在晶圓代工市場(chǎng)上，三星公司在14nm節(jié)點(diǎn)上多少還領(lǐng)先臺(tái)積電一點(diǎn)時(shí)間，10nm節(jié)點(diǎn)開始落伍，7nm節(jié)點(diǎn)上則是臺(tái)積電大獲全勝，臺(tái)積電甚至贏得了幾乎所有7nm訂單，三星只有自家Exynos及IBM的7nm訂單，臺(tái)積電也因此宣傳自己在7nm節(jié)點(diǎn)上領(lǐng)先友商1年時(shí)間。

再往后呢？三星、臺(tái)積電也公布了7nm之后的6nm、5nm及3nm工藝了，其中在3nm節(jié)點(diǎn)上臺(tái)積電也投資了200億美元建廠，只不過(guò)他們并沒(méi)有詳細(xì)介紹過(guò)3nm工藝路線圖及技術(shù)水平。

日前三星在美國(guó)的晶圓代工論壇上公布了自家的工藝路線圖，F(xiàn)inFET工藝在7、6、5、4nm之后就要轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝了，3nm節(jié)點(diǎn)開始使用第一代GAA工藝，官方稱之為3GAE工藝。

基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。

根據(jù)三星的路線圖，他們2021年就要量產(chǎn)3GAE工藝了，這時(shí)候臺(tái)積電也差不多要進(jìn)入3nm節(jié)點(diǎn)了，不過(guò)臺(tái)積電尚未明確3nm的技術(shù)細(xì)節(jié)，這意味著三星已經(jīng)在GAA工藝上領(lǐng)先了。

根據(jù)IBS（International Business Strategies）公司CEO Handel Jones的說(shuō)法，三星3nm GAA工藝在技術(shù)上領(lǐng)先了臺(tái)積電1年時(shí)間，領(lǐng)先Intel公司2-3年時(shí)間，可以說(shuō)三星要在3nm節(jié)點(diǎn)上全面反超臺(tái)積電及Intel公司了。

但是三星的野心不止于此，目前尚未有公司宣布3nm之后的半導(dǎo)體工藝，目前大家都認(rèn)為摩爾定律在3nm之后就要徹底失效，遭遇量子物理的考驗(yàn)，而三星則希望借助GAA工藝開發(fā)2nm工藝，未來(lái)甚至要實(shí)現(xiàn)1nm工藝。