onsemi NVMJD020N08HL雙N溝道MOSFET深度解析

在電子設計領域，MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其性能和特性對于電路的穩定性和效率起著至關重要的作用。今天我們就來深入了解一下onsemi的NVMJD020N08HL雙N溝道MOSFET。

文件下載：NVMJD020N08HL-D.PDF

產品概述

NVMJD020N08HL是一款80V、19.5mΩ、30A的雙N溝道功率MOSFET。它采用了LFPAK8封裝，具有小尺寸（5x6 mm）的特點，非常適合緊湊型設計。該器件具備低導通電阻（(R{DS(on)})）和低柵極電荷（(Q{G})）及電容，能有效降低導通損耗和驅動損耗。此外，它還通過了AEC - Q101認證，符合PPAP要求，并且是無鉛產品，滿足RoHS標準。

關鍵參數

最大額定值

熱阻參數

注：整個應用環境會影響熱阻值，這些值不是常數，僅在特定條件下有效；表面貼裝在FR4板上，使用(650mm^{2})、2 oz.的銅焊盤；脈沖長達1秒的最大電流更高，但取決于脈沖持續時間和占空比。

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS})在(V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A)時為80V，溫度系數為57mV/(^{circ}C)。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS})在(V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T{J}=25^{circ}C)時為10nA，(T_{J}=125^{circ}C)時為100nA。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS})在(V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V)時給出相關參數。

導通特性

• 柵極閾值電壓：(V{GS(TH)})在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=30mu A)時，最小值為1.2V，最大值為2.0V。
• 漏源導通電阻：(R{DS(on)})在(V{GS}=10V)時，典型值為16.7mΩ，最大值為19.5mΩ；在(V{GS}=4.5V)，(I{D}=15A)時，典型值為21mΩ，最大值為25mΩ。
• 正向跨導：(g{FS})在(V{DS}=8V)，(I_{D}=15A)時給出相關參數。

電荷、電容和柵極電阻特性

開關特性

在(V{GS}=10V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=15A)，(R{G}=1Omega)的條件下：

• 開通延遲時間(t_{d(ON)})為6ns。
• 上升時間(t_{r})為3ns。
• 關斷延遲時間(t_{d(OFF)})為16ns。
• 下降時間(t_{f})為2ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：(V{SD})在(V{GS}=0V)，(I_{S}=15A)，(T = 25^{circ}C)時，典型值為0.87V，最大值為1.2V；(T = 125^{circ}C)時，典型值為0.76V。
• 反向恢復時間：(t{RR})在(V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/mu s)，(I{S}=15A)時為25ns。
• 反向恢復電荷：(Q_{RR})為18nC。

典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓和漏極電流的關系、導通電阻隨溫度的變化、漏源泄漏電流與電壓的關系、電容變化、柵源與總電荷的關系、電阻性開關時間隨柵極電阻的變化、二極管正向電壓與電流的關系、最大額定正向偏置安全工作區、峰值電流與雪崩時間的關系以及熱響應等。這些曲線能幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現。

訂購信息

器件型號為NVMJD020N08HLTWG，標記為020N08HL，采用LFPAK8雙無鉛封裝，每卷3000個。

封裝尺寸

LFPAK8封裝尺寸有詳細規定，包括各部分的最小、標稱和最大尺寸，同時對尺寸的測量和公差等也有明確說明。

應用注意事項

在使用NVMJD020N08HL時，需要注意以下幾點：

1. 應力超過最大額定值可能會損壞器件，若超過這些限制，不能保證器件功能正常，可能會造成損壞并影響可靠性。
2. 產品的參數性能是在特定測試條件下給出的，若在不同條件下工作，產品性能可能與電氣特性不一致。
3. 脈沖測試條件為脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%；開關特性與工作結溫無關。

總之，NVMJD020N08HL雙N溝道MOSFET以其出色的性能和特性，在電子設計中具有廣泛的應用前景。工程師們在設計電路時，可以根據具體需求合理選擇和使用該器件。大家在實際應用中是否遇到過類似MOSFET的使用問題呢？歡迎在評論區分享交流。