ECH8693R:1 - 2 節鋰離子電池保護的理想之選
一、公司背景
ON Semiconductor 現已更名為 onsemi,這是一家在半導體領域頗具影響力的企業。onsemi 擁有眾多專利、商標、版權等知識產權,產品廣泛應用于各種電子設備中。不過需要注意的是,該公司產品并未設計、打算或授權用于生命支持系統、FDA 3 類醫療設備等特殊應用場景。
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二、ECH8693R 簡介
ECH8693R 是一款用于 1 - 2 節鋰離子電池保護的功率 MOSFET。它具備低導通電阻的特性,適用于便攜式機器的電源開關等應用,尤其在 1 - 2 節鋰離子電池應用中表現出色。
三、產品特性
1. 低導通電阻
低導通電阻意味著在工作過程中,器件的功率損耗較小,能夠提高能源利用效率,減少發熱,延長設備的使用壽命。這對于對功耗和散熱要求較高的便攜式設備來說尤為重要。
2. 2.5V 驅動
較低的驅動電壓使得該 MOSFET 可以在較低的電源電壓下工作,這有助于降低系統的整體功耗,同時也方便與其他低電壓的電路元件集成。
3. 共漏極類型
這種類型的設計在電路布局和性能上具有一定的優勢,能夠更好地滿足特定應用的需求。
4. ESD 二極管保護柵極
ESD(靜電放電)是電子設備在使用過程中常見的問題,容易對器件造成損壞。該 MOSFET 的 ESD 二極管保護柵極設計能夠有效防止靜電對柵極的損害,提高器件的可靠性。
5. 內置柵極保護電阻
內置的柵極保護電阻可以進一步保護柵極電路,防止過流、過壓等情況對柵極造成損壞,增強了器件的穩定性。
6. 環保特性
該產品符合 Pb - Free(無鉛)、Halogen Free(無鹵)以及 RoHS 標準,體現了環保理念,符合現代電子設備對環保的要求。
四、典型應用
ECH8693R 主要用于 1 - 2 節鋰離子電池的充電和放電開關。在鋰離子電池的充放電過程中,需要精確控制電流和電壓,以確保電池的安全和性能。該 MOSFET 憑借其低導通電阻和其他特性,能夠很好地滿足這一需求。
五、規格參數
1. 絕對最大額定值(Ta = 25°C)
| 參數 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 24 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | ± 12.5 | V |
| 漏極電流(直流) | ID | 14 | A |
| 漏極電流(脈沖)PW ≤ 10 μs,占空比 ≤ 1% | IDP | 60 | A |
| 功率耗散(陶瓷基板表面安裝,900 mm2 × 0.8 mm,1 個單元) | PD | 1.4 | W |
| 總耗散(陶瓷基板表面安裝,900 mm2 × 0.8 mm) | PT | 1.5 | W |
| 結溫 | Tj | 150 | °C |
| 儲存溫度 | Tstg | - 55 至 +150 | °C |
需要注意的是,超過這些最大額定值可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。
2. 熱阻額定值
結到環境熱阻(陶瓷基板表面安裝,900 mm2 × 0.8 mm,1 個單元)RθJA 為 89.2 °C/W。熱阻是衡量器件散熱能力的重要指標,較低的熱阻意味著器件能夠更好地散熱,保證其在正常工作溫度范圍內。
3. 導通電阻與電流關系
| VDSS | RDS(on) Max | ID Max |
|---|---|---|
| 24 V | 7 mΩ @ 4.5 V | 14 A |
| 7.5 mΩ @ 4.0 V | ||
| 9.1 mΩ @ 3.1 V | ||
| 10.5 mΩ @ 2.5 V |
從這些數據可以看出,導通電阻會隨著驅動電壓的變化而變化,在實際應用中需要根據具體的工作電壓來選擇合適的工作點。
六、電氣連接與封裝
1. 電氣連接
該 MOSFET 為 N 溝道類型,在電路設計中需要根據 N 溝道 MOSFET 的特性進行連接和應用。
2. 封裝
采用 SOT - 28FL / ECH8 封裝,這種封裝具有一定的尺寸和形狀特點,在 PCB 布局時需要考慮其封裝尺寸和引腳間距等因素。同時,推薦的焊接焊盤也有相應的規格要求,具體可參考數據手冊。
七、訂購信息
| 器件 | 標記 | 封裝 | 運輸(數量 / 包裝) |
|---|---|---|---|
| ECH8693R - TL - W | UQ | SOT - 28FL / ECH8(無鉛 / 無鹵) | 3,000 / 卷帶包裝 |
對于卷帶規格的詳細信息,可參考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D(http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BRD8011 - D.PDF)。
八、使用注意事項
由于 ECH8693R 是 MOSFET 產品,在使用時應避免在高電荷物體附近使用。如果需要用于指定應用以外的場景,請聯系銷售部門。
電子工程師在設計使用 ECH8693R 時,需要綜合考慮其各項特性和參數,結合具體的應用需求進行合理的電路設計和布局。大家在實際應用中是否遇到過類似 MOSFET 的使用問題呢?歡迎交流分享。
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