onsemi NVHL110N65S3HF MOSFET:高效電源設計的理想之選
在電子工程領域,MOSFET 作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著電源系統的效率和穩定性。今天,我們就來深入了解一下 onsemi 推出的 NVHL110N65S3HF MOSFET,看看它有哪些獨特之處。
文件下載:NVHL110N65S3HF-D.PDF
產品概述
NVHL110N65S3HF 是 onsemi 全新的 SUPERFET III 系列 N 溝道功率 MOSFET,采用了先進的超結(SJ)技術和電荷平衡技術,具備低導通電阻和低柵極電荷的出色性能。這種先進技術旨在最大程度地減少傳導損耗,提供卓越的開關性能,并能承受極高的 dv/dt 速率,非常適合各種需要小型化和高效率的電源系統。此外,SUPERFET III HF 版本還提供快速恢復功能,可提高高速開關應用中的效率。
關鍵特性
電氣性能
- 耐壓與電流能力:該 MOSFET 的漏源電壓(VDSS)為 650V,連續漏極電流(ID)在 25°C 時可達 30A,在 100°C 時為 19.5A,脈沖漏極電流(IDM)高達 69A,能夠滿足多種高功率應用的需求。
- 低導通電阻:典型的導通電阻(RDS(on))為 89mΩ,在 10V 柵源電壓下最大為 110mΩ,有效降低了傳導損耗,提高了電源效率。
- 低柵極電荷:總柵極電荷(Qg(tot))典型值為 58nC,超低的柵極電荷有助于減少開關損耗,提高開關速度。
- 低輸出電容:有效輸出電容(Coss(eff.))典型值為 510pF,可降低開關過程中的能量損耗。
可靠性
- 雪崩測試:經過 100% 雪崩測試,確保了器件在惡劣工作條件下的可靠性。
- 汽車級認證:NVHL 前綴適用于汽車及其他有獨特場地和控制變更要求的應用,符合 AEC - Q101 標準,具備 PPAP 能力。
- 環保特性:這些器件無鉛、無鹵、無 BFR,符合 RoHS 標準,滿足環保要求。
應用領域
- 汽車車載充電器:在 HEV - EV 汽車的車載充電系統中,NVHL110N65S3HF 的高性能和可靠性能夠確保充電過程的高效和穩定。
- 汽車 DC/DC 轉換器:為 HEV - EV 汽車的 DC/DC 轉換提供高效的功率轉換解決方案。
絕對最大額定值與熱特性
絕對最大額定值
| 參數 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 650 | V |
| 柵源電壓(DC) | VGSS | ±30 | V |
| 柵源電壓(AC,f > 1Hz) | VGSS | ±30 | V |
| 連續漏極電流(25°C) | ID | 30 | A |
| 連續漏極電流(100°C) | ID | 19.5 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 69 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 380 | mJ |
| 重復雪崩能量 | EAR | 2.4 | mJ |
| MOSFET dv/dt | dv/dt | 100 | V/ns |
| 峰值二極管恢復 dv/dt | 50 | ||
| 功率耗散(25°C) | PD | 240 | W |
| 25°C 以上降額 | 1.92 | W/°C | |
| 工作和存儲溫度范圍 | TJ, TSTG | -55 至 +150 | °C |
| 焊接時最大引線溫度(距外殼 1/8″,5s) | TL | 300 | °C |
熱特性
- 結到外殼的熱阻(RJC)最大為 0.52°C/W,結到環境的熱阻(RJA)最大為 40°C/W,良好的熱特性有助于器件在工作過程中保持穩定的溫度。
典型特性曲線
文檔中提供了一系列典型特性曲線,展示了該 MOSFET 在不同條件下的性能表現,包括導通區域特性、轉移特性、導通電阻隨溫度和電流的變化、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線對于工程師在設計電路時進行性能評估和參數優化非常有幫助。
封裝與訂購信息
NVHL110N65S3HF 采用 TO - 247 長引腳封裝(CASE 340CX),包裝方式為管裝,每管 30 個。詳細的訂購和運輸信息可在數據手冊的第 2 頁查看。
總結
onsemi 的 NVHL110N65S3HF MOSFET 憑借其出色的電氣性能、高可靠性和環保特性,為電子工程師在設計高效電源系統時提供了一個優秀的選擇。無論是在汽車電子還是其他高功率應用領域,它都能發揮重要作用。在實際應用中,工程師可以根據具體的設計需求,結合文檔中的典型特性曲線和參數,進行合理的電路設計和優化。你在使用 MOSFET 進行電源設計時,遇到過哪些挑戰呢?歡迎在評論區分享你的經驗。
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