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華潤微 CRTM900P10LQ -100V Trench P-MOSFET 技術參數與應用解析

佰祥電子—IC專家—技術中心 ? 來源:佰祥電子—IC專家—技術中 ? 作者:佰祥電子—IC專家 ? 2026-04-01 09:27 ? 次閱讀
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華潤微代理商 - 華潤微授權佰祥電子為中國區華潤微代理商,佰祥電子本期為大家帶來華潤微專為中高壓功率控制場景匠心打造的 Trench P-MOSFET——CRTM900P10LQ,以 - 100V 高耐壓、74mΩ 低導通電阻、-17A 大電流、PDFN5x6 高功率密度封裝等核心優勢,破解中高壓功率場景中器件導通損耗高、耐壓余量不足、車載級可靠性難滿足、功率模塊小型化設計的行業痛點。

wKgZO2nMtSuAFpeeAACwioencQM734.pngCRTM900P10LQ PDFN5x6 封裝外形尺寸圖

一、原生適配:專為中高壓功率控制場景匠心定制

CRTM900P10LQ 并非普通 P-MOSFET 器件的簡單設計,而是立足中高壓功率控制全場景使用需求的定制化 Trench 工藝研發,完美適配各類工業電機控制、高端電池管理系統、UPS 不間斷電源等設備,在低導通損耗、高耐壓穩定性、車載級可靠性、高功率密度、極簡外圍設計之間實現最優平衡,一站式提供 - 100V 額定耐壓、74mΩ 低導通電阻、-17A 持續電流、AEC-Q101 車載認證、100% 全項嚴苛測試的完整功率開關一體化解決方案。

wKgZO2nMtU-ADQ5wAACdS4dSaQ0888.pngCRTM900P10LQ 輸出特性曲線

二、七大核心亮點,重新定義中高壓功率場景 P-MOSFET 應用標桿

wKgZO2nMtX2AKpO9AAB8pHzegGQ759.pngCRTM900P10LQ 導通電阻 - 溫度特性曲線

先進 CRM Trench 工藝,74mΩ 低導阻優 FOM 值

采用華潤微 CRM (CQ) 先進 Trench 溝槽工藝,原生實現 74mΩ 典型導通電阻,大幅降低器件導通損耗,直接提升功率轉換效率;擁有優異的Qg?×RDS(on)?品質因數(FOM),實現開關損耗與導通損耗的最優平衡,完美適配中高壓功率場景的高頻開關需求;工藝層面優化器件內部溝道結構,提升功率密度,無需多器件并聯即可滿足中高壓常規功率需求。

-100V 高耐壓特性,車載級耐壓余量充足

額定漏源擊穿電壓 - 100V,耐壓余量充足,完美適配 30-100V 全系列中高壓功率控制的電壓需求;在額定電壓范圍內漏源擊穿電壓(BV DSS)特性高度穩定,無明顯參數漂移,有效抵御供電電壓波動帶來的器件故障風險;器件耐壓性能經過車載級標準驗證,在復雜中高壓供電環境下運行更可靠,適配多場景電壓動態變化需求。

-17A 大電流承載,66A 脈沖高裕量

25℃硅片極限下支持 - 17A 持續漏極電流,100℃工況下仍保持 - 12A 持續電流輸出,充分滿足中高壓功率場景的大電流開關需求;25℃下脈沖漏極電流可達 - 66A,脈沖電流裕量充足,適配瞬時大電流功率控制場景;器件內部優化電流分布設計,避免局部電流集中,大電流工況下溫升低,運行狀態更穩定,無需額外增加擴流器件。

PDFN5x6 小型化封裝,高功率密度易量產

采用 PDFN5x6 高功率密度封裝,封裝尺寸小巧,大幅節省 PCB 板布局空間,優化中高壓功率模塊的整體體積,適配小型化功率設備設計需求;完美兼容主流 SMT 貼片工藝,引腳布局標準化,量產貼裝效率高、良率優;封裝散熱性能優異,結殼熱阻僅 2.9℃/W,有效提升器件大電流工況下的散熱能力,保障長期穩定運行。

優異開關特性,低柵極電荷低驅動損耗

優化器件柵極電荷特性,柵極總電荷(Qg)典型值僅 50nC,柵漏電荷(Qgd)低至 8nC,柵極驅動損耗大幅降低;開通延遲時間僅 9ns,開關響應速度快,精準適配中高壓場景的高頻開關應用需求;開關過程中尖峰電壓小,EMI 電磁干擾低,大幅降低外圍 EMC 設計難度,減少阻容濾波器件的使用,簡化驅動電路設計。

wKgZO2nMtaeAWe4oAAHH9jQxx8I380.pngCRTM900P10LQ 電阻負載開關測試電路與波形

-55~+175℃寬溫域,全環境穩定工作

支持 - 55~+175℃寬結溫與存儲溫度范圍,覆蓋工業級、車載級全溫域應用需求;寬溫域內導通電阻溫漂特性優異,高低溫極端環境下器件電氣參數無明顯衰減,電流承載與耐壓能力保持穩定;適配戶外、工業設備、車載輔助系統等復雜使用環境,高低溫工況下無明顯性能損耗,有效提升整機的環境適應能力與使用壽命。

車載級全項認證,100% 嚴苛測試高可靠

通過 AEC-Q101 車載級可靠性認證,完全滿足車載電子設備的高可靠性要求,可直接應用于車載輔助功率控制場景;器件經過 100% DVDS 測試與 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 225mJ,抗浪涌、抗沖擊能力優異;柵源極支持 ±20V 電壓,過壓耐受能力強,在異常供電工況下可有效保護器件不被損壞,全場景運行更安全。

三、主流應用場景

wKgZO2nMtcWATJpTAAB_S98IETA655.pngCRTM900P10LQ 安全工作區曲線

工業電機控制與驅動

高端電池管理系統

UPS 不間斷電源

車載輔助功率控制模塊

中高壓鋰電便攜設備

工業級功率開關電路

四、總結

CRTM900P10LQ 是一款采用 CRM 先進 Trench 工藝、-100V 高耐壓、74mΩ 低導通電阻、-17A 大電流承載、PDFN5x6 高功率密度封裝的車載級高性能 P-MOSFET,在耐壓等級、導通損耗、電流承載、功率密度、開關特性、溫域適配、可靠性認證上實現全維度突破,相比同類型產品更能滿足中高壓功率場景的低損耗、高可靠、小型化應用需求,依托華潤微在功率半導體領域的核心技術積累,成為中高壓功率控制場景 P-MOSFET 應用的標桿之選。

佰祥電子作為華潤微官方授權代理商,常備 CRTM900P10LQ 原廠現貨,可提供完整規格書、定制化應用方案、全流程硬件調試指導、樣品快速申請及大規模量產技術支持,正品保障、價格優勢顯著、交貨周期短,助力客戶中高壓功率相關產品高效開發、穩定量產、快速搶占市場。

面向功率半導體市場車載化、高可靠、低損耗、小型化的發展趨勢,CRTM900P10LQ 以 - 100V 高耐壓、74mΩ 低導通電阻、-17A 大電流、PDFN5x6 高功率密度封裝、AEC-Q101 車載認證、寬溫域穩定工作、全項嚴苛測試保障的核心優勢,成為中高壓功率控制場景 P-MOSFET 應用的全新標桿方案。

審核編輯 黃宇

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