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電子發燒友網>電子資料下載>電子資料>華潤微 CRTD280P06L2-GTO-252 P-MOSFET 規格書 佰祥電子

華潤微 CRTD280P06L2-GTO-252 P-MOSFET 規格書 佰祥電子

2026-04-01 | pdf | 1.68 MB | 次下載 | 免費

資料介紹

華潤微代理商 - 華潤微授權佰祥電子為中國區華潤微代理商,佰祥電子本期為大家帶來華潤微專為低壓大電流控制場景匠心打造的 Trench P-MOSFET——CRTD050P03L2-G,以 - 30V 高耐壓、4.2mΩ 超低導通電阻、-125A 大電流、TO-252 通用封裝等核心優勢,破解低壓大電流場景中器件導通損耗高、電流承載不足、開關響應慢、高低溫穩定性差的行業痛點。

 

一、原生適配:專為低壓大電流控制場景匠心定制

CRTD050P03L2-G 并非普通 P-MOSFET 器件的簡單設計,而是立足低壓大電流控制全場景使用需求的定制化 Trench 工藝研發,完美適配各類低壓電機控制與驅動、電動工具、鋰電池保護等設備,在超低導通損耗、超大電流承載、高可靠性、通用封裝適配、寬溫域工作之間實現最優平衡,一站式提供 - 30V 額定耐壓、4.2mΩ 超低導通電阻、-125A 持續電流、JEDEC 標準認證、100% 雙測試的完整功率開關一體化解決方案。

 

二、七大核心亮點,重新定義低壓大電流場景 P-MOSFET 應用標桿

 

先進 Trench 工藝,4.2mΩ 超低導阻優 FOM 值

采用華潤微先進 CRM Trench 溝槽工藝,原生實現 4.2mΩ 典型導通電阻,VGS=-4.5V 工況下最大僅 7mΩ,大幅降低低壓大電流場景下的導通損耗,直接提升功率轉換效率;擁有優異的Qg?×RDS(on)?品質因數(FOM),實現開關損耗與導通損耗的最優平衡,完美適配高頻開關需求;工藝優化器件內部溝道結構,提升功率密度,無需多器件并聯即可滿足大電流需求,大幅簡化模塊設計。

-30V 高耐壓特性,低壓場景穩定性拉滿

額定漏源擊穿電壓 - 30V,耐壓特性高度穩定,無明顯參數漂移,完美適配 20-30V 低壓大電流控制的電壓需求;器件耐壓性能經過嚴苛的 100% DVDS 測試,有效抵御供電電壓波動帶來的器件故障風險;在電動工具、鋰電保護等復雜低壓供電環境下運行更可靠,適配多場景電壓動態變化需求。

-125A 大電流承載,-240A 脈沖超裕量

25℃硅片極限下支持 - 125A 持續漏極電流,100℃工況下仍保持 - 60A 持續電流輸出,充分滿足低壓大電流場景的功率控制需求;25℃下脈沖漏極電流可達 - 240A,脈沖電流裕量充足,適配瞬時大電流啟動場景;器件內部優化電流分布設計,避免局部電流集中問題,大電流工況下器件溫升低,運行狀態更穩定,無需額外增加擴流器件。

TO-252 通用封裝,散熱優異易量產

采用 TO-252 通用封裝,結殼熱阻僅 1.2℃/W,散熱性能優異,可快速散除大電流工況下產生的熱量,保障器件長期穩定運行;封裝尺寸緊湊,適配小型化 PCB 板設計,大幅節省板級布局空間,優化功率模塊的整體體積;完美兼容主流 SMT 貼片工藝,引腳布局標準化,量產貼裝效率高、良率優,降低生產工藝難度,適配中小批量試產與大規模量產需求。

優異開關特性,低驅動損耗快響應

優化器件柵極電荷特性,柵極總電荷(Qg)典型值僅 88.0nC,柵極驅動損耗大幅降低;開關響應速度快,開通延遲時間僅 16ns,上升時間 9ns,精準適配低壓大電流場景的高頻開關應用需求;開關過程中尖峰電壓小,EMI 電磁干擾低,大幅降低外圍 EMC 設計難度,減少阻容濾波器件的使用;柵極控制邏輯簡單,僅需少量驅動元件即可實現穩定驅動,大幅簡化外圍驅動電路設計。

 

JEDEC 認證 + 全項嚴苛測試,高可靠抗沖擊

產品通過 JEDEC 標準權威認證,完全滿足工業級設備的高可靠性要求;器件經過 100% DVDS 測試與 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達 225mJ,抗浪涌、抗沖擊能力突出;柵源極支持 ±20V 電壓,過壓耐受能力強,在異常供電工況下可有效保護器件不被損壞,全場景運行更安全。

-55~+150℃寬溫域,全環境穩定工作

支持 - 55~+150℃工業級寬結溫與存儲溫度范圍,覆蓋戶外設備、工業機械、電動工具等全溫域應用需求;寬溫域內導通電阻溫漂特性優異,高低溫極端環境下器件電氣參數無明顯衰減,電流承載與耐壓能力保持穩定;高低溫工況下無明顯性能損耗,有效提升整機的環境適應能力與長期使用壽命。

三、主流應用場景

 

  • 低壓電機控制與驅動
  • 電動工具功率開關
  • 鋰電池保護板
  • 低壓大電流電源模塊
  • 工業便攜大電流設備
  • 消費電子大電流供電控制

四、總結

CRTD050P03L2-G 是一款采用 CRM 先進 Trench 工藝、-30V 高耐壓、4.2mΩ 超低導通電阻、-125A 大電流承載、TO-252 通用封裝的高性能 P-MOSFET,在導通損耗、電流承載能力、功率密度、開關特性、可靠性認證、溫域適配上實現全維度突破,相比同類型產品更能滿足低壓大電流場景的低損耗、高功率、高可靠應用需求,依托華潤微在功率半導體領域的核心技術積累,成為低壓大電流控制場景 P-MOSFET 應用的標桿之選。

佰祥電子作為華潤微官方授權代理商,常備 CRTD050P03L2-G 原廠現貨,可提供完整規格書、定制化應用方案、全流程硬件調試指導、樣品快速申請及大規模量產技術支持,正品保障、價格優勢顯著、交貨周期短,助力客戶低壓大電流相關產品高效開發、穩定量產、快速搶占市場。

面向功率半導體市場大電流化、低損耗、高可靠、易量產的發展趨勢,CRTD050P03L2-G 以 4.2mΩ 超低導通電阻、-125A 大電流、-30V 高耐壓、TO-252 通用封裝、寬溫域穩定工作、全項嚴苛測試保障的核心優勢,成為低壓大電流控制場景 P-MOSFET 應用的全新標桿方案。

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