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深度解析 ON Semiconductor ATP216 N 溝道功率 MOSFET

lhl545545 ? 2026-04-02 09:20 ? 次閱讀
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深度解析 ON Semiconductor ATP216 N 溝道功率 MOSFET

引言

在電子設計領域,功率 MOSFET 是至關重要的元件,廣泛應用于各種電源管理電機驅動等電路中。今天我們要深入探討的是 ON Semiconductor 推出的 ATP216 N 溝道功率 MOSFET,它具有諸多出色的特性,能為工程師們的設計帶來更多便利和可能性。

文件下載:ATP216-D.PDF

產品概述

ATP216 是一款 50V、35A、23mΩ 的單通道 N 溝道功率 MOSFET,采用了 ATPAK 封裝。它具備 1.8V 驅動能力,內部集成了保護二極管,并且符合無鹵標準,采用了輕薄的封裝設計。

關鍵特性

低導通電阻

其典型導通電阻 RDS(on) 低至 17mΩ,這意味著在導通狀態下,MOSFET 自身的功率損耗較小,能夠有效提高電路的效率。低導通電阻還可以減少發熱,提高系統的穩定性和可靠性。

低電壓驅動

支持 1.8V 驅動,這使得它在一些對驅動電壓要求較低的應用中具有很大的優勢。例如,在電池供電的設備中,可以減少驅動電路的復雜度和功耗。

保護功能

內部集成的保護二極管可以為電路提供一定的過壓保護,防止 MOSFET 因反向電壓而損壞。這在一些可能出現電壓波動的應用中非常重要。

環保特性

符合無鹵標準,滿足環保要求,有助于工程師設計出更符合環保法規的產品。

規格參數

絕對最大額定值

參數 符號 條件 額定值 單位
漏源電壓 VDSS - 50 V
柵源電壓 VGSS - ±10 V
漏極直流電流 ID - 35 A
漏極脈沖電流(PW ≤ 10 μs) IDP PW ≤ 10 μs,占空比 ≤ 1% 105 A
允許功耗 PD Tc = 25°C 40 W
溝道溫度 Tch - 150 °C
存儲溫度 Tstg - -55 至 +150 °C
雪崩能量(單脈沖) EAS - 40 mJ
雪崩電流 IAV - 17.5 A

這些參數為工程師在設計電路時提供了重要的參考,確保 MOSFET 在安全的工作范圍內運行。

電氣特性

參數 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 V(BR)DSS ID = 1mA,VGS = 0V 50 - - V
零柵壓漏極電流 IDSS VDS = 50V,VGS = 0V - - 1 μA
柵源泄漏電流 IGSS VGS = ±8V,VDS = 0V - - ±10 μA
截止電壓 VGS(off) VDS = 10V,ID = 1mA 0.4 - 1.4 V
正向傳輸導納 yfs VDS = 10V,ID = 18A - 58 - S
靜態漏源導通電阻 RDS(on)1 ID = 18A,VGS = 4.5V - 17 23
RDS(on)2 ID = 9A,VGS = 2.5V - 20 28
RDS(on)3 ID = 5A,VGS = 1.8V - 30 45
輸入電容 Ciss VDS = 20V,f = 1MHz - 2700 - pF
輸出電容 Coss - - 150 - pF
反向傳輸電容 Crss - - 110 - pF
導通延遲時間 td(on) 見指定測試電路 - 27 - ns
上升時間 tr - - 90 - ns
關斷延遲時間 td(off) - - 220 - ns
下降時間 tf - - 105 - ns
總柵極電荷 Qg VDS = 30V,VGS = 4.5V,ID = 35A - 30 - nC
柵源電荷 Qgs - 5.9 - nC
柵漏“米勒”電荷 Qgd - 7.9 - nC
二極管正向電壓 VSD IS = 35A,VGS = 0V - 0.96 1.2 V

這些電氣特性詳細描述了 MOSFET 在不同工作條件下的性能,工程師可以根據具體的應用需求來選擇合適的參數。

封裝與包裝信息

封裝

采用 ATPAK 封裝,這種封裝具有良好的散熱性能和機械穩定性,能夠適應不同的應用環境。

包裝

最小包裝數量為 3000 件/卷,包裝類型為 TL。同時,文檔中還提供了詳細的編帶規格,包括載帶尺寸、器件放置方向等信息,方便工程師進行自動化生產。

應用注意事項

由于 ATP216 是 MOSFET 產品,在使用時應避免將其放置在高電荷物體附近,以免受到靜電等因素的影響。此外,ON Semiconductor 提醒工程師,所有的操作參數(包括典型值)都需要根據具體的客戶應用進行驗證,以確保產品在實際應用中的性能。

總結

ATP216 N 溝道功率 MOSFET 以其低導通電阻、低電壓驅動、保護功能和環保特性等優勢,為電子工程師電源管理、電機驅動等領域的設計提供了一個優秀的選擇。在實際應用中,工程師需要根據具體的電路需求,合理選擇 MOSFET 的參數,并注意應用過程中的一些注意事項,以確保電路的穩定性和可靠性。你在使用功率 MOSFET 時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享你的經驗和見解。

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