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Onsemi NVB110N65S3F MOSFET:高效電源解決方案的理想之選

lhl545545 ? 2026-03-31 11:45 ? 次閱讀
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Onsemi NVB110N65S3F MOSFET:高效電源解決方案的理想之選

電子工程師的日常設計工作中,選擇合適的MOSFET對于電源系統的性能和效率至關重要。今天,我們就來深入了解一下Onsemi的NVB110N65S3F MOSFET,看看它有哪些獨特的特性和優勢。

文件下載:NVB110N65S3F-D.PDF

產品概述

NVB110N65S3F是一款單通道N溝道功率MOSFET,采用D2PAK封裝。它屬于On Semiconductor的SUPERFET? III MOSFET家族,該家族運用了先進的電荷平衡技術,具有出色的低導通電阻和低柵極電荷性能,非常適合各種需要小型化和高效率的電源系統。

關鍵特性

卓越的電氣性能

  • 高耐壓能力:其漏源擊穿電壓(BVDSS)在不同測試條件下表現出色,在VGS = 0 V,ID = 1 mA,TJ = 25°C時,最小值為650 V,最大值可達700 V,能承受較高的電壓,適用于高壓應用場景。
  • 低導通電阻:典型的導通電阻(RDS(on))為93 mΩ,在VGS = 10 V時,最大為110 mΩ,可有效降低導通損耗,提高電源系統的效率。
  • 超低柵極電荷:典型的總柵極電荷(Qg(total))在Vps = 400V,Ip = 15 A,VGs = 10V時為58 nC,有助于減少開關損耗,提升開關速度。
  • 低有效輸出電容:典型的有效輸出電容(Coss(eff.))為533 pF,能降低開關過程中的能量損耗。

可靠的性能保障

  • 雪崩測試合格:經過100%雪崩測試,具有良好的雪崩能量耐量,單脈沖雪崩能量(EAS)為380 mJ,重復雪崩能量(EAR)為2.4 mJ,能有效應對瞬間的高能量沖擊,提高系統的可靠性。
  • 符合AEC - Q101標準:滿足汽車級應用的要求,適用于汽車電子領域,如車載充電器和混合動力汽車的DC/DC轉換器等。
  • 環保設計:這些器件為無鉛產品,符合RoHS標準,符合環保要求。

應用領域

汽車電子

  • 車載充電器:NVB110N65S3F的高耐壓和低導通電阻特性,使其能夠在車載充電器中高效地進行功率轉換,減少能量損耗,提高充電效率。
  • 汽車DC/DC轉換器:對于混合動力汽車的DC/DC轉換器,該MOSFET能夠提供穩定可靠的功率轉換,滿足汽車電子系統對電源的嚴格要求。

電氣參數詳解

絕對最大額定值

參數 符號 單位
漏源電壓 VDSS 650 V
柵源電壓(DC) VGS ±30 V
柵源電壓(AC,f > 1 Hz) VGS ±30 V
連續漏極電流(TC = 25°C) ID 30 A
連續漏極電流(TC = 100°C) ID 19.5 A
脈沖漏極電流 IDM 69 A
單脈沖雪崩能量 EAS 380 mJ
雪崩電流 IAS 3.5 A
重復雪崩能量 EAR 2.4 mJ
MOSFET dv/dt dv/dt 100 V/ns
峰值二極管恢復dv/dt - 50 -
功率耗散(TC = 25°C) PD 240 W
25°C以上降額 - 1.92 W/°C
工作結溫和存儲溫度 TJ, Tstg -55 to 150 °C
焊接時最大引腳溫度(距外殼1/8″,5秒) TL 300 °C

電氣特性

  • 關斷特性:零柵壓漏極電流(IDSS)在VDS = 650 V,VGS = 0 V時最大值為10 μA,在VDS = 520 V,TC = 125°C時最大值為128 μA,體現了良好的關斷性能。
  • 導通特性:柵極閾值電壓(VGS(th))在VGS = VDS,ID = 0.74 mA時,范圍為3.0 - 5.0 V;靜態漏源導通電阻(RDS(on))在VGS = 10 V,ID = 15 A時,典型值為93 mΩ,最大值為110 mΩ。
  • 動態特性:輸入電容(Ciss)在Vps = 400 V,VGs = 0V,f = 1 MHz時為2560 pF;輸出電容(Coss)為50 pF;有效輸出電容(Coss(eff.))在Vps = 0 to 400 V,VGs = 0V時為553 pF等。
  • 開關特性:在VGS = 10 V,VD = 400 V,ID = 15 A,RG = 4.7 Ω的條件下,上升時間(tr)為32 ns,下降時間(tf)為16 ns,具有較快的開關速度。
  • 源漏二極管特性:最大連續源漏二極管正向電流(Is)、最大脈沖源漏二極管正向電流(ISM)為69 A,源漏二極管正向電壓(VSD)在VGS = 0 V,ISD = 15 A時為1.3 V,反向恢復時間為94 ns。

典型特性曲線

文檔中提供了豐富的典型特性曲線,如導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區、最大漏極電流隨殼溫的變化、Eoss隨漏源電壓的變化、歸一化功率耗散隨殼溫的變化、峰值電流能力、導通電阻隨柵極電壓的變化、歸一化柵極閾值電壓隨溫度的變化以及瞬態熱響應等曲線。這些曲線有助于工程師更直觀地了解該MOSFET在不同工作條件下的性能表現,為電路設計提供重要參考。

封裝與訂購信息

NVB110N65S3F采用D2PAK封裝,包裝方式為帶盤包裝,盤尺寸為330 mm,帶寬度為24 mm,每盤數量為800個。

總結

Onsemi的NVB110N65S3F MOSFET憑借其卓越的電氣性能、可靠的性能保障和廣泛的應用領域,為電子工程師在電源設計中提供了一個優秀的選擇。在實際應用中,工程師可以根據具體的設計需求,結合其電氣參數和典型特性曲線,合理設計電路,以實現高效、可靠的電源系統。大家在使用這款MOSFET時,有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應用經驗呢?歡迎在評論區分享交流。

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