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• 發布了文章 2025-11-26 06:32

  800V 快充電動汽車電機用絕緣膜材料要求 | 二維氮化硼熱管理材料

  

  1.800V快充電動汽車電機絕緣膜材技術要求1.1電氣性能要求800V快充電動汽車電機絕緣膜材的電氣性能要求遠超傳統400V系統，主要體現在耐壓強度、局部放電起始電壓（PDIV）、介電性能等關鍵指標的大幅提升。耐壓強度要求方面，800V平臺要求骨架主絕緣耐壓從傳統400V系統的≥3kVAC提升至≥6kVAC（IEC60664-1標準），部分關鍵區域（如電池包

  材料 電動汽車 電機

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• 發布了文章 2025-11-21 12:21

  IGBT是電子電力行業的“CPU” | 氮化硼高導熱絕緣材料

  

  文章大綱IGBT是電子電力行業的“CPU”·IGBT是功率器件中的“結晶”·IGBT技術不斷迭代，產品推陳出新IGBT搭乘新能源快車打開增長空間天花板·新能源汽車市場成為IGBT增長最充足動力·新能源發電前景廣闊驅動IGBT增長·工業控制平穩發展支撐IGBT行業需求國產IGBT崛起有望重塑海外寡頭壟斷格局·行業壁壘成為IGBT集中度高的內在因素·海外龍頭主導

  IGBT 氮化硼 絕緣材料

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• 發布了文章 2025-11-19 07:30

  第三代半導體碳化硅 IGBT/MOSFET導熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導熱絕緣墊片

  

  引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體材料，相比傳統硅基材料具有顯著的技術優勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場強達3MV/cm，是硅的10倍；熱導率高達4.9W/cm?K，是硅的3.3倍。這些優異特性使得SiCIGBT能夠在更高的溫度、電壓和頻率下工作，功率密度可提升3倍以上。然而，SiCIGBT的高性能也帶

  IGBT MOSFET 半導體 碳化硅

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• 發布了文章 2025-11-09 08:39

  一文吃透產業鏈：PCB材料（AI浪潮+新能源車）

  

  隨著AI服務器、5G通信與智能汽車的持續爆發，一塊小小的電路板正在重新定義電子世界的底層邏輯。這就是——PCB（印制電路板）材料，電子行業的“神經中樞”，也是AI硬件浪潮中最隱蔽卻最關鍵的賽道之一。01行業概述：從“銅板”到“算力骨架”PCB是所有電子設備的“載體與神經”，承載著信號傳輸、電氣連接與熱管理等核心功能。其上游的關鍵材料——覆銅板（CCL）、銅箔

  PCB材料 新能源 電路板

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• 發布了文章 2025-11-08 07:01

  一文讀懂 · 電氣間隙與爬電距離 · 來龍去脈：設計指南、影響因素、計算方法、案例說明

  

  -關于《電氣間隙與爬電距離的全面解析與設計指南》的解析-文字原創，素材來源：TI、IEC、IPC、GB、網絡-「SysPro|電動汽車標準解讀」專欄內容，全文13700字-本篇為節選，完整內容會在知識星球發布，詳細分布見目錄頁導語：在高壓設備的設計與制造過程中，確保電氣安全和系統可靠性是至關重要的。其中，爬電距離(Creepage,CPG）和電氣間隙（Cle

  電動汽車 電氣 電池管理系統

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• 發布了文章 2025-11-07 06:33

  如何解決導熱墊片的老化問題？

  

  電子設備運行時，元件發熱會導致性能下降。導熱墊片，它能填充元件與散熱器間的縫隙，排出空氣，建立高效導熱通道。此外，它還兼具絕緣、防短路、減震和密封等多重功能，滿足設備小型化需求。然而，導熱墊片在長期使用后會老化。那么，老化有何表現？成因是什么？又該如何應對？這篇文章是小編之前還在廠里上班時候認真總結的一些問題，如果有描述不全面的地方，請大家可以在評論區補充一

  墊片 導熱 電子設備

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• 發布了文章 2025-11-06 08:20

  儲能技術新路線---液流電池

  

  液流電池是一種新的電化學儲能技術。它將正負極電解液分開，并各自循環的一種高性能蓄電池。根據電解液的不同，液流電池可以分為：全釩液流電池、鋅溴液流電池、多硫化鈉/溴液流電池、鋅/鎳液流電池等。液流電池是一種新的電化學儲能技術。它將正負極電解液分開，并各自循環的一種高性能蓄電池。1、液流電池組成液流電池由電池單元、電解液、電解液存儲供給單元等部分構成，如圖1所示

  儲能 液流電池 電池

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• 發布了文章 2025-11-05 06:34

  破解“散熱天花板”：金剛石銅復合材料的百億征程（附分析報告）

  

  在AI算力爆發、新能源汽車普及、6G通信加速落地的今天，電子設備正以前所未有的速度向高功率、高密度演進。隨之而來的，是“散熱”這一曾經被邊緣化的技術環節，正悄然成為制約設備性能與可靠性的“天花板”。傳統散熱材料在熱流密度突300W/cm2時已全面失效，而金剛石銅復合材料，憑借其接近極限的導熱性能與優異的環境適應性，正成

  復合材料 散熱 金剛石

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• 發布了文章 2025-10-31 09:01

  SiC 碳化硅 IGBT/MOSFET導熱散熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料

  

  引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體材料，相比傳統硅基材料具有顯著的技術優勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場強達3MV/cm，是硅的10倍；熱導率高達4.9W/cm?K，是硅的3.3倍。這些優異特性使得SiCIGBT能夠在更高的溫度、電壓和頻率下工作，功率密度可提升3倍以上。然而，SiCIGBT的高性能也帶

  IGBT MOSFET SiC 碳化硅

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• 發布了文章 2025-10-25 08:30

  一文讀懂 · 節能與新能源汽車技術路線圖3.0

  

  -「SysPro系統工程智庫|標準解讀專欄」-文字原創，素材來源：汽車工程學會、網絡-本篇為知識星球節選，完整版報告與解讀在知識星球發布-1500+全球前瞻技術報告與解析已上傳知識星球導語：當前全球汽車產業正處于“電動化加速、智能化突破”的關鍵轉型期，2022年全球新能源汽車銷量突破1000萬輛，2024年我國新能源汽車滲透率超40%，L3級自動駕駛逐步量產

  新能源汽車 自動駕駛

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