Onsemi NVB110N65S3F MOSFET:高效電源解決方案的理想之選
在電子工程師的日常設計工作中,選擇合適的MOSFET對于電源系統的性能和效率至關重要。今天,我們就來深入了解一下Onsemi的NVB110N65S3F MOSFET,看看它有哪些獨特的特性和優勢。
文件下載:NVB110N65S3F-D.PDF
產品概述
NVB110N65S3F是一款單通道N溝道功率MOSFET,采用D2PAK封裝。它屬于On Semiconductor的SUPERFET? III MOSFET家族,該家族運用了先進的電荷平衡技術,具有出色的低導通電阻和低柵極電荷性能,非常適合各種需要小型化和高效率的電源系統。
關鍵特性
卓越的電氣性能
- 高耐壓能力:其漏源擊穿電壓(BVDSS)在不同測試條件下表現出色,在VGS = 0 V,ID = 1 mA,TJ = 25°C時,最小值為650 V,最大值可達700 V,能承受較高的電壓,適用于高壓應用場景。
- 低導通電阻:典型的導通電阻(RDS(on))為93 mΩ,在VGS = 10 V時,最大為110 mΩ,可有效降低導通損耗,提高電源系統的效率。
- 超低柵極電荷:典型的總柵極電荷(Qg(total))在Vps = 400V,Ip = 15 A,VGs = 10V時為58 nC,有助于減少開關損耗,提升開關速度。
- 低有效輸出電容:典型的有效輸出電容(Coss(eff.))為533 pF,能降低開關過程中的能量損耗。
可靠的性能保障
- 雪崩測試合格:經過100%雪崩測試,具有良好的雪崩能量耐量,單脈沖雪崩能量(EAS)為380 mJ,重復雪崩能量(EAR)為2.4 mJ,能有效應對瞬間的高能量沖擊,提高系統的可靠性。
- 符合AEC - Q101標準:滿足汽車級應用的要求,適用于汽車電子領域,如車載充電器和混合動力汽車的DC/DC轉換器等。
- 環保設計:這些器件為無鉛產品,符合RoHS標準,符合環保要求。
應用領域
汽車電子
- 車載充電器:NVB110N65S3F的高耐壓和低導通電阻特性,使其能夠在車載充電器中高效地進行功率轉換,減少能量損耗,提高充電效率。
- 汽車DC/DC轉換器:對于混合動力汽車的DC/DC轉換器,該MOSFET能夠提供穩定可靠的功率轉換,滿足汽車電子系統對電源的嚴格要求。
電氣參數詳解
絕對最大額定值
| 參數 | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | 650 | V |
| 柵源電壓(DC) | VGS | ±30 | V |
| 柵源電壓(AC,f > 1 Hz) | VGS | ±30 | V |
| 連續漏極電流(TC = 25°C) | ID | 30 | A |
| 連續漏極電流(TC = 100°C) | ID | 19.5 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 69 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | EAS | 380 | mJ |
| 雪崩電流 | IAS | 3.5 | A |
| 重復雪崩能量 | EAR | 2.4 | mJ |
| MOSFET dv/dt | dv/dt | 100 | V/ns |
| 峰值二極管恢復dv/dt | - | 50 | - |
| 功率耗散(TC = 25°C) | PD | 240 | W |
| 25°C以上降額 | - | 1.92 | W/°C |
| 工作結溫和存儲溫度 | TJ, Tstg | -55 to 150 | °C |
| 焊接時最大引腳溫度(距外殼1/8″,5秒) | TL | 300 | °C |
電氣特性
- 關斷特性:零柵壓漏極電流(IDSS)在VDS = 650 V,VGS = 0 V時最大值為10 μA,在VDS = 520 V,TC = 125°C時最大值為128 μA,體現了良好的關斷性能。
- 導通特性:柵極閾值電壓(VGS(th))在VGS = VDS,ID = 0.74 mA時,范圍為3.0 - 5.0 V;靜態漏源導通電阻(RDS(on))在VGS = 10 V,ID = 15 A時,典型值為93 mΩ,最大值為110 mΩ。
- 動態特性:輸入電容(Ciss)在Vps = 400 V,VGs = 0V,f = 1 MHz時為2560 pF;輸出電容(Coss)為50 pF;有效輸出電容(Coss(eff.))在Vps = 0 to 400 V,VGs = 0V時為553 pF等。
- 開關特性:在VGS = 10 V,VD = 400 V,ID = 15 A,RG = 4.7 Ω的條件下,上升時間(tr)為32 ns,下降時間(tf)為16 ns,具有較快的開關速度。
- 源漏二極管特性:最大連續源漏二極管正向電流(Is)、最大脈沖源漏二極管正向電流(ISM)為69 A,源漏二極管正向電壓(VSD)在VGS = 0 V,ISD = 15 A時為1.3 V,反向恢復時間為94 ns。
典型特性曲線
文檔中提供了豐富的典型特性曲線,如導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區、最大漏極電流隨殼溫的變化、Eoss隨漏源電壓的變化、歸一化功率耗散隨殼溫的變化、峰值電流能力、導通電阻隨柵極電壓的變化、歸一化柵極閾值電壓隨溫度的變化以及瞬態熱響應等曲線。這些曲線有助于工程師更直觀地了解該MOSFET在不同工作條件下的性能表現,為電路設計提供重要參考。
封裝與訂購信息
NVB110N65S3F采用D2PAK封裝,包裝方式為帶盤包裝,盤尺寸為330 mm,帶寬度為24 mm,每盤數量為800個。
總結
Onsemi的NVB110N65S3F MOSFET憑借其卓越的電氣性能、可靠的性能保障和廣泛的應用領域,為電子工程師在電源設計中提供了一個優秀的選擇。在實際應用中,工程師可以根據具體的設計需求,結合其電氣參數和典型特性曲線,合理設計電路,以實現高效、可靠的電源系統。大家在使用這款MOSFET時,有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應用經驗呢?歡迎在評論區分享交流。
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