ON Semiconductor ATP213 N-Channel Power MOSFET:特性、參數與應用考量
引言
在電子設計領域,功率 MOSFET 是至關重要的元件,廣泛應用于各種電源管理、電機驅動等電路中。ON Semiconductor 的 ATP213 N - Channel Power MOSFET 以其出色的性能和特性,成為眾多工程師的選擇。本文將詳細介紹 ATP213 的特點、規格參數以及使用注意事項。
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產品概述
ATP213 是一款 60V、50A、16mΩ 的單通道 N - Channel Power MOSFET,采用 ATPAK 封裝。該產品由 ON Semiconductor 生產,其官方網站為 http://onsemi.com 。
產品特性
低導通電阻
- 4V 驅動:支持 4V 驅動,在較低的驅動電壓下就能實現良好的導通性能,有助于降低驅動電路的設計復雜度和功耗。
- 無鹵合規:符合無鹵標準,滿足環保要求,適用于對環保有嚴格要求的應用場景。
大電流能力
- 超薄封裝:采用 Slim 封裝,在有限的空間內實現大電流的承載能力,同時節省電路板空間。
- 內置保護二極管:內部集成保護二極管,可有效防止反向電壓對 MOSFET 造成損壞,提高了電路的可靠性。
規格參數
絕對最大額定值(Ta = 25°C)
| 參數 | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | - | 60 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | - | +20 | V |
| 漏極電流(直流) | ID | - | 50 | A |
| 漏極電流(脈沖 10us) | IDP | PW 10us,占空比 1% | 150 | A |
| 允許功耗 | PD | Tc = 25°C | 50 | W |
| 通道溫度 | Tch | - | 150 | °C |
| 存儲溫度 | Tstg | - | -55 至 +150 | °C |
| 雪崩能量(單脈沖) | EAS | - | 37 | mJ |
| 雪崩電流 | IAV | - | 25 | A |
需要注意的是,超過最大額定值的應力可能會損壞器件,最大額定值僅為應力額定值,在推薦工作條件以上的功能操作并不意味著器件可以正常工作。長時間暴露在超過推薦工作條件的應力下可能會影響器件的可靠性。
電氣特性(Ta = 25°C)
| 參數 | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | ID = 1mA,VGS = 0V | 60 | - | - | V |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS = 60V,VGS = 0V | - | - | 1 | μA |
| 柵源泄漏電流 | IGSS | VGS = 16V,VDS = 0V | - | - | ±10 | μA |
| 截止電壓 | VGS(off) | VDS = 10V,ID = 1mA | 1.2 | - | 2.6 | V |
| 正向傳輸導納 | yfs | VDS = 10V,ID = 25A | - | 55 | - | S |
| 靜態漏源導通電阻 | RDS(on)1 | ID = 25A,VGS = 10V | - | 12 | 16 | mΩ |
| RDS(on)2 | ID = 13A,VGS = 4.5V | - | 15 | 21 | mΩ | |
| RDS(on)3 | ID = 7A,VGS = 4V | - | 17 | 26 | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS = 20V,f = 1MHz | - | 3150 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | - | 310 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | - | 190 | - | pF |
| 導通延遲時間 | td(on) | 見指定測試電路 | - | 23 | - | ns |
| 上升時間 | tr | - | 170 | - | ns | |
| 關斷延遲時間 | td(off) | - | 230 | - | ns | |
| 下降時間 | tf | - | 150 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS = 30V,VGS = 10V,ID = 50A | - | 58 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 10.5 | - | nC | |
| 柵漏“米勒”電荷 | Qgd | - | 12.5 | - | nC | |
| 二極管正向電壓 | VSD | IS = 50A,VGS = 0V | - | 1.01 | 1.2 | V |
封裝與包裝信息
封裝
采用 ATPAK 封裝,符合 JEITA、JEDEC 相關標準。
包裝
- 最小包裝數量為 3000 件/卷,型號為 ATP213 - TL - H,包裝類型為 TL。
- 包裝格式(TL):包含載帶、內盒和外盒。內盒尺寸為 340x340x28mm(外部),可容納 5 卷;外盒尺寸為 355×355×165mm(外部),可容納多個內盒。
- 引腳無鉛處理,表面處理為無鉛工藝。
使用注意事項
由于 ATP213 是 MOSFET 產品,在使用時應避免將該器件放置在高電荷物體附近,以免靜電對器件造成損壞。
知識產權與免責聲明
ON Semiconductor 和 ON 標志是 Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) 的注冊商標。SCILLC 擁有多項專利、商標、版權、商業秘密和其他知識產權。SCILLC 保留對產品進行更改而無需另行通知的權利,并且不對產品在特定用途中的適用性作出任何保證,也不承擔因產品或電路的應用或使用而產生的任何責任。所有操作參數,包括“典型值”,都必須由客戶的技術專家針對每個客戶應用進行驗證。SCILLC 的產品不設計、不打算也未獲授權用于外科植入人體的系統、支持或維持生命的其他應用,或任何因 SCILLC 產品故障可能導致人身傷害或死亡的應用。
總結
ATP213 N - Channel Power MOSFET 憑借其低導通電阻、大電流能力和良好的封裝特性,在電源管理、電機驅動等領域具有廣泛的應用前景。工程師在設計電路時,應充分考慮其規格參數和使用注意事項,以確保電路的可靠性和性能。你在使用這款 MOSFET 時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享你的經驗。
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