Onsemi FCH067N65S3 MOSFET:高性能解決方案
在電子工程領域,MOSFET作為重要的功率器件,在各類電源應用中發揮著關鍵作用。今天,我們來深入了解Onsemi推出的FCH067N65S3這款N溝道650V、44A的SUPERFET III MOSFET。
文件下載:FCH067N65S3-D.PDF
產品概述
FCH067N65S3屬于Onsemi全新的SUPERFET III系列,這是采用電荷平衡技術的高壓超結(SJ)MOSFET家族。該技術使得MOSFET具備出色的低導通電阻和低柵極電荷性能,能有效降低傳導損耗,提供卓越的開關性能,還能承受極高的dv/dt速率。同時,其Easy drive系列有助于解決EMI問題,讓設計實現更加輕松。
產品特性
電氣性能
- 耐壓與導通電阻:在(T{J}=150^{circ}C)時可承受700V電壓,典型導通電阻(R{DS(on)} = 59mOmega),這意味著在導通狀態下能有效減少功率損耗。
- 柵極電荷與輸出電容:超低的柵極電荷(典型(Q{g}=78nC))和低有效輸出電容(典型(C{oss(eff.)}=715pF)),有助于降低開關損耗,提高開關速度。
- 雪崩測試:經過100%雪崩測試,保證了器件在極端情況下的可靠性。
- 環保特性:該器件無鉛且符合RoHS標準,符合環保要求。
絕對最大額定值
| 參數 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|
| 漏源電壓(V_{DSS}) | 650 | V |
| 柵源電壓(V_{GSS})(DC) | ±30 | V |
| 柵源電壓(V_{GSS})(AC,f>1Hz) | +30 | V |
| 連續漏極電流((T_{C}=25^{circ}C)) | (44^*) | A |
| 連續漏極電流((T_{C}=100^{circ}C)) | (28^*) | A |
| 脈沖漏極電流(I_{DM}) | (110^*) | A |
| 單脈沖雪崩能量(E_{AS}) | 1160 | mJ |
| 雪崩電流(I_{AS}) | 8.8 | A |
| 重復雪崩能量(E_{AR}) | 3.12 | mJ |
| MOSFET dv/dt | 100 | V/ns |
| 峰值二極管恢復dv/dt | 20 | V/ns |
| 功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) | 312 | W |
| 25°C以上降額 | 2.5 | W/°C |
| 工作和存儲溫度范圍 | (-55)至(+150) | °C |
| 最大焊接引線溫度(距外殼1/8英寸,5秒) | 300 | °C |
注:漏極電流受最大結溫限制;重復額定值:脈沖寬度受最大結溫限制;(I{AS}=8.8A),(R{G}=25Omega),起始(T{J}=25^{circ}C);(I{SD} ≤22A),(di / dt ≤200A / us),(V{DD} ≤380V),起始(T{J}=25^{circ}C)。
熱特性
熱阻方面,結到環境的最大熱阻為40°C/W,結到外殼的熱阻為0.4°C/W,良好的熱特性有助于保證器件在工作時的穩定性。
應用領域
該MOSFET適用于多種電源應用場景,包括:
- 電信/服務器電源:滿足電信設備和服務器對高效、穩定電源的需求。
- 工業電源:為工業設備提供可靠的功率支持。
- UPS/太陽能:在不間斷電源和太陽能系統中發揮重要作用。
典型性能特性
文檔中給出了一系列典型性能特性曲線,如導通區域特性、傳輸特性、導通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線為工程師在設計電路時提供了重要的參考依據,幫助他們更好地了解器件在不同工作條件下的性能表現。
封裝與訂購信息
FCH067N65S3采用TO - 247 G03封裝,包裝方式為管裝,每管30個單位。
在實際設計中,工程師需要根據具體的應用需求,結合器件的各項參數和特性,合理選擇和使用該MOSFET。同時,要注意避免超過器件的絕對最大額定值,以確保器件的可靠性和穩定性。大家在使用這款MOSFET時,有沒有遇到過什么特別的問題或者有獨特的應用經驗呢?歡迎在評論區分享交流。
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