Veeco Instruments Inc.（納斯達克股票代碼：VECO）和ALLOS Semiconductors GmbH在11月8號宣布了其合作開發另一個階段的完成，這項合作旨在為業內Micro-LED的生產提供先進的硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon）外延片。兩家公司最近這次合作的目的正是希望向一些全球著名的消費電子產品公司展示其200毫米硅基氮化鎵外延片技術的可重復性，該外延片由ALLOS使用Veeco的Propel?MOCVD反應器制成。

“為了讓Micro-LED技術正真投入生產，簡單實現單個指標參數的最佳化是遠遠不夠的。每個晶圓的整套規格都必須具備最高的良率和可重復性，”Veeco化合物半導體業務部高級副總裁兼總經理Peo Hansson博士說道，“這次合作的成功再次證明了將Veeco在MOCVD領域的專業知識與ALLOS的硅基氮化鎵外延片技術相結合所帶來的巨大潛力。它為Micro-LED技術在客戶端的盡快采用提供了一種新穎的，經過驗證且可靠的方法。”

篩選（Sorting）和分級（binning）是實現傳統LED波長一致性的標準方法。但是Micro-LED太小且數量巨大，無法進行這樣的篩選和分級，因此外延沉積的均勻性至為關鍵。實現Micro-LED顯示器大規模生產最重要的因素是滿足發射波長極端的均勻性要求，Micro-LED發射波長方面的高度均勻性可以免除對單個Micro-LED芯片進行測試和分選的需求。依據應用和轉移方法的不同，業內外延片發射波長的均一性要求做到+/- 1 nm至+/- 4 nm不等。通過這一項目的合作，Veeco和ALLOS進一步提高了發射波長的均勻性，晶圓上最佳的標準偏差僅為0.85 nm，這也是業界首次在生產系統上測得。

“Veeco和ALLOS驗證了晶圓到晶圓的可重復性，所有晶圓發射波長標準偏差的均值為1.21 nm，峰值波長在+/- 0.5 nm范圍內。這些結果表明我們朝著外延片層面+/- 1 nm分級的目標又邁出一大步，”ALLOS首席執行官Burkhard Slischka說道，“我們的技術已經可以在200毫米直徑的晶圓上使用，這意味著在低成本、高產率的硅基線上生產Micro-LED芯片成為可能。此外，我們還有一個明確的技術路線圖，那就是將該技術從200毫米拓展到300毫米。”

顯示技術領域的眾多創新者都將Micro-LED作為下一個帶來巨大轉變的技術。根據研究公司Yole的說法，到2025年，Micro-LED顯示器的市場可能達到3.3億片。這種樂觀的預測得益于Micro-LED技術（邊長低于100微米）帶來的巨大潛力，它被認為是實現更低功耗終極顯示器的關鍵技術。不過，這種顯示器的開發一直受到材料成本和芯片轉移技術的阻礙。隨著持續和客戶在改進硅基氮化鎵外延片和Micro-LED轉移技術方面的合作，Veeco和ALLOS正在有效地解決這些挑戰。

2018年11月12日，這兩家合作公司將在于日本金澤舉行的國際氮化物半導體研討會（IWN）上展示其更多的突破性成果和細節。

關于Veeco：

Veeco是一家具有創新能力的半導體工藝設備制造商。該公司產的MOCVD、光刻、激光退火、離子束、單晶圓蝕刻和清潔等技術，在固態照明與顯示器用LED和先進半導體器件的制造過程中發揮著不可或缺的作用。憑借這些高性能、高產量的設備，Veeco在所有這些服務市場中處于技術領導地位。

關于ALLOS半導體：

ALLOS是一家知識產權許可和技術工程公司，正致力于幫助全球半導體行業的客戶掌握硅基氮化鎵技術，并希望推進該市場的成長。ALLOS正在為其專有技術和專利提供許可，這些技術和專利可以用到客戶的MOCVD反應器中。此外，ALLOS還為下一代硅基氮化鎵技術的開發提供客戶定制方案和咨詢服務。