華碩第二代ROG游戲手機(jī)首發(fā)驍龍855Plus
高通今晚正式發(fā)布驍龍855 Plus處理器，CPU最高主頻從2.84GHz提速到2.96GHz（幅度4％）、Adreno 640 GPU的頻率從585MHz提高到672MHz（幅度15％），其它基本不變。
看起來，驍龍855 Plus就是“雞血版”驍龍855，類似于驍龍850之于驍龍845、驍龍821之于驍龍820。
按照高通的說法，驍龍855 Plus目標(biāo)游戲手機(jī)和那些準(zhǔn)備接入5G的設(shè)備，下半年商用。隨后，華碩跟進(jìn)表示，將成為首家使用驍龍855 Plus芯片的廠商。
經(jīng)查，ROG玩家國度官微也確認(rèn)，定于7月23日發(fā)布的第二代ROG游戲手機(jī)搭載這顆SoC。事實(shí)上，去年，第一代ROG游戲手機(jī)就率先使用了雞血版驍龍845。
就目前掌握的信息，ROG游戲手機(jī)2還擁有一塊120Hz刷新率屏幕、且與騰訊合作進(jìn)行了專屬游戲優(yōu)化。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
華碩
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
1604瀏覽量
64411 -
高通驍龍
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
1228瀏覽量
45540
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
比亞迪正式發(fā)布第二代刀片電池及閃充技術(shù)
發(fā)布會(huì)現(xiàn)場，王傳福還宣布：所有搭載第二代刀片電池的閃充車車主，均享有重磅“閃充權(quán)益”，自交車之日起，在全國閃充站可享受1年的免費(fèi)閃充權(quán)益，讓閃充體驗(yàn)更暢快。并且，在閃充免費(fèi)期結(jié)束后，也會(huì)同行業(yè)保持一致，不會(huì)額外收費(fèi)。
新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)
新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品，新增75m?型號(hào)CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一代溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造，通過提升性能、增強(qiáng)設(shè)計(jì)靈活性及魯棒性
新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測試與調(diào)試解決方案
TeledyneLeCoy（Teledyne子公司）宣布第二代QualiPHY 2自動(dòng)化合規(guī)測試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層（PHY）合規(guī)性測試。
新品 | 采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列
新品采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封裝
新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是電動(dòng)汽車充電、儲(chǔ)能
IOTE 2025｜美格智能驍龍G2/G1雙平臺(tái)掌機(jī)方案量產(chǎn)，安卓高性能掌機(jī)生態(tài)再升級(jí)
期間，美格智能展臺(tái)展出了多款為客戶定制打造的高性能游戲掌機(jī)解決方案，包括搭載高通第二代驍龍G2平臺(tái)的MG9452系列和搭載高通第二代
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
曠世之聲全新無損藍(lán)牙發(fā)射器支持驍龍暢聽技術(shù)
近日，曠世之聲正式推出QCC Dongle Pro和QCC Dongle無損藍(lán)牙發(fā)射器，該系列產(chǎn)品分別搭載第二代高通S5音頻平臺(tái)和第二代高通S3音頻平臺(tái)，支持Snapdragon Sound 驍
AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能
我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列，這兩款產(chǎn)品是對(duì) Versal 產(chǎn)品組合的擴(kuò)展，可為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)單芯片智能。
恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級(jí)開發(fā)平臺(tái)
第二代OrangeBox開發(fā)平臺(tái)集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力，應(yīng)對(duì)快速演變的信息安全威脅。
第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求
第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺(tái)，提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品
2025年4月16日，在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達(dá)到國際頭部領(lǐng)先水平。
高通全新一代驍龍G系列產(chǎn)品組合，全面提升手持游戲設(shè)備體驗(yàn)
要點(diǎn) ??全新一代驍龍G系列平臺(tái)包括第三代驍龍G3、第二代
英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論