Onsemi ECH8690功率MOSFET：低導通電阻的理想之選

在電子設計領域，功率MOSFET是不可或缺的關鍵元件，其性能直接影響到電路的效率和穩定性。今天，我們來深入了解Onsemi公司的ECH8690功率MOSFET，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些優勢。

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產品概述

ECH8690是一款采用Onsemi溝槽技術生產的互補雙功率MOSFET，專為低導通電阻應用而設計。該器件采用SOT - 28FL/ECH8封裝（CASE 318BF），具備N溝道和P溝道MOSFET，適用于對導通電阻要求較低的各種應用場景。

產品特性

低導通電阻

• N溝道：典型導通電阻 (R_{DS(on)} = 42 mOmega)。
• P溝道：典型導通電阻 (R_{DS(on)} = 73 mOmega)。 低導通電阻意味著在電路中能夠減少功率損耗，提高效率，這對于追求高能量轉換效率的設計來說至關重要。

內置保護二極管

提供4V驅動能力，增強了器件的可靠性和穩定性，能有效保護電路免受異常電壓和電流的影響。

環保特性

該器件符合無鉛、無鹵素和RoHS標準，滿足環保要求，有助于電子設備制造商滿足相關法規。

電氣連接與標識

電氣連接

ECH8690的引腳定義清晰，方便工程師進行電路設計。具體引腳功能如下：

• 引腳1：Source1
• 引腳2：Gate1
• 引腳3：Source2
• 引腳4：Gate2
• 引腳5、6：Drain2
• 引腳7、8：Drain1

標識圖

器件上有清晰的標識，包括批次號等信息，便于生產管理和追溯。

絕對最大額定值

超過這些額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

N溝道特性

• 擊穿電壓 (V_{(BR)DSS})：60V（(I{D} = 1 mA)，(V{GS} = 0 V)）
• 零柵壓漏極電流 (I_{DSS})：1 (mu A)（(V{DS} = 60 V)，(V{GS} = 0 V)）
• 柵源泄漏電流 (I_{GSS})：±10 (mu A)（(V{GS} = ±16 V)，(V{DS} = 0 V)）
• 截止電壓 (V_{GS(off)})：1.2 - 2.6V（(V{DS} = 10 V)，(I{D} = 1 mA)）
• 正向傳輸導納 (|y_{fs}|)：4.2 S（(V{DS} = 10 V)，(I{D} = 2 A)）
• 靜態漏源導通電阻 (R_{DS(on)})：不同條件下有不同值，如 (I{D} = 2 A)，(V{GS} = 10 V) 時，典型值為42 (mOmega)，最大值為55 (mOmega)。

P溝道特性

• 擊穿電壓 (V_{(BR)DSS})： - 60V（(I{D} = - 1 mA)，(V{GS} = 0 V)）
• 零柵壓漏極電流 (I_{DSS})： - 1 (mu A)（(V{DS} = - 60 V)，(V{GS} = 0 V)）
• 柵源泄漏電流 (I_{GSS})：±10 (mu A)（(V{GS} = ±16 V)，(V{DS} = 0 V)）
• 截止電壓 (V_{GS(off)})： - 1.2 至 - 2.6V（(V{DS} = - 10 V)，(I{D} = - 1 mA)）
• 正向傳輸導納 (|y_{fs}|)：3.4 S（(V{DS} = - 10 V)，(I{D} = - 1.5 A)）
• 靜態漏源導通電阻 (R_{DS(on)})：不同條件下有不同值，如 (I{D} = - 1 A)，(V{GS} = - 10 V) 時，典型值為73 (mOmega)，最大值為94 (mOmega)。

典型特性曲線

數據手冊中提供了豐富的典型特性曲線，包括 (I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{A}) 等曲線。這些曲線直觀地展示了器件在不同工作條件下的性能表現，幫助工程師更好地理解和應用該器件。例如，通過 (R{DS(on)}-V{GS}) 曲線，我們可以了解到導通電阻隨柵源電壓的變化情況，從而選擇合適的驅動電壓來優化電路性能。

訂購信息

ECH8690的產品型號為ECH8690 - TL - H（無鉛/無鹵素），采用SOT - 28FL/ECH8封裝，每盤3000個，采用帶盤包裝。關于帶盤規格的詳細信息，可參考相關的包裝規格手冊。

使用注意事項

由于ECH8690是MOSFET產品，在使用時應避免在高電荷物體附近使用。如果需要用于指定應用以外的場景，請聯系銷售部門。

總結

Onsemi的ECH8690功率MOSFET以其低導通電阻、內置保護二極管和環保特性，為電子工程師提供了一個可靠的選擇。在設計電路時，工程師可以根據其電氣特性和典型特性曲線，合理選擇工作條件，以實現電路的高效穩定運行。大家在實際應用中，有沒有遇到過類似MOSFET的使用問題呢？歡迎在評論區分享交流。