)徹底顛覆，萬億賽道狂飆！（附核心企業(yè)）

  

  OCP全球算力大會上，英偉達甩出一份劃時代白皮書《800VDCArchitectureforNext-GenerationAIInfrastructure》，直接給AI數(shù)據(jù)中心（AIDC）供電劃下終極標(biāo)準(zhǔn)答案——800V高壓直流供電+固態(tài)變壓器（SST），一舉終結(jié)UPS、HVDC、巴拿馬電源長達十年的路線之爭！當(dāng)GB300集群算力較前代暴漲50倍、單機柜功率

  SST 變壓器 英偉達

  1.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-02-07 07:03

  一文讀懂電氣間隙與爬電距離 · 來龍去脈：設(shè)計指南、影響因素、計算方法、案例說明

  

  -關(guān)于《電氣間隙與爬電距離的全面解析與設(shè)計指南》的解析-文字原創(chuàng)，素材來源：TI、IEC、IPC、GB、網(wǎng)絡(luò)-「SysPro|電動汽車標(biāo)準(zhǔn)解讀」專欄內(nèi)容，全文13700字-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，詳細分布見目錄頁導(dǎo)語：在高壓設(shè)備的設(shè)計與制造過程中，確保電氣安全和系統(tǒng)可靠性是至關(guān)重要的。其中，爬電距離(Creepage,CPG）和電氣間隙（Cle

  爬電距離 電氣 電氣安全

  911瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-02-06 15:20

  TIM材料測試方法 | 軸向熱流法、瞬態(tài)法與激光閃射法

  

  在電子設(shè)備日益精密的今天，散熱性能已成為決定產(chǎn)品可靠性的關(guān)鍵因素。據(jù)統(tǒng)計，電子設(shè)備失效案例中超過55%與過熱有關(guān)。而作為散熱橋梁的導(dǎo)熱材料，其性能測試的準(zhǔn)確性直接關(guān)系到整個熱管理系統(tǒng)的設(shè)計成敗。為什么導(dǎo)熱系數(shù)測試如此重要？想象一下，你花大價錢購買了號稱“高效散熱”的導(dǎo)熱硅脂，卻發(fā)現(xiàn)實際效果遠不如宣傳。問題很可能就出在測試方法上——不同的測試方法可能得出截然不

  Tim 材料 測試

  212瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-02-06 10:42

  面向AI/數(shù)據(jù)中心與EV驅(qū)動的芯片嵌入式面板級封裝技術(shù)路線的深度解析

  

  以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-面向AI與汽車的芯片嵌入式面板級功率封裝技術(shù)路線深度解析-「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球節(jié)選，非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-文字原創(chuàng)，素材來源：AOI,APEC,ECT,IMAPS-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語：這個系列我會把AI/數(shù)據(jù)中心和車端牽引逆變器/DC-DC放一起來聊聊，原

  嵌入式 數(shù)據(jù)中心 芯片

  833瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-02-05 09:41

  熱設(shè)計培訓(xùn)教材（部分）

  

  熱設(shè)計培訓(xùn)教材（部分）

  材料 熱設(shè)計

  943瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-02-04 07:21

  功率芯片PCB嵌入式封裝技術(shù) · 從晶圓到系統(tǒng)級應(yīng)用的全路徑解析

  

  以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-《功率芯片PCB嵌入式封裝：從實驗室到量產(chǎn)的全鏈路解析》三部曲-文字原創(chuàng)，素材來源：Infieon、芯華睿、Semikron等-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流-2000+最新全球前瞻技術(shù)方案深度解析已在知識星球發(fā)布導(dǎo)語：在2025年，汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來了一場革新，芯片內(nèi)嵌式PCB封裝技

  pcb PCB 功率芯片 嵌入式

  598瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-02-01 12:19

  未來高頻市場低介電材料介紹 | TPI熱塑性聚酰亞胺

  

  高頻市場低介電材料以低Dk、低Df、頻率穩(wěn)定性為核心，主流包括PTFE、LCP、PPO/PPE、碳氫樹脂、BCB、改性PI與特種玻璃等，適配5G/6G、毫米波雷達、高速服務(wù)器、先進封裝等場景。核心材料速覽（@10GHz，典型值）聚四氟乙烯（PTFE/特氟龍）：Dk≈2.1-2.2，Df≈0.0002-0.001，耐高溫260℃，化學(xué)穩(wěn)定；可陶瓷/玻纖填充改性

  材料

  286瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-01-31 08:15

  IGBT死區(qū)時間設(shè)定指南：死區(qū)計算方法、對逆變器的影響、死區(qū)優(yōu)化策略 v2.0

  

  以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于IGBT死區(qū)時間的定義和應(yīng)用解讀-文字原創(chuàng)，素材來源：Infineon等廠商-在保證原文內(nèi)容邏輯的基礎(chǔ)上，對結(jié)構(gòu)進行了調(diào)整、進行了補充說明，便于理解與應(yīng)用-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語：電機控制器標(biāo)定中，功率開關(guān)死區(qū)時間的設(shè)定至關(guān)重要。死區(qū)存在的第一任務(wù)：防止因信號產(chǎn)生干擾，

  IGBT 逆變器

  2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-01-31 07:00

  中國算力芯片的拐點時刻

  

  作者|Taylor出品|芯片技術(shù)與工藝當(dāng)OpenAI的GPT-5在得克薩斯州的機房中晝夜轟鳴，當(dāng)Nvdia的H200芯片被炒至數(shù)十萬美元仍一卡難求，中國的算力芯片產(chǎn)業(yè)正站在一個歷史性拐點——這不是一場勻速追趕的馬拉松，而是一場從"生存"到"反超"的懸崖攀登。#01產(chǎn)業(yè)裂變：靜悄悄的"算力革命"與結(jié)構(gòu)性突破2025年的中國AI芯片市場，正在上演一場"結(jié)構(gòu)性質(zhì)變

  AI芯片 算力芯片

  1.7k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2026-01-29 08:01

  突破密度極限！40通道磁吸可拆卸光連接器助力CPO技術(shù)革新

  

  1、背景需求：CPO技術(shù)的關(guān)鍵瓶頸隨著數(shù)據(jù)中心向400G/800G高速互聯(lián)演進，共封裝光學(xué)（CPO）因能顯著降低功耗和延遲成為關(guān)鍵技術(shù)。然而，傳統(tǒng)光連接器存在兩大痛點：密度限制：12通道連接器僅實現(xiàn)1.2通道/mm的“邊緣通道密度”工藝兼容性：需承受260℃回流焊溫度且支持光纖可拆卸2、技術(shù)突破：40通道磁吸式非接觸連接器古河電工團隊指出“為避免光纖處理的復(fù)

  CPO 光連接器 數(shù)據(jù)中心

  578瀏覽量