深入解析 onsemi NVMYS008N08LH 單通道 N 溝道功率 MOSFET
深入解析 onsemi NVMYS008N08LH 單通道 N 溝道功率 MOSFET
在電子設計領域，MOSFET 作為關鍵的功率器件，廣泛應用于各種電路中。今天，我們來詳細探討 onsemi 推出的 NVMYS008N08LH 單通道 N 溝道功率 MOSFET，看看它有哪些獨特的特性和優勢。
文件下載：NVMYS008N08LH-D.PDF
產品概述
NVMYS008N08LH 是 onsemi 旗下一款高性能的功率 MOSFET，具備 80V 的耐壓能力，極低的導通電阻 (R_{DS(on)}) 僅為 8.8 mΩ，最大連續漏極電流可達 59A。它采用了緊湊的 5x6 mm LFPAK4 封裝，非常適合對空間要求較高的設計。
特性亮點
1. 緊湊設計
該 MOSFET 采用 5x6 mm 的小尺寸封裝，能有效節省 PCB 空間，對于一些追求小型化的電子設備設計來說，無疑是一個理想的選擇。比如在便攜式電子設備、小型電源模塊等應用中，緊湊的設計可以讓產品更加輕薄。
2. 低損耗特性
- 低 (R_{DS(on)})：低導通電阻能夠顯著降低導通損耗，提高功率轉換效率。在高電流應用中，這一特性可以減少發熱，延長器件的使用壽命。
- 低 (Q_{G}) 和電容：低柵極電荷 (Q_{G}) 和電容能夠降低驅動損耗，提高開關速度，使電路的響應更加迅速。
3. 行業標準封裝
LFPAK4 封裝是行業標準封裝，具有良好的兼容性和可互換性，方便工程師進行設計和替換。
4. 汽車級認證
該器件通過了 AEC - Q101 認證，并且具備 PPAP 能力，適用于汽車電子等對可靠性要求較高的應用場景。
5. 環保特性
NVMYS008N08LH 是無鉛產品，符合 RoHS 標準，滿足環保要求。
電氣特性
1. 最大額定值
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | 80 | V |
| 柵源電壓 | (V_{GS}) | ±20 | V |
| 穩態連續漏極電流（(T_{C}=25^{circ}C)） | (I_{D}) | 59 | A |
| 穩態連續漏極電流（(T_{C}=100^{circ}C)） | (I_{D}) | 42 | A |
| 功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)） | (P_{D}) | 73 | W |
| 功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)） | (P_{D}) | 37 | W |
| 脈沖漏極電流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)） | (I_{DM}) | 319 | A |
| 工作結溫和存儲溫度范圍 | (T{J})，(T{stg}) | - 55 至 +175 | °C |
| 源極電流（體二極管） | (I_{S}) | 61 | A |
| 單脈沖漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 3.4A)） | (E_{AS}) | 267 | mJ |
| 焊接用引腳溫度（距外殼 1/8″，10s） | (T_{L}) | 260 | °C |
2. 電氣特性參數
| 參數 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 關斷特性 | ||||||
| 漏源擊穿電壓 | (V_{(BR)DSS}) | (V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A) | 80 | - | - | V |
| 漏源擊穿電壓溫度系數 | (frac{Delta V{(BR)DSS}}{Delta T{J}}) | - | - | 45.7 | - | mV/°C |
| 零柵壓漏極電流 | (I_{DSS}) | (V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T_{J}=25^{circ}C) | - | - | 10 | (mu A) |
| (V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T_{J}=125^{circ}C) | - | - | 100 | nA | ||
| 柵源泄漏電流 | (I_{GSS}) | (V{DS}=0V)，(V{GS}=±20V) | - | - | ±100 | nA |
| 導通特性 | ||||||
| 柵極閾值電壓 | (V_{GS(TH)}) | (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=70mu A) | 1.2 | 2.0 | - | V |
| 閾值溫度系數 | (frac{Delta V{GS(TH)}}{Delta T{J}}) | - | - | -5.2 | mV/°C | |
| 漏源導通電阻 | (R_{DS(on)}) | (V{GS}=10V)，(I{D}=10A) | 7.2 | 8.8 | - | mΩ |
| (V{GS}=4.5V)，(I{D}=10A) | 8.8 | 11 | - | mΩ | ||
| 正向跨導 | (g_{FS}) | (V{DS}=8V)，(I{D}=10A) | - | 84 | - | S |
| 電荷、電容和柵極電阻 | ||||||
| 輸入電容 | (C_{ISS}) | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V) | - | 1420 | - | pF |
| 輸出電容 | (C_{OSS}) | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V) | - | 192 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | (C_{RSS}) | (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V) | - | 11 | - | pF |
| 總柵極電荷 | (Q_{G(TOT)}) | (V{GS}=10V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 25 | - | nC |
| (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 12 | - | nC | ||
| 閾值柵極電荷 | (Q_{G(TH)}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 2.4 | - | nC |
| 柵源電荷 | (Q_{GS}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 4.6 | - | nC |
| 柵漏電荷 | (Q_{GD}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 4.3 | - | nC |
| 平臺電壓 | (V_{GP}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)；(I_{D}=30A) | - | 3.1 | - | V |
| 開關特性 | ||||||
| 導通延遲時間 | (t_{d(ON)}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega) | - | 37 | - | ns |
| 上升時間 | (t_{r}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega) | - | 87 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | (t_{d(OFF)}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega) | - | 22 | - | ns |
| 下降時間 | (t_{f}) | (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=30A)，(R{G}=2.5Omega) | - | 8 | - | ns |
| 漏源二極管特性 | ||||||
| 正向二極管電壓 | (V_{SD}) | (V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=25^{circ}C) | 0.81 | - | 1.2 | V |
| (V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=125^{circ}C) | - | - | 0.65 | V | ||
| 反向恢復時間 | (t_{RR}) | (V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A) | - | 39 | - | ns |
| 充電時間 | (t_{a}) | (V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A) | - | 23 | - | ns |
| 放電時間 | (t_{b}) | (V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A) | - | 16 | - | ns |
| 反向恢復電荷 | (Q_{RR}) | (V{GS}=0V)，(frac{dI{S}}{dt}=100A/mu s)，(I_{S}=30A) | - | 36 | - | nC |
典型特性曲線
文檔中還給出了一系列典型特性曲線，包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻與柵源電壓關系、導通電阻與漏極電流和柵極電壓關系、導通電阻隨溫度變化、漏源泄漏電流與電壓關系、電容變化、柵源與總電荷關系、電阻性開關時間隨柵極電阻變化、二極管正向電壓與電流關系、最大額定正向偏置安全工作區、雪崩時峰值電流與時間關系以及熱響應等曲線。這些曲線可以幫助工程師更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現。
應用注意事項
1. 熱阻問題
整個應用環境會影響熱阻數值，熱阻不是常數，僅在特定條件下有效。例如，表面貼裝在使用 (650mm^{2})、2 oz. 銅焊盤的 FR4 板上時，熱阻會有所不同。在設計時，需要根據實際應用環境來評估熱阻，確保器件在安全的溫度范圍內工作。
2. 脈沖電流
最大脈沖電流與脈沖持續時間和占空比有關，在使用脈沖電流時，需要根據具體的脈沖參數來確定最大電流值。
3. 適用范圍
該產品不適合用于生命支持系統、FDA 3 類醫療設備或在國外司法管轄區具有相同或類似分類的醫療設備，以及用于人體植入的設備。如果購買或使用該產品用于此類非預期或未經授權的應用，買方需要承擔相應的責任。
總結
NVMYS008N08LH 單通道 N 溝道功率 MOSFET 憑借其緊湊的設計、低損耗特性、行業標準封裝以及汽車級認證等優勢，在眾多電子應用中具有很大的吸引力。工程師在設計過程中，需要充分考慮其電氣特性和應用注意事項，以確保電路的性能和可靠性。大家在實際應用中有遇到過類似 MOSFET 的問題嗎？歡迎在評論區分享你的經驗和見解。
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