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Onsemi FCH067N65S3 MOSFET:高性能解決方案

lhl545545 ? 2026-03-30 10:35 ? 次閱讀
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Onsemi FCH067N65S3 MOSFET:高性能解決方案

在電子工程領域,MOSFET作為重要的功率器件,在各類電源應用中發揮著關鍵作用。今天,我們來深入了解Onsemi推出的FCH067N65S3這款N溝道650V、44A的SUPERFET III MOSFET。

文件下載:FCH067N65S3-D.PDF

產品概述

FCH067N65S3屬于Onsemi全新的SUPERFET III系列,這是采用電荷平衡技術的高壓超結(SJ)MOSFET家族。該技術使得MOSFET具備出色的低導通電阻和低柵極電荷性能,能有效降低傳導損耗,提供卓越的開關性能,還能承受極高的dv/dt速率。同時,其Easy drive系列有助于解決EMI問題,讓設計實現更加輕松。

產品特性

電氣性能

  • 耐壓與導通電阻:在(T{J}=150^{circ}C)時可承受700V電壓,典型導通電阻(R{DS(on)} = 59mOmega),這意味著在導通狀態下能有效減少功率損耗。
  • 柵極電荷與輸出電容:超低的柵極電荷(典型(Q{g}=78nC))和低有效輸出電容(典型(C{oss(eff.)}=715pF)),有助于降低開關損耗,提高開關速度。
  • 雪崩測試:經過100%雪崩測試,保證了器件在極端情況下的可靠性。
  • 環保特性:該器件無鉛且符合RoHS標準,符合環保要求。

絕對最大額定值

參數 數值 單位
漏源電壓(V_{DSS}) 650 V
柵源電壓(V_{GSS})(DC ±30 V
柵源電壓(V_{GSS})(AC,f>1Hz) +30 V
連續漏極電流((T_{C}=25^{circ}C)) (44^*) A
連續漏極電流((T_{C}=100^{circ}C)) (28^*) A
脈沖漏極電流(I_{DM}) (110^*) A
單脈沖雪崩能量(E_{AS}) 1160 mJ
雪崩電流(I_{AS}) 8.8 A
重復雪崩能量(E_{AR}) 3.12 mJ
MOSFET dv/dt 100 V/ns
峰值二極管恢復dv/dt 20 V/ns
功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) 312 W
25°C以上降額 2.5 W/°C
工作和存儲溫度范圍 (-55)至(+150) °C
最大焊接引線溫度(距外殼1/8英寸,5秒) 300 °C

注:漏極電流受最大結溫限制;重復額定值:脈沖寬度受最大結溫限制;(I{AS}=8.8A),(R{G}=25Omega),起始(T{J}=25^{circ}C);(I{SD} ≤22A),(di / dt ≤200A / us),(V{DD} ≤380V),起始(T{J}=25^{circ}C)。

熱特性

熱阻方面,結到環境的最大熱阻為40°C/W,結到外殼的熱阻為0.4°C/W,良好的熱特性有助于保證器件在工作時的穩定性。

應用領域

該MOSFET適用于多種電源應用場景,包括:

  • 電信/服務器電源:滿足電信設備和服務器對高效、穩定電源的需求。
  • 工業電源:為工業設備提供可靠的功率支持。
  • UPS/太陽能:在不間斷電源和太陽能系統中發揮重要作用。

典型性能特性

文檔中給出了一系列典型性能特性曲線,如導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線為工程師在設計電路時提供了重要的參考依據,幫助他們更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現。

封裝與訂購信息

FCH067N65S3采用TO - 247 G03封裝,包裝方式為管裝,每管30個單位。

在實際設計中,工程師需要根據具體的應用需求,結合器件的各項參數和特性,合理選擇和使用該MOSFET。同時,要注意避免超過器件的絕對最大額定值,以確保器件的可靠性和穩定性。大家在使用這款MOSFET時,有沒有遇到過什么特別的問題或者有獨特的應用經驗呢?歡迎在評論區分享交流。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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