近期由美國司法部長親自出面召開記者招待會，非常少見，并公布了針對***聯華電子、福建晉華集成電路有限公司以及三位個人的起訴書，狀告他們合謀竊取美國半導體公司美光(Micron)有關記憶存儲設備產品研發的商業機密。美方消息顯示，由于這兩家企業涉嫌竊取的技術產權價值超過87.5億美元，所以聯華與晉華恐面臨200億美元罰款。

據***地區力晶集團創辦人黃崇仁的說法，美國早就緊盯晉華，已不是一天兩天的事，就他所了解的美光，是要確保中國不能發展DRAM，透過這次晉華案，可看出美國不愿意讓中國發展半導體的強烈意圖，因為美國無法忍受，過去花了20 幾年的努力，一下就被中國進來吞食。

據傳美方指控的重要理由之一，即晉華、聯電開發DRAM技術時缺少多次實驗或者實驗設計與分析的過程，而懷疑可能是通過芯片的“反向工程”解剖得到的。

目前的狀況是聯電發表了一個聲明，聲稱公司自成立以來積累了近15年制造DRAM產品的經驗，掌握并保存了豐富的DRAM知識和經驗。聯電的DRAM技術基礎里的元件設計，是完全不同于美光公司的設計。但是聯電的所有人員，包括正在安裝設備的廠商，如應用材料、Lam、KLA等已經撤離晉華，致使晉華項目事實上已經很難再進行下去。國不依不饒打擊晉華

原因肯定是錯綜復雜，然而美中貿易戰是主導。從根本上中國要迅速崛起，可能會影響到美國在全球的獨霸地位。但是之前雙方的基調是“求大同存小異”，而如今美方改變了策略，要全力遏制中國的進步，導致中國半導體業發展成為首當其沖，而美方高調打擊晉華是為了遏制中國在存儲器方面的進步。

選擇打擊晉華，可能與存儲器業的特點有關；因為全球半導體最主要的兩大通用器件系列，CPU與存儲器，相比較CPU的設計復雜、工藝難度大、加上應用需要操作系統配合等，中國奮斗了數十年有些成績，但是成效可能不大。

而對于存儲器，由于設計簡單、工藝步驟少，主要依賴于持續的強投資，擴充產能，及生產線嚴格管理，不懼怕周期性的虧損等。加上中國每年消費存儲器約800億美元，扣去外資之外，自用的比例也很高，因此僅國內市場需求已夠規模。

另外，近期中國半導體業發展主要依靠國家與地方政府等資金，目前已經上馬三家存儲器廠，分別是長江存儲、長鑫及晉華、加上紫光高調在成都、南京還要建存儲器廠。且傳說中投入的資金額，僅紫光一家要投入1,000億美元，似乎這一切向世界宣告，中國半導體業試圖通過存儲器作為切入點，一定要進入IDM芯片制造。

市場特別擔心讓中國產品進入，打起價格戰，誰也無法抗拒，一定會把市場攪亂，目前的存儲器市場將發生大變。所以它們從根本上要打擊中國存儲器業的崛起，企圖扼死在萌芽狀態之中。從另一方面也充分表明中國做存儲器有可能取得成功，但是必須要過專利糾紛這個關口。

如果比較之前中芯國際與臺積電的專利糾紛，它僅是個專利侵權問題，所以罰款及割股能擺平，而如今的晉華項目，美國已把它上升到竊取商業機密，以及威脅國家安全，因此一紙貿易禁售令，導致晉華項目停頓，可能難以繼續運行下去。

讓業界感覺有些不可思議的是晉華的產品尚未面市，一切的結論尚早，美國就開始動手，它的底氣來自那里？在分析整個亊件中，實際上聯電幾乎沒有直接的經濟利益損失，而晉華的資金來源，主要是地方政府等，因此晉華一定正等待扭轉被動的局面。但是分析晉華與之前的中興事件可能不太一樣，一方面是晉華項目剛啟動，損失與影響尚不是很大，而中興已是8萬人的重要通訊國企，另一方面晉華項目是除了僅有資金與土地之外，在技術與人材等方面嚴重缺乏，加上一切主導權都掌控在聯電手中，項目有先天性差異。

放在中國半導體業面前已經沒有退路，必須丟掉幻想去迎接戰斗，因為今天的問題有些談判或許可能解決，但是有些靠談判是解決不了的，需要的是實力地位。所以要學會變得聰明些，現在還不到硬拼的時候。

美國的作法也十分明顯，試圖通過晉華事件達到警示作用，阻撓中國存儲器業的任何進步，正如有些媒體分析，下一個中“槍”的可能會是誰？

從晉華事件也反映在中國半導體業發展過程中，由于基礎很脆弱，許多“命門”尚卡在別人手中，包括如硅片、EDA工具及設備與材料等，都需要大量的進口。盡管把發展中國半導體業視作是國策，相信不會因此而有任何的退縮。但是必須十分清醒；產業發展的環境正在進一步變差，我們的決心在那里？以及準備好了嗎？

中國半導體業發展求得公平競爭的機會可能是一種奢望，對于中國半導體業發展的環境可能要作出會更差一些的各種準備與對策，所以一定要更加努力，更加團結，更加的策略，以及低調務實、少說大話、轉變圧力為動力，爭一口氣，哪怕慢些，也一定要把中國半導體業推向成功。