根據市場分析公司Yole Developpement的數據，經過40多年的發展，PCM將迎來迅速發展的大時代，并在2023年實現約50億美元的年銷售額。

其市場份額將會從2018年的2.73億美元增長到2023的61億美元，這將占每年獨立的新興非易失性存儲器市場份額的83％，這是一個約86％的復合年增長率。

預計到2023年， ReRAM的銷售額將從2018年幾乎微不足道的份額增長到銷售額排名第二的位置。

新興的非易失性存儲器市場受到來自獨立的和嵌入式應用技術市場的沖擊。

獨立非易失性存儲器的增長將主要通過SCM及推動基于PCM的3D XPoint存儲器的Intel和Micron來推動。值得注意的是，海力士正在研究類似于英特爾和美光的方法。

Yole的分析師Simone Bertolazzi在一份聲明中說：“雖然圍繞嵌入式應用的新興NVM正在發展，但獨立存儲器將會主導市場，這主要由SCM企業和客戶端應用驅動。”

Yole的高級分析師Yann de Charentenay表示，DRAM的擴展在未來五年內仍會繼續，但速度將比以前慢。由于3D集成技術的發展，NAND閃存的容量也將不斷增加。因此，新興的NVM不會取代獨立的DRAM和NAND閃存，但會在組合存儲器中對其進行補充。

Yole表示，ReRAM有望成為第一個與3D XPoint相競爭的獨立技術，但由于技術挑戰，ReRAM的發展相對較為緩慢。獨立的ReRAM的主要支持者是Crossbar Inc.和Nantero Inc.

新興的非易失性存儲器因應用而發展。

Yole聲稱ReRAM可能在2020年之后再次競爭SCM。由于高速和高耐久性，STT-MRAM也很有前景，但制造工藝更復雜。

相比之下，對于新興非易失性存儲器的嵌入式市場，STT-MRAM正在為微控制器增添動力。Yole說，所有主要的代工廠都參與了這個領域。

與獨立市場相比，嵌入式新興NVM市場規模較小，占2017年新興NVM市場的3％左右。然而，所有頂級代工廠都在準備28nm或22nm的STT-MRAM產品，中芯國際和聯華電子將ReRAM推遲了約兩年。

Yole預測，到2023年，STT-MRAM將占據每年11億美元的市場份額的四分之三左右，其余大部分將用于ReRAM技術。

目前尚不清楚Yole是如何衡量嵌入式存儲器市場的，因為存儲器的價值已經包含在嵌入存儲器的微控制器和SoC的銷售價格中。

作為嵌入式NVM，Yole給予PCM很小的市場份額。STMicroelectronics是迄今為止唯一宣布有意使用該技術的公司。