近日,廣東工業大學集成電路學院科研團隊在合成反鐵磁斯格明子體系的拓撲霍爾效應研究領域取得重要進展。該研究以題為“Observation of topological Hall effect in synthetic antiferromagnetic skyrmion system”的論文發表于應用物理領域權威期刊《Applied Physics Letters》。致真精密儀器自主研發的AtomEdge Pro原子力顯微鏡(磁力顯微鏡 MFM模式)為該研究提供了零場磁力顯微鏡(MFM)測試支持,成功完成 [Pt/Co/Ru]?基合成反鐵磁體系的零場斯格明子形貌觀測,為該研究的關鍵結論提供了直接且可靠的形貌實驗證據。

▲《Applied Physics Letters》期刊論文截圖。

▲圖(a)、(b) 中綠色星號標記的圖像為使用致真精密儀器 AtomEdge Pro設備采集的零場磁力顯微鏡(MFM)圖像,展示了在μ?H=0 條件下,[Pt/Co/Ru]2基合成反鐵磁體系中穩定存在的單個SAF斯格明子形貌。
在該研究中,科研團隊聚焦于[Pt/Co/Ru]2基補償型與非補償型合成反鐵磁斯格明子體系的拓撲霍爾效應研究,而零場條件下斯格明子的存在性與穩定性觀測,是表征該體系磁結構的重要環節。致真精密儀器AtomEdge Pro原子力顯微鏡,承擔了本次研究的零場MFM測試工作,針對兩種核心樣品開展精準觀測:一是非補償型 SAF樣品(Co 層厚度x1=1.6 nm、x2=1.8 nm),二是全補償型SAF樣品(Co 層厚度 x1=x2=1.7 nm),完成了對兩種樣品零場下斯格明子形貌的采集。
測試結果顯示,研究團隊在μ?H=0的零外磁場條件下,清晰觀測到 [Pt/Co/Ru]2基合成反鐵磁體系中穩定存在的單個SAF斯格明子:非補償型樣品中的斯格明子直徑約 250 nm,全補償型樣品中的斯格明子直徑約 150 nm,兩種斯格明子在零場下均穩定存在,為該體系斯格明子的零場穩定存在提供了直觀的形貌學證據。同時,該觀測結果與后續外磁場下的 MFM 測試形成對照,證實了該體系斯格明子在零場至20 mT 磁場范圍內的結構穩定性。
AtomEdge Pro原子力顯微鏡的零場MFM測試直接提供了實空間的微觀磁結構證據,證實了[Pt/Co/Ru]2基合成反鐵磁斯格明子在補償態與非補償態下均具備零場穩定性。這一結果完善了對該體系磁結構特性的認知,為拓撲霍爾效應的觀測提供了必要的磁結構形貌依據。
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原文標題:客戶成果 | 廣東工業大學《Applied Physics Letters》合成反鐵磁斯格明子體系中拓撲霍爾效應的觀測
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