三星前不久發布的2018年Q4季度財報指引顯示三星當季盈利會大幅下滑，同比跌減少9%，環比減少38.5%，而盈利暴跌的主要原因就是三星智能手機業務低迷，還有最關鍵的存儲芯片降價，這個趨勢會一直持續到今年上半年。

為了彌補存儲芯片降價周期帶來的影響，三星早就開始強化代工業務了，要趕超臺積電，而這就要跟后者搶先進工藝量產時間了。根據三星高管所說，他們今年下半年會量產7nm EUV工藝，2021年則會量產更先進的3nm GAA工藝。

Tomshardware網站報道，三星晶圓代工業務市場副總Ryan Sanghyun Lee表示三星從2002年以來一直在開發GAA（ Gate-All-Around）技術，通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能。

根據他的消息，三星將在2021年量產3nm GAA工藝。

去年底，三星宣布將在2020年使用4nm GAA工藝。業內觀察人士，如Garner副總裁Samuel Wang對2022年之前量產GAA技術表示懷疑，不過他現在也說三星看起來可能比預期更早地將GAA芯片投入生產。

只不過三星關于3nm GAA工藝何時量產的說法似乎并沒有一個統一的表態，三星晶圓代工業務負責人Eun Seung Jung去年12月在IEDM會議上表示三星已經完成了3nm工藝技術的性能驗證，并且在進一步完善該工藝，目標是在2020年大規模量產。

3nm GAA工藝不論是在2020年還是2021年量產，現在都還有點遠，三星今年主推的是7nm EUV工藝，預計今年下半年量產——盡管三星去年就宣布7nm EUV工藝能夠量產了，實際上之前所說的量產只是風險試產，遠沒有達到 規模量產的底部，今年底量產才是有可能的。

在7nm EUV工藝上，臺積電之前也宣布今年量產，看起來三星的進度優勢也沒有了，不過三星在7nm EUV工藝上有自己開發的光罩檢查工具，而其他家還沒有類似的商業工具。