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ON Semiconductor ATP214 N - 通道功率MOSFET:特性、規格與應用考量

lhl545545 ? 2026-04-02 09:20 ? 次閱讀
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ON Semiconductor ATP214 N-Channel Power MOSFET:特性、規格與應用考量

引言

在電子設計領域,功率MOSFET是至關重要的元件,廣泛應用于各種電源管理和功率轉換電路中。ON Semiconductor的ATP214 N - 通道功率MOSFET以其出色的性能和特性,成為眾多工程師的首選。本文將詳細介紹ATP214的關鍵特性、規格參數以及使用注意事項。

文件下載:ENA1712-D.PDF

產品概述

ATP214是一款60V、75A、8.1mΩ的單通道N - 通道功率MOSFET,采用ATPAK封裝。它具備諸多優秀特性,適用于多種功率應用場景。

特性亮點

  1. 低導通電阻:典型導通電阻RDS(on)為6.2mΩ,在4V驅動下也能保持良好的導通性能,有助于降低功率損耗,提高電路效率。
  2. 內置保護二極管:為電路提供額外的保護,增強了系統的可靠性。
  3. 低輸入電容:輸入電容Ciss典型值為4850pF,有利于減少開關損耗,提高開關速度。
  4. 無鹵合規:符合環保要求,滿足現代電子產品對綠色環保的需求。

規格參數

絕對最大額定值

參數 符號 條件 額定值 單位
漏源電壓 VDSS 60 V
柵源電壓 VGSS +20 V
漏極電流(直流) ID 75 A
漏極電流(脈沖10μs) IDP PW 10μs,占空比≤1% 225 A
允許功耗 PD Tc = 25°C 60 W
通道溫度 Tch 150 °C
存儲溫度 Tstg -55 to +150 °C
雪崩能量(單脈沖) EAS 94 mJ
雪崩電流 IAV 38 A

需要注意的是,超過最大額定值的應力可能會損壞器件,且在推薦工作條件之外的功能操作并不被保證。長時間暴露在超過推薦工作條件的應力下可能會影響器件的可靠性。

電氣特性

參數 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 V(BR)DSS ID = 1mA,VGS = 0V 60 V
零柵壓漏極電流 IDSS VDS = 60V,VGS = 0V 1 μA
柵源泄漏電流 IGSS VGS = 16V,VDS = 0V ±10 μA
截止電壓 VGS(off) VDS = 10V,ID = 1mA 1.2 2.6 V
正向傳輸導納 yfs VDS = 10V,ID = 38A 100 S
靜態漏源導通電阻 RDS(on)1 ID = 38A,VGS = 10V 6.2 8.1
RDS(on)2 ID = 19A,VGS = 4.5V 8.2 11.5
RDS(on)3 ID = 10A,VGS = 4V 9.2 14
輸入電容 Ciss VDS = 20V,f = 1MHz 4850 pF
輸出電容 Coss 370 pF
反向傳輸電容 Crss 280 pF
開啟延遲時間 td(on) 見指定測試電路 30 ns
上升時間 tr 240 ns
關斷延遲時間 td(off) 360 ns
下降時間 tf 250 ns
總柵極電荷 Qg VDS = 30V,VGS = 10V,ID = 75A 96 nC
柵源電荷 Qgs 18.5 nC
柵漏“米勒”電荷 Qgd 18 nC
二極管正向電壓 VSD IS = 75A,VGS = 0V 0.93 1.2 V

封裝與訂購信息

封裝

ATP214采用ATPAK封裝,最小包裝數量為3000pcs/卷,包裝類型為TL Marking,標記為ATP214 - TL - H。

訂購信息

器件 封裝 運輸數量 備注
ATP214 - TL - H ATPAK 3000pcs/卷 無鉛無鹵

開關時間測試電路

開關時間測試電路中,VDD = 30V,ID = 38A,RL = 0.79Ω,PW = 10μs,占空比≤1%。通過該測試電路可以準確測量器件的開關時間特性。

使用注意事項

由于ATP214是MOSFET產品,在使用時應避免將其放置在高電荷物體附近,以免受到靜電等因素的影響,導致器件損壞。

總結

ON Semiconductor的ATP214 N - 通道功率MOSFET以其低導通電阻、內置保護二極管、低輸入電容等特性,為功率電路設計提供了優秀的解決方案。在實際應用中,工程師需要根據具體的電路需求,合理選擇和使用該器件,并嚴格遵守其規格參數和使用注意事項,以確保電路的可靠性和性能。你在使用ATP214或其他功率MOSFET時,是否遇到過一些特殊的問題呢?歡迎在評論區分享你的經驗和見解。

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