集成電路是培育戰略性新興產業、發展信息經濟的重要支撐，在信息技術領域的核心地位十分突出。改革開放后，我國加快集成電路產業建設，先后啟動908工程、909工程等重大項目，集成電路業實現高速發展。特別是黨的十八大以來，我國集成電路產業實力得到快速提升。中國集成電路產業銷售額從2013年的2508.5億元，增長到2017年的5411.3億元，5年間增長了一倍。2018年1—9月中國集成電路產業銷售額為4461.5億元，同比增長22.4%。

IC設計龍頭帶動作用日趨明顯

IC設計是集成電路產業鏈的龍頭，設計企業的發展直接影響著制造和封裝等產業鏈上下游眾多環節。近幾年來，我國IC設計業發展非常迅速。中國半導體行業協會集成電路設計分會的數據顯示，至2018年年底，全國共有1698家設計企業，比去年的1380家多了318家，數量增長了23%。這是2016年設計企業數量大增600多家后，再次出現企業數量大增的情況。從統計數量上看，除了北京、上海、深圳等傳統設計企業聚集地外，無錫、成都、蘇州、合肥等城市的設計企業數量都超過100家，西安、南京、廈門等城市的設計企業數量接近100家，天津、杭州、武漢、長沙等地的設計企業數量也有較大幅度的增加。

IC設計企業數量增長的同時，規模以上企業也在增加。據中國半導體行業協會集成電路設計分會理事長魏少軍介紹，2018年預計有208家IC設計企業的銷售額超過1億元，比2017年的191家增加17家，增長8.9%。同時，這208家銷售過億元的企業銷售總和達到2057.64億元，比上年的1771.49億元增加了286.15億元，占全行業銷售總和的比例為79.85%。

從產品類型上看，我國企業在通信芯片上的實力已逐步進入國際一線陣營。紫光展銳已開發出5G原型pilot-v2平臺，將在2019年推出5G芯片，實現5G芯片的商用。2018年從事通信芯片設計的企業從2017年的266家增加到307家，對應的銷售總額提升了16.34%，達到1046.75億元。此外，計算機芯片與消費類芯片也有較強增長。從事計算機芯片設計的企業數量從去年的85家增加到109家，銷售大幅提升了180.18%，達到359.41億元。消費類電子的企業數量從上年的610家增加到783家，銷售增長36.46%，達617.24億元，繼續保持了2017年的快速增長勢頭。

建立了相對完整的產業鏈

設計的發展離不開晶圓制造、封測、裝備、材料等產業鏈支撐，以往我國晶圓制造業技術距離國際先進水平約有二代左右的差距，裝備、材料上的差距更大，但是經過這些年的追趕，已經有了較大幅度的提高。

封裝業一直是國內實力較強的領域，近年來積極推進先進封裝的發展，從中低端進入高端領域，競爭力大幅提升。根據中國半導體行業協會封裝分會統計數據，2017年國內集成電路封測業銷售收入由2016年的1523.2億元增加至1816.6億元，同比增長19.3%，國內IC封測業規模企業為96家，從業人數達15.6萬。長電科技實現了高集成度和高精度SiP模組的大規模量產，通富微電率先實現7nm FC產品量產，華天科技開發了0.25mm超薄指紋封裝工藝，實現了射頻產品4G PA的量產。

關鍵裝備和材料則實現了從無到有的轉變，整體水平達到28納米，部分產品進入14納米~7納米，被國內外生產線采用。目前，國內關鍵裝備品種覆蓋率達到31.1%，先進封裝裝備品種覆蓋率80%。

在材料方面，200mm硅片產品品質顯著提升，高品質拋光片、外延片開始進入市場。300mm硅片產業化技術取得突破，90納米~65納米產品通過用戶評估，開始批量銷售。測射耙材及超高純金屬材料取得整體性突破，形成相對完整的耙材產品體系。銅和阻擋層拋光液國內市場占有率超過50%，并進入國際市場。NF3、WF6等氣體產業化技術達到世界領先，國內市占率超過70%，并進入國際市場。磷烷、砷烷和安全離子源產品形成自主供應能力。

積極追蹤新材料技術步伐

新材料產業成為未來高新技術產業發展的先導和基石，其中，寬禁帶半導體材料是新材料的代表之一。近年來，在國內企業、科研院所、高等院校等共同的努力下，建成或正在建設十余條4英寸～6英寸碳化硅芯片工藝線和6英寸～8英寸硅基氮化鎵芯片工藝線，形成了技術積累，縮小了與國外先進水平的差距。

我國碳化硅外延材料的研發和產業化水平緊緊跟隨國際水平，產品已打入國際市場。在產業化方面，我國20μm及以下的碳化硅外延材料產品水平接近國際先進水平；在碳化硅功率器件上，我國具備了1200V～3300V SiC MOSFET、1200V～4500V SiC JFET等芯片的研發能力，最大單芯片電流容量25A。目前國內有多家企業建成或正在建設多條碳化硅芯片工藝線，這些工藝線的投產，將會大大提升國內碳化硅功率器件的產業化水平。

我國在平面型氮化鎵功率器件領域的發展緊跟國際步伐，晶圓尺寸以6英寸為主，并開發出了900V及以下電壓等級的硅基氮化鎵器件樣品。近年來，國內也開始了垂直氮化鎵功率器件的研發，開發了最高阻斷電壓1700V的氮化鎵二極管樣品。我國氮化鎵射頻器件近年來取得迅速發展，并已形成產業化公司，器件性能達到國際先進水平。