深度解析 ON Semiconductor ATP216 N 溝道功率 MOSFET
引言
在電子設計領域,功率 MOSFET 是至關重要的元件,廣泛應用于各種電源管理、電機驅動等電路中。今天我們要深入探討的是 ON Semiconductor 推出的 ATP216 N 溝道功率 MOSFET,它具有諸多出色的特性,能為工程師們的設計帶來更多便利和可能性。
文件下載:ATP216-D.PDF
產品概述
ATP216 是一款 50V、35A、23mΩ 的單通道 N 溝道功率 MOSFET,采用了 ATPAK 封裝。它具備 1.8V 驅動能力,內部集成了保護二極管,并且符合無鹵標準,采用了輕薄的封裝設計。
關鍵特性
低導通電阻
其典型導通電阻 RDS(on) 低至 17mΩ,這意味著在導通狀態下,MOSFET 自身的功率損耗較小,能夠有效提高電路的效率。低導通電阻還可以減少發熱,提高系統的穩定性和可靠性。
低電壓驅動
支持 1.8V 驅動,這使得它在一些對驅動電壓要求較低的應用中具有很大的優勢。例如,在電池供電的設備中,可以減少驅動電路的復雜度和功耗。
保護功能
內部集成的保護二極管可以為電路提供一定的過壓保護,防止 MOSFET 因反向電壓而損壞。這在一些可能出現電壓波動的應用中非常重要。
環保特性
符合無鹵標準,滿足環保要求,有助于工程師設計出更符合環保法規的產品。
規格參數
絕對最大額定值
| 參數 | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | - | 50 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | - | ±10 | V |
| 漏極直流電流 | ID | - | 35 | A |
| 漏極脈沖電流(PW ≤ 10 μs) | IDP | PW ≤ 10 μs,占空比 ≤ 1% | 105 | A |
| 允許功耗 | PD | Tc = 25°C | 40 | W |
| 溝道溫度 | Tch | - | 150 | °C |
| 存儲溫度 | Tstg | - | -55 至 +150 | °C |
| 雪崩能量(單脈沖) | EAS | - | 40 | mJ |
| 雪崩電流 | IAV | - | 17.5 | A |
這些參數為工程師在設計電路時提供了重要的參考,確保 MOSFET 在安全的工作范圍內運行。
電氣特性
| 參數 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | ID = 1mA,VGS = 0V | 50 | - | - | V |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS = 50V,VGS = 0V | - | - | 1 | μA |
| 柵源泄漏電流 | IGSS | VGS = ±8V,VDS = 0V | - | - | ±10 | μA |
| 截止電壓 | VGS(off) | VDS = 10V,ID = 1mA | 0.4 | - | 1.4 | V |
| 正向傳輸導納 | yfs | VDS = 10V,ID = 18A | - | 58 | - | S |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(on)1 | ID = 18A,VGS = 4.5V | - | 17 | 23 | mΩ |
| RDS(on)2 | ID = 9A,VGS = 2.5V | - | 20 | 28 | mΩ | |
| RDS(on)3 | ID = 5A,VGS = 1.8V | - | 30 | 45 | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS = 20V,f = 1MHz | - | 2700 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | - | 150 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | - | 110 | - | pF |
| 導通延遲時間 | td(on) | 見指定測試電路 | - | 27 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | - | 90 | - | ns |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | - | 220 | - | ns |
| 下降時間 | tf | - | - | 105 | - | ns |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS = 30V,VGS = 4.5V,ID = 35A | - | 30 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 5.9 | - | nC | |
| 柵漏“米勒”電荷 | Qgd | - | 7.9 | - | nC | |
| 二極管正向電壓 | VSD | IS = 35A,VGS = 0V | - | 0.96 | 1.2 | V |
這些電氣特性詳細描述了 MOSFET 在不同工作條件下的性能,工程師可以根據具體的應用需求來選擇合適的參數。
封裝與包裝信息
封裝
采用 ATPAK 封裝,這種封裝具有良好的散熱性能和機械穩定性,能夠適應不同的應用環境。
包裝
最小包裝數量為 3000 件/卷,包裝類型為 TL。同時,文檔中還提供了詳細的編帶規格,包括載帶尺寸、器件放置方向等信息,方便工程師進行自動化生產。
應用注意事項
由于 ATP216 是 MOSFET 產品,在使用時應避免將其放置在高電荷物體附近,以免受到靜電等因素的影響。此外,ON Semiconductor 提醒工程師,所有的操作參數(包括典型值)都需要根據具體的客戶應用進行驗證,以確保產品在實際應用中的性能。
總結
ATP216 N 溝道功率 MOSFET 以其低導通電阻、低電壓驅動、保護功能和環保特性等優勢,為電子工程師在電源管理、電機驅動等領域的設計提供了一個優秀的選擇。在實際應用中,工程師需要根據具體的電路需求,合理選擇 MOSFET 的參數,并注意應用過程中的一些注意事項,以確保電路的穩定性和可靠性。你在使用功率 MOSFET 時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享你的經驗和見解。
-
功率MOSFET
+關注
關注
0文章
568瀏覽量
23155 -
ON Semiconductor
+關注
關注
1文章
37瀏覽量
9983
發布評論請先 登錄
深度解析 ON Semiconductor ATP216 N 溝道功率 MOSFET
評論