深入解析ECH8690互補雙功率MOSFET
深入解析ECH8690互補雙功率MOSFET
在電子工程領域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）是一種極為重要的電子元件，廣泛應用于各種電路設計中。今天，我們就來詳細解析一下 onsemi 公司的 ECH8690 互補雙功率 MOSFET。
文件下載：ECH8690-D.PDF
一、產品概述
ECH8690 是一款采用 onsemi 溝槽技術生產的功率 MOSFET，該技術專門設計用于降低導通電阻，非常適合對導通電阻要求較低的應用場景。它具有 N 溝道和 P 溝道 MOSFET，并且是無鉛、無鹵素且符合 RoHS 標準的環保產品。
二、產品特性
1. 導通電阻特性
- N 溝道：典型導通電阻 (R_{DS(on)1}) 為 42 mΩ 。
- P 溝道：典型導通電阻 (R_{DS(on)1}) 為 73 mΩ 。
2. 保護二極管
內部集成了保護二極管，增強了器件的可靠性。
3. 驅動電壓
支持 4V 驅動，方便與各種控制電路配合使用。
三、引腳與電氣連接
ECH8690 采用 SOT - 28FL/ECH8 封裝，引腳定義如下：
- Source1
- Gate1
- Source2
- Gate2
- Drain2
- Drain2
- Drain1
- Drain1
四、絕對最大額定值
| 在 (T_{A}=25^{circ}C) 的條件下，ECH8690 的絕對最大額定值如下： | 參數 | N 溝道 | P 溝道 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| (V_{DSS})（漏源電壓） | 60 | -60 | V | |
| (V_{GSS})（柵源電壓） | ±20 | ±20 | V | |
| (I_{D})（直流漏極電流） | 4.7 | -3.5 | A | |
| (I_{DP})（脈沖漏極電流）（(PW ≤10 μs)，占空比 ≤1%） | 30 | -30 | A | |
| (P_{D})（允許功率耗散，安裝在陶瓷基板（(1200 mm^2×0.8 mm)）上） | 1.5 | - | W | |
| (P_{T})（總耗散，安裝在陶瓷基板（(1200 mm^2×0.8 mm)）上） | 1.8 | - | W | |
| (T_{ch})（溝道溫度） | 150 | - | °C | |
| (T_{stg})（存儲溫度） | -55 至 +150 | - | °C |
需要注意的是，超過這些最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。
五、電氣特性
1. N 溝道電氣特性
| 參數 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (V_{(BR)DSS})（漏源擊穿電壓） | (I{D}=1 mA)，(V{GS}=0 V) | 60 | - | - | V | ||
| (I_{DSS})（零柵壓漏極電流） | (V{DS}=60 V)，(V{GS}=0 V) | - | - | 1 | μA | ||
| (I_{GSS})（柵源泄漏電流） | (V{GS}=±16 V)，(V{DS}=0 V) | - | - | ±10 | nA | ||
| (V_{GS(off)})（截止電壓） | (V{DS}=10 V)，(I{D}=1 mA) | 1.2 | 2.6 | - | V | ||
| ( | y_{fs} | )（正向傳輸導納） | (V{DS}=10 V)，(I{D}=2 A) | - | 4.2 | - | S |
| (R_{DS(on)1})（靜態漏源導通電阻） | (I{D}=2 A)，(V{GS}=10 V) | - | 42 | 55 | mΩ | ||
| (R_{DS(on)2}) | (I{D}=1 A)，(V{GS}=4.5 V) | - | 53 | 74 | mΩ | ||
| (R_{DS(on)3}) | (I{D}=1 A)，(V{GS}=4 V) | - | 61 | 85 | mΩ | ||
| (C_{iss})（輸入電容） | (V_{DS}=20 V)，(f = 1 MHz) | - | 955 | - | pF | ||
| (C_{oss})（輸出電容） | - | - | 58 | - | pF | ||
| (C_{rss})（反向傳輸電容） | - | - | 45 | - | pF | ||
| (t_{d(on)})（導通延遲時間） | 見指定測試電路 | 7 | - | - | ns | ||
| (t_{r})（上升時間） | - | 8.4 | - | ns | |||
| (t_{d(off)})（關斷延遲時間） | - | - | 76 | ns | |||
| (t_{f})（下降時間） | - | 23 | - | ns | |||
| (Q_{g})（總柵極電荷） | (V{DS}=30 V)，(V{GS}=10 V)，(I_{D}=4.7 A) | - | 18 | - | nC | ||
| (Q_{gs})（柵源電荷） | - | 3 | - | nC | |||
| (Q_{gd})（柵漏“米勒”電荷） | - | 2.8 | - | nC | |||
| (V_{SD})（二極管正向電壓） | (I{S}=4.7 A)，(V{GS}=0 V) | 0.82 | - | 1.2 | V |
2. P 溝道電氣特性
| 參數 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| (V_{(BR)DSS})（漏源擊穿電壓） | (I{D}=-1 mA)，(V{GS}=0 V) | -60 | - | - | V | ||
| (I_{DSS})（零柵壓漏極電流） | (V{DS}=-60 V)，(V{GS}=0 V) | - | - | -1 | μA | ||
| (I_{GSS})（柵源泄漏電流） | (V{GS}=±16 V)，(V{DS}=0 V) | - | - | ±10 | nA | ||
| (V_{GS(off)})（截止電壓） | (V{DS}=-10 V)，(I{D}=-1 mA) | -1.2 | -2.6 | - | V | ||
| ( | y_{fs} | )（正向傳輸導納） | (V{DS}=-10 V)，(I{D}=-1.5 A) | - | 3.4 | - | S |
| (R_{DS(on)1})（靜態漏源導通電阻） | (I{D}=-1 A)，(V{GS}=-10 V) | - | 73 | 94 | mΩ | ||
| (R_{DS(on)2}) | (I{D}=-0.5 A)，(V{GS}=-4.5 V) | - | 97 | 135 | mΩ | ||
| (R_{DS(on)3}) | (I{D}=-0.5 A)，(V{GS}=4 V) | - | 108 | 153 | mΩ | ||
| (C_{iss})（輸入電容） | (V_{DS}=-20 V)，(f = 1 MHz) | - | 790 | - | pF | ||
| (C_{oss})（輸出電容） | - | - | 63 | - | pF | ||
| (C_{rss})（反向傳輸電容） | - | - | 45 | - | pF | ||
| (t_{d(on)})（導通延遲時間） | 見指定測試電路 | - | 10 | - | ns | ||
| (t_{r})（上升時間） | - | 8.8 | - | ns | |||
| (t_{d(off)})（關斷延遲時間） | - | - | 84 | ns | |||
| (t_{f})（下降時間） | - | 29 | - | ns | |||
| (Q_{g})（總柵極電荷） | (V{DS}=-30 V)，(V{GS}=-10 V)，(I_{D}=-3.5 A) | - | 15 | - | nC | ||
| (Q_{gs})（柵源電荷） | - | 2.6 | - | nC | |||
| (Q_{gd})（柵漏“米勒”電荷） | - | 2.2 | - | nC | |||
| (V_{SD})（二極管正向電壓） | (I{S}=-3.5 A)，(V{GS}=0 V) | - | -0.83 | -1.2 | V |
六、典型特性曲線
文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括 (I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{A}) 等曲線。這些曲線直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現，對于工程師進行電路設計和性能評估非常有幫助。例如，通過 (R{DS(on)}-V{GS}) 曲線，我們可以了解到導通電阻隨柵源電壓的變化情況，從而選擇合適的驅動電壓來降低導通損耗。
七、訂購信息
ECH8690 的產品編號為 ECH8690 - TL - H，采用 SOT - 28FL / ECH8 封裝，以 3000 個/卷帶和卷軸的形式發貨。關于卷帶和卷軸的規格，可參考 BRD8011/D 手冊。
八、使用注意事項
由于 ECH8690 是 MOSFET 產品，應避免在高電荷物體附近使用。除指定應用外，如需使用請聯系銷售部門。
綜上所述，ECH8690 是一款性能優良的互補雙功率 MOSFET，具有低導通電阻、集成保護二極管等優點，適用于多種對導通電阻要求較低的應用場景。在實際設計中，工程師可以根據其電氣特性和典型特性曲線，合理選擇工作條件，以實現最佳的電路性能。大家在使用過程中有沒有遇到過類似的 MOSFET 器件呢？它們之間又有哪些不同之處呢？歡迎在評論區交流分享。
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