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64GB 288 - Pin DDR4 RDIMM詳細介紹

chencui ? 2026-04-08 15:30 ? 次閱讀
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64GB 288 - Pin DDR4 RDIMM詳細介紹

在當今高速發展的電子科技領域,內存模塊的性能和容量對系統的運行起著至關重要的作用。今天,我們就來深入探討一下Micron的64GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 RDIMM。

文件下載:MTA36ASF8G72PZ-3G2E1.pdf

一、產品概述

這款64GB的288 - Pin DDR4 RDIMM是對Micron DDR4 RDIMM核心數據表的補充和升級。它具備DDR4的各項功能和操作特性,遵循組件數據表中的定義,同時支持Micron DDR4 RDIMM核心數據表中的特性和規格。

二、產品特性

1. 物理規格

  • 采用288 - pin的注冊雙列直插式內存模塊(RDIMM)設計,這種設計在穩定性和擴展性方面表現出色。

    2. 數據傳輸速率

  • 支持快速的數據傳輸速率,包括PC4 - 3200和PC4 - 2933,能夠滿足不同應用場景下對數據傳輸速度的要求。

    3. 容量與結構

  • 總容量為64GB,具體為8 Gig x 72。采用雙列設計,內部有16個存儲體,分為4組,每組4個存儲體。

三、產品選項

1. 工作溫度

  • 商業級工作溫度范圍為0°C ≤ TPER ≤ 95°C。

    2. 封裝

  • 采用288 - pin DIMM(無鹵)封裝,標記為Z。

    3. 頻率與CAS延遲

  • 當頻率為DDR4 - 3200(0.625ns @ CL = 22)時,標記為 - 3G2;當頻率為DDR4 - 2933(0.682ns @ CL = 21)時,標記為 - 2G9。

四、尋址參數

Parameter 64GB
Row address 256K A[17:0]
Column address 1K A[9:0]
Device bank group address 4 BG[1:0]
Device bank address per group 4 BA[1:0]
Device configuration 16Gb (4 Gig x 4), 16 banks
Module rank address 2 CS_n[1:0]

這些尋址參數為內存的高效訪問提供了基礎,工程師在設計系統時需要根據這些參數來優化內存的使用。

五、部件編號與時序參數

部件編號 模塊密度配置 內存時鐘/數據速率 帶寬 模塊時鐘周期 (CL - nRCD - nRP)
MTA36ASF8G72PZ - 3G2__ 64GB 8 Gig x 72 0.625ns/3200 MT/s 25.6 GB/s 22 - 22 - 22
MTA36ASF8G72PZ - 2G9__ 64GB 8 Gig x 72 0.682ns/2933 MT/s 23.47 GB/s 21 - 21 - 21

這里需要注意的是,所有部件編號末尾都有一個兩位代碼(未顯示),用于指定組件和PCB的版本,具體版本代碼需要咨詢廠家。

六、重要注意事項和警告

1. 產品變更

Micron保留對文檔中信息進行更改的權利,包括規格和產品描述等。本文件取代之前提供的所有信息。

2. 汽車應用

除非Micron在其數據表中明確指定為汽車級產品,否則該產品不適合用于汽車應用。如果將非汽車級產品用于汽車應用,經銷商和客戶需承擔全部風險和責任,并賠償Micron因此產生的所有索賠、成本、損失和費用。

3. 關鍵應用

該產品不授權用于關鍵應用,即Micron組件的故障可能直接或間接導致死亡、人身傷害、嚴重財產或環境損害的應用。客戶需要在其應用中加入安全設計措施,以防止此類損害的發生。

4. 客戶責任

客戶負責使用Micron產品的系統、應用和產品的設計、制造和操作。所有半導體產品都有固有的故障率和有限的使用壽命,客戶有責任確定Micron產品是否適合其系統、應用或產品,并確保應用和產品中包含足夠的設計、制造和操作保障措施。

5. 有限保修

除非Micron正式授權代表簽署的書面協議中明確規定,否則Micron不對任何間接、偶然、懲罰性、特殊或后果性損害負責。

七、DQ映射

文檔中提供了詳細的組件到模塊的DQ映射表,包括正面(R/C - B3)和背面(R/C - B3)的映射關系。這些映射關系對于工程師在設計電路板時正確連接內存模塊和其他組件至關重要。

八、功能框圖

功能框圖展示了該內存模塊的內部結構和信號連接方式。從圖中可以看到,模塊分為Rank 0(U2 - U6, U8 - U20)和Rank 1(U21 - 38),包含了各種控制、命令、地址和時鐘線的連接,以及數據傳輸和校準相關的信號。每個DDR4組件上的ZQ球連接到一個外部240Ω ±1%的接地電阻,用于組件的ODT和輸出驅動器的校準。

在實際的電子設計中,我們需要根據這些信息來合理布局電路板,確保信號的穩定傳輸和內存模塊的正常工作。大家在使用這款內存模塊時,是否遇到過一些特殊的問題或者有獨特的設計思路呢?歡迎在評論區分享交流。

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