onsemi NVHL025N65S3 MOSFET：汽車應用的理想之選

在電子工程領域，MOSFET 是至關重要的功率器件，廣泛應用于各種電路中。今天，我們來詳細探討 onsemi 推出的 NVHL025N65S3 N 溝道功率 MOSFET，它屬于 Automotive SUPERFET III 系列，專為汽車應用而設計，具有諸多出色特性。

文件下載：NVHL025N65S3-D.PDF

產品概述

SuperFET III MOSFET 是安森美半導體全新的高壓超結（SJ）MOSFET 系列，采用電荷平衡技術，具備極低的導通電阻和較低的柵極電荷性能。這種先進技術旨在最大程度減少傳導損耗，提供卓越的開關性能，并能承受極高的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET Easy - drive 系列有助于解決 EMI 問題，使設計實現更加輕松。

產品特性

可靠性高

• AEC - Q101 認證：滿足汽車級應用的嚴格要求，確保在惡劣環境下的可靠性。
• 最高結溫 150°C：能夠在較高溫度環境下穩定工作，適應汽車復雜的工況。
• 100% 雪崩測試：保證器件在雪崩擊穿時的可靠性。
• 無鉛且符合 RoHS 標準：符合環保要求。

電氣性能出色

• 極低的導通電阻：典型的 (R_{DS}(on)=19.9 mΩ)，能有效降低傳導損耗。
• 超低的柵極電荷：典型的 (Q_{G}=236 nC)，可減少開關損耗，提高開關速度。
• 低有效輸出電容：典型的 (C_{oss}(eff.) = 2062 pF)，有助于降低開關過程中的能量損耗。

典型應用

• 汽車 PHEV - BEV DC - DC 轉換器：在電動汽車的電源轉換中發揮重要作用，高效穩定地實現電壓轉換。
• 汽車 PHEV - BEV 車載充電器：為電動汽車的電池充電提供可靠的功率支持。

關鍵參數

絕對最大額定值

電氣特性

• 關斷特性：
  • 漏源擊穿電壓 (BV{DSS})：在不同溫度下有穩定的表現，如 (T{J}=25°C) 時，典型值為 713 V；(T_{J}=150°C) 時，典型值為 755 V。
  • 零柵壓漏極電流 (I{DSS})：在 (V{DS}=650 V)，(V_{GS}=0 V) 時，最大值為 1 μA。
  • 柵體泄漏電流 (I_{GSS})：在不同柵源電壓下有相應的限制。
• 導通特性：
  • 柵源閾值電壓 (V_{GS(th)})：典型值為 3.56 V。
  • 靜態漏源導通電阻 (R{DS}(on))：在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=37.5 A)，(T{J}=25°C) 時，典型值為 19.9 mΩ；(T_{J}=100°C) 時，典型值為 34.6 mΩ。
  • 正向跨導 (g_{FS})：典型值為 78.5 S。
• 動態特性：
  • 輸入電容 (C_{iss})：典型值為 7330 pF。
  • 輸出電容 (C_{oss})：典型值為 197 pF。
  • 反向傳輸電容 (C_{rss})：典型值為 33.6 pF。
  • 有效輸出電容 (C_{oss}(eff.))：典型值為 2062 pF。
  • 總柵極電荷 (Q_{g(tot)})：典型值為 236 nC。
• 開關特性：
  • 開啟延遲時間 (t_{d(on)})：典型值為 43.3 ns。
  • 開啟上升時間 (t_{r})：典型值為 109 ns。
  • 關斷延遲時間 (t_{d(off)})：典型值為 120 ns。
  • 下降時間 (t_{f})：典型值為 107 ns。
• 漏源二極管特性：
  • 最大脈沖漏源二極管正向電流 (I_{SM})：300 A。
  • 最大連續漏源二極管正向電流 (I_{S})：75 A。
  • 漏源二極管正向電壓 (V_{SD})：典型值為 0.88 V。
  • 反向恢復時間 (t_{rr})：典型值為 714 ns。
  • 反向恢復電荷 (Q_{rr})：典型值為 26.4 μC。

熱特性

封裝信息

該器件采用 TO - 247 - 3LD 封裝，每管包裝 30 個單位。其封裝尺寸有詳細規定，在設計 PCB 時需要嚴格按照這些尺寸進行布局，以確保器件的正常安裝和散熱。

總結

onsemi 的 NVHL025N65S3 MOSFET 憑借其出色的電氣性能、高可靠性和適用于汽車應用的特性，成為汽車電子工程師在設計 DC - DC 轉換器和車載充電器等電路時的理想選擇。在實際應用中，工程師需要根據具體的設計要求，合理選擇和使用該器件，同時要注意其絕對最大額定值和熱特性，以確保系統的穩定性和可靠性。大家在使用過程中有沒有遇到過類似 MOSFET 的特殊問題呢？歡迎在評論區分享交流。