華潤(rùn)微代理商 —— 依托華潤(rùn)微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭技術(shù)積淀與全產(chǎn)業(yè)鏈布局，旗下授權(quán)代理商為行業(yè)帶來(lái)專(zhuān)為中低壓大電流場(chǎng)景打造的CRM 先進(jìn)溝槽型 P-MOSFET——CRTD050P03L2-G。這款器件由華潤(rùn)微核心子公司研發(fā)生產(chǎn)，深度承襲華潤(rùn)微在功率器件領(lǐng)域的工藝與設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，以極致低導(dǎo)通電阻、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)、超大電流承載能力、工業(yè)級(jí)高可靠性為核心亮點(diǎn)，精準(zhǔn)破解電機(jī)控制、電動(dòng)工具、鋰電池保護(hù)等場(chǎng)景中功率損耗大、高頻開(kāi)關(guān)效率低、大電流通斷穩(wěn)定性差、空間布局受限的行業(yè)痛點(diǎn)，成為中低壓大電流功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的標(biāo)桿之選。

一、原生適配：中低壓大電流場(chǎng)景專(zhuān)屬 Trench P-MOSFET 定制設(shè)計(jì)

CRTD050P03L2-G 并非傳統(tǒng)平面型 MOSFET 的簡(jiǎn)單技術(shù)升級(jí)，而是華潤(rùn)微立足 **-30V 中低壓、大電流通斷 ** 全場(chǎng)景使用需求的定制化溝槽型（Trench）設(shè)計(jì)，完美適配電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具、鋰電池保護(hù)、高頻（HF）開(kāi)關(guān)電路等中低壓大電流應(yīng)用場(chǎng)景。

作為華潤(rùn)微面向中低壓功率開(kāi)關(guān)領(lǐng)域的核心產(chǎn)品，其核心參數(shù)實(shí)現(xiàn)行業(yè)優(yōu)質(zhì)表現(xiàn)：-30V 漏源耐壓、4.2mΩ 典型導(dǎo)通電阻、-125A 硅片極限連續(xù)漏極電流，在低導(dǎo)通損耗、大電流承載、高頻開(kāi)關(guān)效率、工業(yè)級(jí)可靠性、小型化集成之間實(shí)現(xiàn)最優(yōu)平衡，一站式為中低壓電路提供高效開(kāi)關(guān)、大電流通斷、高可靠防護(hù)、簡(jiǎn)化 BOM的完整功率解決方案。

二、七大核心亮點(diǎn)，重新定義中低壓 P-MOSFET 性能標(biāo)桿

先進(jìn) CRM 溝槽技術(shù)，極致低導(dǎo)通電阻突破損耗瓶頸

CRTD050P03L2-G 采用華潤(rùn)微自主研發(fā)的 CRM 先進(jìn) Trench 溝槽技術(shù)，依托華潤(rùn)微成熟的功率器件工藝平臺(tái)，對(duì)器件溝道結(jié)構(gòu)進(jìn)行深度優(yōu)化，有效降低漏源導(dǎo)通電阻（RDS(on)?）：在VGS?=?10V、ID?=?19A的典型工況下，RDS(on)?典型值僅4.2mΩ，最大值也僅 5.3mΩ，即使在低柵壓VGS?=?4.5V下，仍能保持 7mΩ 以內(nèi)的低導(dǎo)通電阻表現(xiàn)。

極致低阻直接大幅降低電路導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率；同時(shí)器件擁有優(yōu)異的Qg?×RDS(on)?品質(zhì)因數(shù)（FOM），柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積實(shí)現(xiàn)行業(yè)優(yōu)級(jí)優(yōu)化，高頻開(kāi)關(guān)過(guò)程中開(kāi)關(guān)損耗更小，完美適配高頻（HF）開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)需求。

全規(guī)格極限電流承載，大電流場(chǎng)景輕松應(yīng)對(duì)

針對(duì)中低壓場(chǎng)景的大電流通斷需求，華潤(rùn)微為 CRTD050P03L2-G 打造了硅片與封裝的雙級(jí)電流極限設(shè)計(jì)，電流承載能力行業(yè)領(lǐng)先：25℃下硅片極限連續(xù)漏極電流達(dá) **-125A**，封裝極限也達(dá) - 60A，即使在 100℃高溫工況下，硅片極限連續(xù)漏極電流仍保持 **-80A的高水準(zhǔn)；脈沖漏極電流（25℃，受結(jié)溫限制）更是高達(dá)-240A**，能輕松應(yīng)對(duì)電路中的瞬時(shí)大電流沖擊。

同時(shí)器件單脈沖雪崩能量達(dá)225mJ（L=0.5mH），具備優(yōu)異的抗雪崩能力，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具等感性負(fù)載場(chǎng)景中，可有效抵御電壓尖峰沖擊，避免器件損壞，充分匹配工業(yè)級(jí)場(chǎng)景的嚴(yán)苛要求。

嚴(yán)苛行業(yè)認(rèn)證測(cè)試，工業(yè)級(jí)高可靠性適配全場(chǎng)景

CRTD050P03L2-G 完全符合 JEDEC 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，并經(jīng)過(guò)華潤(rùn)微全批次 100% 嚴(yán)苛測(cè)試驗(yàn)證：所有器件均完成DVDS 漏源耐壓測(cè)試、雪崩耐量測(cè)試，從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造到封裝測(cè)試，全流程遵循華潤(rùn)微的高品質(zhì)品控標(biāo)準(zhǔn)，保障器件的一致性和可靠性。

器件的工作與存儲(chǔ)溫度覆蓋 **-55℃~+150℃**，寬溫域適配工業(yè)設(shè)備、戶外便攜工具等復(fù)雜工作環(huán)境；引腳焊接溫度支持 260℃（距外殼 1.6mm 處焊接 10s），兼容常規(guī)波峰焊、回流焊工藝，耐焊接熱沖擊能力優(yōu)異，大幅提升量產(chǎn)良率。

優(yōu)異動(dòng)靜態(tài)電氣特性，高頻開(kāi)關(guān)控制更精準(zhǔn)

依托華潤(rùn)微在功率器件領(lǐng)域的精準(zhǔn)參數(shù)標(biāo)定能力，CRTD050P03L2-G 的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)電氣特性均實(shí)現(xiàn)高精度匹配，為高頻開(kāi)關(guān)控制提供穩(wěn)定的參數(shù)支撐：靜態(tài)特性上，漏源擊穿電壓穩(wěn)定在 - 30V，柵極閾值電壓（VGS(th)?）精準(zhǔn)控制在 - 1.5V~-2V，零柵壓漏極電流（IDSS?）、柵源漏電流（IGSS?）均處于 nA 級(jí)，器件靜態(tài)功耗極低；跨導(dǎo)（gfs?）達(dá) 83S，柵壓對(duì)漏極電流的控制靈敏度高，電流調(diào)節(jié)更精準(zhǔn)。

動(dòng)態(tài)特性上，在 1MHz 高頻下，輸入電容（Ciss?）、輸出電容（Coss?）、反向傳輸電容（Crss?）參數(shù)匹配優(yōu)化，柵極總電荷（Qg?）88.0nC，柵源電荷（Qgs?）、柵漏電荷（Qgd?）分配合理；開(kāi)關(guān)延遲時(shí)間（td(on)?）9ns，上升 / 下降時(shí)間精準(zhǔn)，高頻開(kāi)關(guān)過(guò)程中無(wú)信號(hào)拖影、無(wú)遲滯，完美適配 HF 高頻開(kāi)關(guān)電路和高速功率控制場(chǎng)景。

專(zhuān)屬熱性能優(yōu)化，高溫工況穩(wěn)定運(yùn)行

針對(duì)大電流工況下的散熱難題，華潤(rùn)微為 CRTD050P03L2-G 進(jìn)行了定制化熱性能優(yōu)化設(shè)計(jì)：結(jié)殼熱阻（RthJC?）典型值僅1.2℃/W，熱量能快速?gòu)男酒Y(jié)區(qū)傳導(dǎo)至外殼，再通過(guò) PCB 高效散熱；25℃下器件最大功耗達(dá)104W，具備超強(qiáng)的功率承載能力。

同時(shí)華潤(rùn)微為該器件提供了完整的漏極電流降額曲線、功率耗散降額曲線，器件隨殼溫升高，電流與功率輸出呈平穩(wěn)線性降額，無(wú)突變性性能衰減；瞬態(tài)熱阻抗（ZthJC?）經(jīng)過(guò)深度優(yōu)化，短時(shí)大功耗工況下結(jié)溫上升緩慢，有效避免熱失控，保障高溫工況下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

高集成優(yōu)質(zhì)體二極管，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)降本增效

CRTD050P03L2-G 內(nèi)置華潤(rùn)微定制化高性能體二極管，無(wú)需額外外接續(xù)流 / 整流二極管，大幅簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，減少外圍 BOM 器件數(shù)量，降低整體方案成本。

該體二極管為快速恢復(fù)型，反向恢復(fù)時(shí)間（trr?）僅 1.2ns，反向恢復(fù)電荷（Qrr?）40.5nC，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、鋰電池保護(hù)等場(chǎng)景中，能快速關(guān)斷反向電流，避免反向恢復(fù)損耗；體二極管連續(xù)正向電流達(dá) - 60A，正向電壓低，續(xù)流效率高，完美匹配主功率管的大電流通斷需求，實(shí)現(xiàn)主器件與體二極管的性能協(xié)同。

TO-252 經(jīng)典貼片封裝，小型化易集成適配自動(dòng)化量產(chǎn)

CRTD050P03L2-G 采用TO-252 貼片封裝，這是華潤(rùn)微針對(duì)中低壓功率器件打造的經(jīng)典封裝形式，引腳布局經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，頂 / 底視圖的引腳定義清晰（D/D-S/G 引腳分布），適配各類(lèi) PCB 的貼片布局，能有效節(jié)省 PCB 空間，滿足便攜式設(shè)備、小型化工業(yè)模塊的空間設(shè)計(jì)需求。

器件采用卷裝供貨，每卷 2500pcs，完美適配 SMT 自動(dòng)化貼片產(chǎn)線，大幅提升客戶量產(chǎn)效率；封裝引腳的焊接性、機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)異，抗振動(dòng)、抗沖擊能力強(qiáng)，適合電動(dòng)工具、工業(yè)電機(jī)等存在振動(dòng)工況的應(yīng)用場(chǎng)景，適配工業(yè)級(jí)設(shè)備的使用要求。

三、主流應(yīng)用場(chǎng)景

CRTD050P03L2-G 作為華潤(rùn)微中低壓功率器件的核心產(chǎn)品，憑借 **-30V 中低壓、低導(dǎo)通電阻、大電流承載、高頻開(kāi)關(guān)、高可靠性 ** 的核心優(yōu)勢(shì)，成為中低壓大電流場(chǎng)景的功率開(kāi)關(guān)優(yōu)選，主流應(yīng)用覆蓋：

電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)：小型工業(yè)電機(jī)、直流無(wú)刷電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)的功率開(kāi)關(guān)與續(xù)流控制

電動(dòng)工具：充電式手電鉆、扳手、吸塵器等便攜電動(dòng)工具的鋰電供電回路開(kāi)關(guān)

鋰電池保護(hù)：動(dòng)力電池、儲(chǔ)能鋰電池、便攜式設(shè)備鋰電池的保護(hù)板功率開(kāi)關(guān)

高頻（HF）開(kāi)關(guān)電路：低壓高頻電源、DC-DC 變換器的高速功率開(kāi)關(guān)

便攜式大功率電子設(shè)備：便攜儲(chǔ)能、大功率手持設(shè)備的電源通斷與功率控制

工業(yè)低壓驅(qū)動(dòng)模塊：工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、低壓驅(qū)動(dòng)板的功率開(kāi)關(guān)單元

四、總結(jié)

CRTD050P03L2-G 是華潤(rùn)微基于CRM 先進(jìn) Trench 溝槽技術(shù)打造的 **-30V 中低壓大電流 P-MOSFET**，也是華潤(rùn)微面向中低壓大電流功率開(kāi)關(guān)場(chǎng)景量身定制的高效功率器件。依托華潤(rùn)微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)，該器件在4.2mΩ 極致低導(dǎo)通電阻、-125A 超大電流承載、優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān) FOM 值、工業(yè)級(jí)高可靠性、集成化優(yōu)質(zhì)體二極管、TO-252 小型化封裝上實(shí)現(xiàn)了全維度突破。

相比傳統(tǒng)平面型 MOSFET，CRTD050P03L2-G 能大幅降低電路的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)整體效率，同時(shí)簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)、減少 BOM 成本，完美適配電機(jī)控制、電動(dòng)工具、鋰電池保護(hù)等中低壓大電流場(chǎng)景的功率開(kāi)關(guān)需求，是華潤(rùn)微在中低壓功率器件領(lǐng)域的標(biāo)桿產(chǎn)品。

華潤(rùn)微授權(quán)代理商常備 CRTD050P03L2-G 原廠現(xiàn)貨，可為客戶提供完整規(guī)格書(shū)、定制化應(yīng)用方案設(shè)計(jì)、全流程硬件調(diào)試指導(dǎo)、樣品快速申請(qǐng)及大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)支持，正品保障、價(jià)格優(yōu)勢(shì)顯著、交貨周期短，助力客戶在工業(yè)控制、電動(dòng)工具、鋰電保護(hù)等領(lǐng)域的產(chǎn)品高效開(kāi)發(fā)、穩(wěn)定量產(chǎn)，快速搶占中低壓功率器件市場(chǎng)。

面向工業(yè)自動(dòng)化、便攜電動(dòng)工具、鋰電儲(chǔ)能等市場(chǎng)高效化、小型化、高可靠性的發(fā)展趨勢(shì)，華潤(rùn)微 CRTD050P03L2-G 以低損耗、大電流、高可靠、易集成的核心優(yōu)勢(shì)，為中低壓大電流場(chǎng)景的功率開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)提供了全新的優(yōu)質(zhì)解決方案，也彰顯了華潤(rùn)微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品布局能力。

審核編輯 黃宇