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ECH8693R:1 - 2 節鋰離子電池保護的理想之選

lhl545545 ? 2026-03-31 16:35 ? 次閱讀
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ECH8693R:1 - 2 節鋰離子電池保護的理想之選

一、公司背景

ON Semiconductor 現已更名為 onsemi,這是一家在半導體領域頗具影響力的企業。onsemi 擁有眾多專利、商標、版權等知識產權,產品廣泛應用于各種電子設備中。不過需要注意的是,該公司產品并未設計、打算或授權用于生命支持系統、FDA 3 類醫療設備等特殊應用場景。

文件下載:ECH8693R-D.PDF

二、ECH8693R 簡介

ECH8693R 是一款用于 1 - 2 節鋰離子電池保護的功率 MOSFET。它具備低導通電阻的特性,適用于便攜式機器的電源開關等應用,尤其在 1 - 2 節鋰離子電池應用中表現出色。

三、產品特性

1. 低導通電阻

低導通電阻意味著在工作過程中,器件的功率損耗較小,能夠提高能源利用效率,減少發熱,延長設備的使用壽命。這對于對功耗和散熱要求較高的便攜式設備來說尤為重要。

2. 2.5V 驅動

較低的驅動電壓使得該 MOSFET 可以在較低的電源電壓下工作,這有助于降低系統的整體功耗,同時也方便與其他低電壓的電路元件集成。

3. 共漏極類型

這種類型的設計在電路布局和性能上具有一定的優勢,能夠更好地滿足特定應用的需求。

4. ESD 二極管保護柵極

ESD(靜電放電)是電子設備在使用過程中常見的問題,容易對器件造成損壞。該 MOSFET 的 ESD 二極管保護柵極設計能夠有效防止靜電對柵極的損害,提高器件的可靠性。

5. 內置柵極保護電阻

內置的柵極保護電阻可以進一步保護柵極電路,防止過流、過壓等情況對柵極造成損壞,增強了器件的穩定性。

6. 環保特性

該產品符合 Pb - Free(無鉛)、Halogen Free(無鹵)以及 RoHS 標準,體現了環保理念,符合現代電子設備對環保的要求。

四、典型應用

ECH8693R 主要用于 1 - 2 節鋰離子電池的充電和放電開關。在鋰離子電池的充放電過程中,需要精確控制電流和電壓,以確保電池的安全和性能。該 MOSFET 憑借其低導通電阻和其他特性,能夠很好地滿足這一需求。

五、規格參數

1. 絕對最大額定值(Ta = 25°C)

參數 符號 單位
漏源電壓 VDSS 24 V
柵源電壓 VGSS ± 12.5 V
漏極電流(直流) ID 14 A
漏極電流(脈沖)PW ≤ 10 μs,占空比 ≤ 1% IDP 60 A
功率耗散(陶瓷基板表面安裝,900 mm2 × 0.8 mm,1 個單元) PD 1.4 W
總耗散(陶瓷基板表面安裝,900 mm2 × 0.8 mm) PT 1.5 W
結溫 Tj 150 °C
儲存溫度 Tstg - 55 至 +150 °C

需要注意的是,超過這些最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。

2. 熱阻額定值

結到環境熱阻(陶瓷基板表面安裝,900 mm2 × 0.8 mm,1 個單元)RθJA 為 89.2 °C/W。熱阻是衡量器件散熱能力的重要指標,較低的熱阻意味著器件能夠更好地散熱,保證其在正常工作溫度范圍內。

3. 導通電阻與電流關系

VDSS RDS(on) Max ID Max
24 V 7 mΩ @ 4.5 V 14 A
7.5 mΩ @ 4.0 V
9.1 mΩ @ 3.1 V
10.5 mΩ @ 2.5 V

從這些數據可以看出,導通電阻會隨著驅動電壓的變化而變化,在實際應用中需要根據具體的工作電壓來選擇合適的工作點。

六、電氣連接與封裝

1. 電氣連接

該 MOSFET 為 N 溝道類型,在電路設計中需要根據 N 溝道 MOSFET 的特性進行連接和應用。

2. 封裝

采用 SOT - 28FL / ECH8 封裝,這種封裝具有一定的尺寸和形狀特點,在 PCB 布局時需要考慮其封裝尺寸和引腳間距等因素。同時,推薦的焊接焊盤也有相應的規格要求,具體可參考數據手冊。

七、訂購信息

器件 標記 封裝 運輸(數量 / 包裝)
ECH8693R - TL - W UQ SOT - 28FL / ECH8(無鉛 / 無鹵) 3,000 / 卷帶包裝

對于卷帶規格的詳細信息,可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D(http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BRD8011 - D.PDF)。

八、使用注意事項

由于 ECH8693R 是 MOSFET 產品,在使用時應避免在高電荷物體附近使用。如果需要用于指定應用以外的場景,請聯系銷售部門。

電子工程師在設計使用 ECH8693R 時,需要綜合考慮其各項特性和參數,結合具體的應用需求進行合理的電路設計和布局。大家在實際應用中是否遇到過類似 MOSFET 的使用問題呢?歡迎交流分享。

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