onsemi NTB110N65S3HF MOSFET:高效電源系統的理想之選
在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET 是不可或缺的關鍵元件。今天,我們就來深入了解 onsemi 推出的 NTB110N65S3HF 這款 N 溝道 SUPERFET III FRFET MOSFET,看看它有哪些獨特的性能和優勢。
文件下載:NTB110N65S3HF-D.PDF
產品概述
NTB110N65S3HF 屬于 onsemi 的 SUPERFET III 系列,這是全新的高壓超結(SJ)MOSFET 家族。它采用了電荷平衡技術,具備出色的低導通電阻和低柵極電荷性能。這種先進技術旨在最大程度地減少傳導損耗,提供卓越的開關性能,并能承受極高的 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 非常適合各種追求小型化和高效率的電源系統。同時,SUPERFET III FRFET MOSFET 優化了體二極管的反向恢復性能,能夠去除額外的組件,提高系統的可靠性。
產品特性
電氣特性
- 耐壓能力:在 (T{J}=150^{circ}C) 時,可承受 700V 的電壓;在 (T{C}=25^{circ}C) 時,漏源擊穿電壓 (BVDSS) 為 650V。
- 導通電阻:典型的 (R{DS(on)}) 為 98mΩ,最大值為 110mΩ(在 (V{GS}=10V),(I_{D}=15A) 條件下)。
- 柵極電荷:超低的柵極電荷,典型值 (Q_{g}=62nC)。
- 輸出電容:低有效輸出電容,典型值 (C_{oss(eff.)}=522pF)。
- 雪崩測試:經過 100% 雪崩測試,確保了在極端情況下的可靠性。
熱特性
- 熱阻:結到外殼的最大熱阻 (R{θJC}=0.52^{circ}C/W),結到環境的最大熱阻 (R{θJA}=45^{circ}C/W)。
封裝與標識
- 封裝形式:采用 D2PAK(TO - 263 3 - Lead)封裝。
- 標識信息:頂部標識為 NTB110N65S3HF,其中包含了 onsemi 標志、組裝工廠代碼、數據代碼(年和周)、批次等信息。
應用領域
- 電信/服務器電源:在電信和服務器電源系統中,對效率和可靠性要求極高。NTB110N65S3HF 的低導通電阻和卓越的開關性能能夠有效降低功耗,提高電源效率,確保系統穩定運行。
- 工業電源:工業環境通常對設備的穩定性和耐用性有嚴格要求。這款 MOSFET 能夠承受高電壓和大電流,適應工業電源的復雜工況。
- 電動汽車充電器:隨著電動汽車的普及,充電器的性能至關重要。NTB110N65S3HF 的高效性能有助于提高充電效率,縮短充電時間。
- UPS/太陽能:在不間斷電源(UPS)和太陽能系統中,需要能夠高效轉換和存儲能量的元件。該 MOSFET 可以滿足這些系統對功率轉換和能量管理的需求。
絕對最大額定值
| 在使用 NTB110N65S3HF 時,必須嚴格遵守其絕對最大額定值,否則可能會損壞器件,影響其功能和可靠性。以下是一些關鍵的絕對最大額定值: | 參數 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 (V_{DSS}) | 650 | V | |
| 柵源電壓 (V_{GSS})(DC) | +30 | V | |
| 柵源電壓 (V_{GSS})(AC,(f>1Hz)) | ±30 | V | |
| 連續漏極電流((T_{C}=25^{circ}C)) | (I_{D}) | 30 | A |
| 連續漏極電流((T_{C}=100^{circ}C)) | (I_{D}) | 19.5 | A |
| 脈沖漏極電流 (I_{DM}) | 69 | A | |
| 單脈沖雪崩能量 (E_{AS}) | 380 | mJ | |
| 雪崩電流 (I_{AS}) | 4.4 | A | |
| 重復雪崩能量 (E_{AR}) | 2.4 | mJ | |
| MOSFET dv/dt | 100 | V/ns | |
| 峰值二極管恢復 dv/dt | 50 | V/ns | |
| 功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) | (P_{D}) | 240 | W |
| 25°C 以上降額系數 | 1.92 | W/°C | |
| 工作和存儲溫度范圍 (T{J},T{STG}) | - 55 至 +150 | °C | |
| 焊接時最大引腳溫度(距離外殼 1/8",5 秒) | (T_{L}) | 300 | °C |
典型性能曲線
文檔中提供了一系列典型性能曲線,包括導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解 MOSFET 在不同工作條件下的性能表現,從而進行更精確的電路設計。
總結
onsemi 的 NTB110N65S3HF MOSFET 憑借其出色的性能和廣泛的應用領域,為電子工程師在電源系統設計中提供了一個可靠的選擇。在實際應用中,工程師需要根據具體的設計需求,結合其電氣特性、熱特性和絕對最大額定值等參數,合理使用該器件,以實現高效、穩定的電源系統設計。大家在使用這款 MOSFET 時,有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應用經驗呢?歡迎在評論區分享。
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