業界都謹慎地觀察2019年中國半導體業的發展態勢，用“不確定性”一言以蔽之。

本文擬從以下三個方面，包括2019年全球半導體業的弱勢；中國集成電路產業發展由產能擴充階段轉向產品增長的攻堅戰；以及在貿易戰下心理因素的影響等來初探2019年中國半導體業的增長。

全球半導體業進入下降周期

由于存儲器的強增長，推動全球半導體業連續兩年的高增長，按存儲器業的發展規律今年將轉入下降周期，已成為業界共識。

臺積電1月17日舉行的2018 Q4法說會，雖然去年運營成果交出營收、獲利均創新高的亮麗成績單，然而對于2019年半導體前景卻釋出負面展望，臺積電總裁魏哲家表示，不包含存儲器在內，預估2019年全球半導體產值年增1%，因此今年是“Slow year”。

著名市場分析公司Gartner公布初步調查結果顯示，拜DRAM榮景之賜，2018年全球半導體營收總計4767億美元，較2017年增加13.4%。

Gartner指出，2018年計算機存儲器芯片占半導體總營收的34.8%，高于2017年的31%，持續位居半導體各類別之首，存儲器業營收同比成長27.2%，也最為強勁，主因DRAM平均售價在2018年期間穩步上揚，直到第4季才開始下滑。

另一家著名市場研究機構IC Insights的最新預測，全行業DRAM的銷量2017年增長77%，而2018年預計增長39%，以及預測2019年將下降約1%。

全球半導體業進入下降周期，中國半導體業雖有其獨特性，它仍處于投資成長的階段，但是也不可能獨善其身，因為半導體是全球化的產業。

中國半導體產業轉型處于攻堅戰階段

中國半導體業發展與全球不同步，它具獨特性，所以當全球半導體業已趨成熟，壟斷加劇及兼并減緩時，中國半導體業卻反其道而行之，在國家資金等為主推動下，積極的投資擴充產能。

據SEMI統計顯示，目前國內共計有27座12吋晶園廠，18座8吋晶園廠，其中有10座12吋晶園廠及6座8吋晶園廠處于建設之中。

近時期中國半導體業比較集中的投資項目分別有三座IDM的存儲器制造廠；中芯國際于上海的28nm-14nm的代工廠；華力微上海的二期，以及無錫的華虹12吋廠等。

顯然這些工廠中大部分處于設備安裝，或者試產階段。眾所周知，只要有資金，下定決心建設生產線，相對是容易的，困難的是產能擴充的爬坡階段，它不但需要有強大的技術實力，而且必將面臨競爭對手的打壓，是一場攻堅戰。不管有再大的困難，中國半導體業必須經歷艱苦的歷程，循序前進。因此中國半導體業的產能爬坡周期相對較長，是大概率的事。

對于三家存儲器廠，更要有理性的認識，無論是3D NAND閃存，及19納米DRAM對于中國半導體業都具有里程碑意義，相信它們在試產階段一定能取得成功，困難在于產能爬坡階段。而對于存儲器業拼的是產能以及成本，及IP，未來不可避免的要經受競爭對手的打壓，這些都是成長中的必修課之一。

因此即便沒有貿易戰，中國半導體業由產能擴張階段，轉入產品的攻堅戰，也是一場硬仗。

貿易戰下心理壓力劇增

在貿易戰下中國半導體業面臨新的態勢，美國是步步緊逼，繼中興、晉華之后，正向華為施壓。由于我們處于守勢，對于美國的打壓顯得有些不適應，相信未來這種態勢會持續相當長一段時期。

盡管貿易戰仍在持續，對于中國半導體業的打壓，它們不會收手，而且可能會面臨更嚴峻的態勢。由于眾多的不確定性，導致中國半導體業的發展將承受更大的心理壓力。

在新態勢下中國半導體業要低調，尤其是三家存儲器廠是它們的焦點，過份地張揚會引發它們格外的關注，造成被動。等待中國的存儲器廠能夠初步自主，有一定的產能基礎之后才是最為關鍵。

因此在貿易戰下要學得聰明些，多做少說，抱怨也解決不了任何問題，只有轉變壓力為動力，把危機轉變為契機，奮發圖強，爭口氣把產品搞出來，提升競爭實力及市場份額才是根本。

IC國產化任重道遠

產業發展的”三駕馬車”，即兼并、合資、合作及研發。在現階段對于中國半導體業從國際上兼并之路已幾乎堵死，在合資項目中先進工藝制程技術的轉移將減緩，甚至停止，因此唯有加強研發才是根本之路，但是研發周期長及風險大，短時期內難有回報。

中國半導體業已經連續多年的年均增長率在20%以上，有一定的成績，然而這些成績是在低基數下，并不值得過份的樂觀。近期看到中國半導體業的2018年進口額超過3000億美元，未見任何減少，反映IC國產化道路仍是任重道遠。

因此在三個關鍵因素的影響下，對于2019年中國半導體業的前景要謹慎的樂觀，除了IC設計，封裝業可能維持高增長之外，芯片制造業的增長率非常可能有少許下滑，無論是三家存儲器廠，以及先進工藝制程，如28-14納米等，由于中國半導體業仍處在產業發展的突破階段，離開真正的市場化，投資能取得回報可能性尚小，需要時間上的磨難，因此預計中國的芯片制造業大體上要3-5年之后才能站穩腳根。