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ON Semiconductor ATP213 N-Channel Power MOSFET:特性、參數與應用考量

lhl545545 ? 2026-04-02 09:20 ? 次閱讀
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ON Semiconductor ATP213 N-Channel Power MOSFET:特性、參數與應用考量

引言

在電子設計領域,功率 MOSFET 是至關重要的元件,廣泛應用于各種電源管理電機驅動等電路中。ON Semiconductor 的 ATP213 N - Channel Power MOSFET 以其出色的性能和特性,成為眾多工程師的選擇。本文將詳細介紹 ATP213 的特點、規格參數以及使用注意事項。

文件下載:ATP213-D.PDF

產品概述

ATP213 是一款 60V、50A、16mΩ 的單通道 N - Channel Power MOSFET,采用 ATPAK 封裝。該產品由 ON Semiconductor 生產,其官方網站為 http://onsemi.com

產品特性

低導通電阻

  • 4V 驅動:支持 4V 驅動,在較低的驅動電壓下就能實現良好的導通性能,有助于降低驅動電路的設計復雜度和功耗。
  • 無鹵合規:符合無鹵標準,滿足環保要求,適用于對環保有嚴格要求的應用場景。

大電流能力

  • 超薄封裝:采用 Slim 封裝,在有限的空間內實現大電流的承載能力,同時節省電路板空間。
  • 內置保護二極管:內部集成保護二極管,可有效防止反向電壓對 MOSFET 造成損壞,提高了電路的可靠性。

規格參數

絕對最大額定值(Ta = 25°C)

參數 符號 條件 額定值 單位
漏源電壓 VDSS - 60 V
柵源電壓 VGSS - +20 V
漏極電流(直流) ID - 50 A
漏極電流(脈沖 10us) IDP PW 10us,占空比 1% 150 A
允許功耗 PD Tc = 25°C 50 W
通道溫度 Tch - 150 °C
存儲溫度 Tstg - -55 至 +150 °C
雪崩能量(單脈沖) EAS - 37 mJ
雪崩電流 IAV - 25 A

需要注意的是,超過最大額定值的應力可能會損壞器件,最大額定值僅為應力額定值,在推薦工作條件以上的功能操作并不意味著器件可以正常工作。長時間暴露在超過推薦工作條件的應力下可能會影響器件的可靠性。

電氣特性(Ta = 25°C)

參數 符號 條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 V(BR)DSS ID = 1mA,VGS = 0V 60 - - V
零柵壓漏極電流 IDSS VDS = 60V,VGS = 0V - - 1 μA
柵源泄漏電流 IGSS VGS = 16V,VDS = 0V - - ±10 μA
截止電壓 VGS(off) VDS = 10V,ID = 1mA 1.2 - 2.6 V
正向傳輸導納 yfs VDS = 10V,ID = 25A - 55 - S
靜態漏源導通電阻 RDS(on)1 ID = 25A,VGS = 10V - 12 16
RDS(on)2 ID = 13A,VGS = 4.5V - 15 21
RDS(on)3 ID = 7A,VGS = 4V - 17 26
輸入電容 Ciss VDS = 20V,f = 1MHz - 3150 - pF
輸出電容 Coss - - 310 - pF
反向傳輸電容 Crss - - 190 - pF
導通延遲時間 td(on) 見指定測試電路 - 23 - ns
上升時間 tr - 170 - ns
關斷延遲時間 td(off) - 230 - ns
下降時間 tf - 150 - ns
總柵極電荷 Qg VDS = 30V,VGS = 10V,ID = 50A - 58 - nC
柵源電荷 Qgs - 10.5 - nC
柵漏“米勒”電荷 Qgd - 12.5 - nC
二極管正向電壓 VSD IS = 50A,VGS = 0V - 1.01 1.2 V

封裝與包裝信息

封裝

采用 ATPAK 封裝,符合 JEITA、JEDEC 相關標準。

包裝

  • 最小包裝數量為 3000 件/卷,型號為 ATP213 - TL - H,包裝類型為 TL。
  • 包裝格式(TL):包含載帶、內盒和外盒。內盒尺寸為 340x340x28mm(外部),可容納 5 卷;外盒尺寸為 355×355×165mm(外部),可容納多個內盒。
  • 引腳無鉛處理,表面處理為無鉛工藝。

使用注意事項

由于 ATP213 是 MOSFET 產品,在使用時應避免將該器件放置在高電荷物體附近,以免靜電對器件造成損壞。

知識產權與免責聲明

ON Semiconductor 和 ON 標志是 Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) 的注冊商標。SCILLC 擁有多項專利、商標、版權、商業秘密和其他知識產權。SCILLC 保留對產品進行更改而無需另行通知的權利,并且不對產品在特定用途中的適用性作出任何保證,也不承擔因產品或電路的應用或使用而產生的任何責任。所有操作參數,包括“典型值”,都必須由客戶的技術專家針對每個客戶應用進行驗證。SCILLC 的產品不設計、不打算也未獲授權用于外科植入人體的系統、支持或維持生命的其他應用,或任何因 SCILLC 產品故障可能導致人身傷害或死亡的應用。

總結

ATP213 N - Channel Power MOSFET 憑借其低導通電阻、大電流能力和良好的封裝特性,在電源管理、電機驅動等領域具有廣泛的應用前景。工程師在設計電路時,應充分考慮其規格參數和使用注意事項,以確保電路的可靠性和性能。你在使用這款 MOSFET 時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享你的經驗。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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